一种缓冲开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种缓冲开关电路，包括三极管Q1，所述三极管Q1包括集电极d、基级b和发射级s，所述集电极d与电源正极连接，所述集电极d与电源正极之间设置有电感L1，所述电感L1且远离电源正极的一端与二极管D1连接，所述基级b与电容C3连接，所述电容C3和所述发射级s与电感L3连接，所述电感L3与电源负极连接，所述二极管D1且远离所述电感L1的一端与电容C2和电感L2连接，所述电容C2与所述电感L3且远离电源负极的一端连接，所述电感L2且远离所述二极管D1的一端与电容C1和电阻R1连接，所述电感L1且靠近电源正极的一端与电感L4和电阻R2连接。有益效果：从而减少导通或关断损耗，降低电压和电流尖峰，进而改善电路性能。

【技术实现步骤摘要】
一种缓冲开关电路
本专利技术涉及电器领域，具体来说，涉及一种缓冲开关电路。
技术介绍
缓冲电路又称为吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控器件的应用技术中，起着更重要的作用。由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振，如果尖峰电压过高，就会损坏开关管，同时，振的存在也会使输出纹波增大，为了降低关断损耗和尖峰电压，需要在开关管路两端并联缓冲电路以改善电路的能，但是，传统的减少导通或关断损耗的效果不好，降低电压或电流尖峰不明显，使得，设计一种缓冲开关电路是必要的。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本专利技术提出一种缓冲开关电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种缓冲开关电路，包括三极管Q1，所述三极管Q1包括集电极d、基级b和发射级s，所述集电极d与电源正极连接，所述集电极d与电源正极之间设置有电感L1，所述电感L1且远离电源正极的一端与二极管D1连接，所述基级b与电容C3连接，所述电容C3和所述发射级s与电感L3连接，所述电感L3与电源负极连接，所述二极管D1且远离所述电感L1的一端与电容C2和电感L2连接，所述电容C2与所述电感L3且远离电源负极的一端连接，所述电感L2且远离所述二极管D1的一端与电容C1和电阻R1连接，所述电感L1且靠近电源正极的一端与电感L4和电阻R2连接，所述电感L4和所述电阻R2且靠近电源负极的一端之间设置有二极管D2，所述电阻R2与电源负极连接，所述电阻R2与电源负极之间设置有电容C4，所述电感L4与电源负极连接，所述电感L4与电源负极之间设置有二极管D3。进一步的，所述电容C1的大小为22μF，所述电容C2的大小为10nF，所述电容C3的大小为10μF，所述电容C4的大小为10μF。进一步的，所述电感L1的大小为310μH，所述电感L2的大小为20nH，所述电感L3的大小为20nH，所述电感L4的大小为100μH。进一步的，所述电阻R1的大小为160Ω，所述电阻R2的大小为10Ω。进一步的，所述电容C1、所述电阻R1的一端接地，所述电感L3且靠近电源负极的一端接地。进一步的，所述三极管Q1的极限电压为600V，所述三极管Q1的极限电流为20A。进一步的，所述二极管D1的最大电压为600V，所述二极管D1的最大电流为15A，所述二极管D1的反向恢复时间为60ns。本专利技术的有益效果：通过把三极管Q1、二极管D1和电容C2，组成一个在布线上尽可能简短的吸收回路，同时将三极管Q1和二极管D1的电压尖峰减少到最低程度，同时缓冲电路中电容L4与二极管D3可关断晶闸管串联，使得二极管D3可关断晶闸管能够抑制导通时的电流上升率，电容C4和二极管D2组成关断吸收电路，抑制关断时端电压的上升率，从而减少导通或关断损耗，降低电压和电流尖峰，进而改善电路性能。另外，通过把电容C1的大小为22μF，电容C2的大小为10nF，电容C3的大小为10μF，电容C4的大小为10μF，电感L1的大小为310μH，电感L2的大小为20nH，电感L3的大小为20nH，电感L4的大小为100μH，电阻R1的大小为160Ω，电阻R2的大小为10Ω，电容C1和电阻R1的一端接地，电感L3且靠近电源负极的一端接地，三极管Q1的极限电压为600V，三极管Q1的极限电流为20A，二极管D1的最大电压为600V，二极管D1的最大电流为15A，二极管D1的反向恢复时间为60ns，使得电路更加合理，使用更加安全。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本专利技术实施例的一种缓冲开关电路的电路图。图中：1、三极管Q1；2、集电极d；3、基级b；4、发射级s；5、电感L1；6、二极管D1；7、电容C3；8、电感L3；9、电容C2；10、电感L2；11、电容C1；12、电阻R1；13、电感L4；14、电阻R2；15、二极管D2；16、电容C4；17、二极管D3。