一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置，属于半导体技术领域，包括：清洁台面；晶元旋转组件，连接并旋转晶元；圆筒毛刷，位于晶元下方，与晶元接触并旋转；清洁海绵，位于晶元上方，与晶元接触并由外向内沿预设起点至预设终点方向运动，预设起点与晶元的边缘具有一大于晶元切割宽度的预设距离；喷射组件，位于晶元上方。本实用新型专利技术的有益效果：避免现有技术中存在的，由于圆筒毛刷接触晶元的边缘切割部分而导致的圆筒毛刷对晶元表面造成二次伤害、晶元边缘脱落污染圆筒毛刷影响圆筒毛刷清洁能力以及受到污染的圆筒毛刷对晶元造成机械划伤的问题，提高圆筒毛刷以及整个清洁装置的清洁能力和使用寿命。

A cleaning device for wafer cutting through edge cutting

The utility model provides a cleaning device for an edge cut crystal element, which belongs to the field of semiconductor technology, including a clean table, a crystal element rotating component, connecting and rotating the crystal element; a cylindrical brush is located below the crystal element, contacts and rotates with the crystal element; a clean sponge is located above the crystal element and contacts with the crystal element. From the outgoing inner edge to the preset end point movement, the preset starting point and the edge of the crystal have a predetermined distance greater than the width of the crystal element; the ejector component is located above the crystal element. The beneficial effect of the utility model is to avoid the existence of the existing technology, because the cylinder brush caused by the edge cutting part of the cylinder brush leads to two damage to the surface of the crystal element, the edge shedding of the grain edge pollution cylinder brush affects the cleaning ability of the cylinder brush and the polluted cylinder brush causes the machinery to the crystal element. The problem of scratching improves the cleaning capacity and service life of the cylindrical brush and the entire cleaning device.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置。
技术介绍
化学机械研磨(chemicalmechanicalpolish，CMP)是通过研磨液与晶元表面材料之间的化学反应及研磨垫与晶元表面材料之间的机械力的作用将晶元表面磨平，从而实现晶元表面平坦化以满足半导体芯片设计的技术要求。经过化学机械研磨的晶元表面产生的污染颗粒是由清洗装置通过清洗步骤清理的，清洗装置是由旋转的圆筒毛刷通过夹紧旋转的晶圆来实现，其中，晶元在一旋转组件的夹持下在垂直面上旋转，晶元垂直于清洁台面，圆筒毛刷对称设置在晶元两侧并旋转，圆筒毛刷的旋转中心轴与清洗装置的清洁台面平行，晶元两侧还对称设有化学喷射装置，通过化学喷射装置对晶元进行去离子水清洗以达到清洗晶元表面污染颗粒的目的。为满足工艺需求,晶元边缘会进行切割(trim)，以附图1为例，切割后的晶元边缘形成一宽度为2.4mm的环形凹槽(边缘切割部分)，位于环形凹槽处的晶元厚度相比其内侧的晶元厚度要小。由于技术的局限性，经过切割后的晶元边缘仍会存在或多或少的晶元边缘剥落问题，当采用前述的清洗装置进行清洗时，圆筒毛刷接触到晶元边缘，圆筒毛刷突起的部分将会造成晶元边缘的二次伤害，而且晶元边缘剥落的碎屑可能污染到整支圆筒毛刷，直接影响到圆筒毛刷的后续清洗能力。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本技术提供了一种能够避免圆筒毛刷对晶元的边缘切割部分造成二次伤害、避免圆筒毛刷被晶元边缘脱落污染以及避免受污染后的圆筒毛刷对晶元造成机械划伤的适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置。以下对本申请的实施例进行详细说明，但是本申请可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。本技术采用如下技术方案：一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置，所述清洁装置设置在清洁台面上，经过边缘切割的晶元具有一切割宽度，所述清洗装置包括：晶元旋转组件，所述晶元旋转组件设置在所述清洁台面上，所述晶元旋转组件连接所述晶元并旋转所述晶元；圆筒毛刷，所述圆筒毛刷位于在所述晶元下方，所述圆筒毛刷与所述晶元接触并旋转；圆筒毛刷旋转组件，所述圆筒毛刷旋转组件设置在所述清洁台面上，所述圆筒毛刷旋转组件连接所述圆筒毛刷；清洁海绵，所述清洁海绵位于所述晶元上方，所述清洁海绵与所述晶元接触并在所述晶元上方由外向内沿预设起点至预设终点方向运动，所述预设起点位于所述晶元上且与所述晶元的边缘具有一预设距离，所述预设距离大于所述切割宽度；清洁海绵移动组件，所述清洁海绵移动组件设置在所述清洁台面上，所述清洁海绵移动组件连接所述清洁海绵；喷射组件，所述喷射组件位于所述晶元上方。优选的，所述晶元在所述晶元旋转组件的夹持下与所述清洁台面平行且以与所述清洁台面垂直的纵向轴线为中心轴旋转。优选的，所述圆筒毛刷在所述圆筒毛刷旋转组件的夹持下与所述清洁台面平行且以与所述清洁台面平行的横向轴线为中心轴旋转。优选的，所述预设终点为所述晶元的中心。优选的，所述切割宽度为2.4mm。优选的，所述预设距离为3mm。优选的，所述清洁海绵移动组件包括：驱动单元；支杆，所述支杆垂直设置在所述清洁台面上；连杆，所述连杆位于所述晶元上方且与所述晶元平行，所述连杆两端分别连接所述驱动单元的动力端和所述清洁海绵，所述连杆还连接在所述支杆上并以所述支杆为支点旋转。优选的，所述喷射组件包括：输送管；喷头，所述喷头连接所述输送管，所述喷头下方设置至少一个喷嘴。本技术的有益效果：避免现有技术中存在的，由于圆筒毛刷接触晶元的边缘切割部分而导致的圆筒毛刷对晶元表面造成二次伤害、晶元边缘脱落污染圆筒毛刷影响圆筒毛刷清洁能力以及受到污染的圆筒毛刷对晶元造成机械划伤的问题，提高圆筒毛刷以及整个清洁装置的清洁能力和使用寿命。附图说明图1为本技术的一种优选实施例中，经过边缘切割的晶元的结构示意图；图2为本技术的一种优选实施例中，一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置的结构示意图之一；图3为本技术的一种优选实施例中，一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置的结构示意图之二。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，下述技术方案，技术特征之间可以相互组合。下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步的说明：如图1-3所示，一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置，上述清洁装置设置在清洁台面3上，经过边缘切割的晶元2具有一切割宽度，上述清洗装置包括：晶元旋转组件4，上述晶元旋转组件4设置在上述清洁台面3上，上述晶元旋转组件4连接上述晶元2并旋转上述晶元2；圆筒毛刷6，上述圆筒毛刷6位于在上述晶元2下方，上述圆筒毛刷6与上述晶元2接触并旋转；圆筒毛刷旋转组件5，上述圆筒毛刷旋转组件5设置在上述清洁台面3上，上述圆筒毛刷旋转组件5连接上述圆筒毛刷6；清洁海绵8，上述清洁海绵8位于上述晶元2上方，上述清洁海绵8与上述晶元2接触并在上述晶元2上方由外向内沿预设起点13至预设终点14方向运动，上述预设起点13位于上述晶元2上且与上述晶元2的边缘具有一预设距离，上述预设距离大于上述切割宽度；清洁海绵移动组件7，上述清洁海绵移动组件7设置在上述清洁台面3上，上述清洁海绵移动组件7连接上述清洁海绵8；喷射组件9，上述喷射组件9位于上述晶元2上方。在本实施例中，晶元旋转组件4夹持晶元2并使晶元2在清洁平台3上方旋转，晶元2下方设置圆筒毛刷6，圆筒毛刷6在圆筒毛刷旋转组件5的夹持下与晶元2接触并旋转，晶元2上方设置清洁海绵8，清洁海绵8在清洁海绵移动组件7的驱动下与晶元2接触并沿晶元2表面的预设起点13至预设终点14方向运行以清扫晶元2表面，由于上述预设起点13与上述晶元2的边缘之间的预设距离大于上述切割宽度，能够避免清洁装置在对晶元2进行清洁时接触到晶元2的边缘切割部分，避免现有技术中存在的，由于圆筒毛刷接触晶元2的边缘切割部分而导致的圆筒毛刷对晶元2表面造成二次伤害、晶元边缘脱落污染圆筒毛刷影响圆筒毛刷清洁能力以及受到污染的圆筒毛刷对晶元2造成机械划伤的问题，提高圆筒毛刷以及整个清洁装置的清洁能力和使用寿命。另外，通过喷射组件9喷出的化学剂来对晶元2进行清洗。较佳的实施例中，上述晶元2在上述晶元旋转组件4的夹持下与上述清洁台面3平行且以与上述清洁台面3垂直的纵向轴线为中心轴旋转。较佳的实施例中，上述圆筒毛刷6在上述圆筒毛刷旋转组件5的夹持下与上述清洁台面3平行且以与上述清洁台面3平行的横向轴线为中心轴旋转。较佳的实施例中，上述预设终点14为上述晶元2的中心。较佳的实施例中，上述切割宽度为2.4mm(如图1所示)。较佳的实施例中，上述预设距离为3mm。较佳的实施例中，上述清洁海绵移动组件7包括：驱动单元(图中未示出)；支杆10，上述支杆10垂直设置在上述清洁台面3上；连杆11，上述连杆11位于上述晶元2上方且与上述晶元2平行，上述连杆11两端分别连接上述驱动单元的动力端和上述清洁海绵8，上述连杆11还连接在上述支杆10上并以上述支杆10为支点旋转。在本实施例中，清洁海绵8在清洁海绵移动组件7的作用在预设起点13和预设终点14之间可以进行往复多次运动也就可以进行单向单次运动，在进行往复运动时，只有在由外向内时清洁海绵8与晶元2接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置，所述清洁装置设置在清洁台面上，经过边缘切割的晶元具有一切割宽度，其特征在于，所述清洗装置包括：晶元旋转组件，所述晶元旋转组件设置在所述清洁台面上，所述晶元旋转组件连接所述晶元并旋转所述晶元；圆筒毛刷，所述圆筒毛刷位于在所述晶元下方，所述圆筒毛刷与所述晶元接触并旋转；圆筒毛刷旋转组件，所述圆筒毛刷旋转组件设置在所述清洁台面上，所述圆筒毛刷旋转组件连接所述圆筒毛刷；清洁海绵，所述清洁海绵位于所述晶元上方，所述清洁海绵与所述晶元接触并在所述晶元上方由外向内沿预设起点至预设终点方向运动，所述预设起点位于所述晶元上且与所述晶元的边缘具有一预设距离，所述预设距离大于所述切割宽度；清洁海绵移动组件，所述清洁海绵移动组件设置在所述清洁台面上，所述清洁海绵移动组件连接所述清洁海绵；喷射组件，所述喷射组件位于所述晶元上方。

【技术特征摘要】
1.一种适用于经过边缘切割的晶元的清洗装置，所述清洁装置设置在清洁台面上，经过边缘切割的晶元具有一切割宽度，其特征在于，所述清洗装置包括：晶元旋转组件，所述晶元旋转组件设置在所述清洁台面上，所述晶元旋转组件连接所述晶元并旋转所述晶元；圆筒毛刷，所述圆筒毛刷位于在所述晶元下方，所述圆筒毛刷与所述晶元接触并旋转；圆筒毛刷旋转组件，所述圆筒毛刷旋转组件设置在所述清洁台面上，所述圆筒毛刷旋转组件连接所述圆筒毛刷；清洁海绵，所述清洁海绵位于所述晶元上方，所述清洁海绵与所述晶元接触并在所述晶元上方由外向内沿预设起点至预设终点方向运动，所述预设起点位于所述晶元上且与所述晶元的边缘具有一预设距离，所述预设距离大于所述切割宽度；清洁海绵移动组件，所述清洁海绵移动组件设置在所述清洁台面上，所述清洁海绵移动组件连接所述清洁海绵；喷射组件，所述喷射组件位于所述晶元上方。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述晶元在所述晶元旋转组件的夹持下与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王力，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42