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。根据本专利技术的实施例，提供了一种缓冲开关电路。如图1所示，根据本专利技术实施例的一种缓冲开关电路，包括三极管Q11，所述三极管Q11包括集电极d2、基级b3和发射级s4，所述集电极d2与电源正极连接，所述集电极d2与电源正极之间设置有电感L15，所述电感L15且远离电源正极的一端与二极管D16连接，所述基级b3与电容C37连接，所述电容C37和所述发射级s4与电感L38连接，所述电感L38与电源负极连接，所述二极管D16且远离所述电感L15的一端与电容C29和电感L210连接，所述电容C29与所述电感L38且远离电源负极的一端连接，所述电感L210且远离所述二极管D16的一端与电容C111和电阻R112连接，所述电感L15且靠近电源正极的一端与电感L413和电阻R214连接，所述电感L413和所述电阻R214且靠近电源负极的一端之间设置有二极管D215，所述电阻R214与电源负极连接，所述电阻R214与电源负极之间设置有电容C416，所述电感L413与电源负极连接，所述电感L413与电源负极之间设置有二极管D317。借助于上述技术方案，通过把三极管Q11、二极管D16和电容C29，组成一个在布线上尽可能简短的吸收回路，同时将三极管Q11和二极管D16的电压尖峰减少到最低程度，同时缓冲电路中电容L413与二极管D317可关断晶闸管串联，使得二极管D317可关断晶闸管能够抑制导通时的电流上升率，电容C416和二极管D215组成关断吸收电路，抑制关断时端电压的上升率，从而减少导通或关断损耗，降低电压和电流尖峰，进而改善电路性能。此外，通过把电容C111的大小为22μF，电容C29的大小为10nF，电容C37的大小为10μF，电容C416的大小为10μF，电感L15的大小为310μH，电感L210的大小为20nH，电感L38的大小为20nH，电感L413的大小为100μH，电阻R112的大小为160Ω，电阻R212的大小为10Ω，电容C111和电阻R112的一端接地，电感L38且靠近电源负极的一端接地，三极管Q11的极限电压为600V，三极管Q11的极限电流为20A，二极管D16的最大电压为600V，二极管D16的最大电流为15A，二极管D16的反向恢复时间为60ns，使得电路更加合理，使用更加安全。综上所述，借助于本专利技术的上述技术方案，通过把三极管Q11、二极管D16和电容C29，组成一个在布线上尽可能简短的吸收回路，同时将三极管Q11和二极管D16的电压尖峰减少到最低程度，同时缓冲电路中电容L413与二极管D317可关断晶闸管串联，使得二极管D317可关断本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓冲开关电路，其特征在于，包括三极管Q1(1)，所述三极管Q1(1)包括集电极d(2)、基级b(3)和发射级s(4)，所述集电极d(2)与电源正极连接，所述集电极d(2)与电源正极之间设置有电感L1(5)，所述电感L1(5)且远离电源正极的一端与二极管D1(6)连接，所述基级b(3)与电容C3(7)连接，所述电容C3(7)和所述发射级s(4)与电感L3(8)连接，所述电感L3(8)与电源负极连接，所述二极管D1(6)且远离所述电感L1(5)的一端与电容C2(9)和电感L2(10)连接，所述电容C2(9)与所述电感L3(8)且远离电源负极的一端连接，所述电感L2(10)且远离所述二极管D1(6)的一端与电容C1(11)和电阻R1(12)连接，所述电感L1(5)且靠近电源正极的一端与电感L4(13)和电阻R2(14)连接，所述电感L4(13)和所述电阻R2(14)且靠近电源负极的一端之间设置有二极管D2(15)，所述电阻R2(14)与电源负极连接，所述电阻R2(14)与电源负极之间设置有电容C4(16)，所述电感L4(13)与电源负极连接，所述电感L4(13)与电源负极之间设置有二极管D3(17)。...

【技术特征摘要】
1.一种缓冲开关电路，其特征在于，包括三极管Q1(1)，所述三极管Q1(1)包括集电极d(2)、基级b(3)和发射级s(4)，所述集电极d(2)与电源正极连接，所述集电极d(2)与电源正极之间设置有电感L1(5)，所述电感L1(5)且远离电源正极的一端与二极管D1(6)连接，所述基级b(3)与电容C3(7)连接，所述电容C3(7)和所述发射级s(4)与电感L3(8)连接，所述电感L3(8)与电源负极连接，所述二极管D1(6)且远离所述电感L1(5)的一端与电容C2(9)和电感L2(10)连接，所述电容C2(9)与所述电感L3(8)且远离电源负极的一端连接，所述电感L2(10)且远离所述二极管D1(6)的一端与电容C1(11)和电阻R1(12)连接，所述电感L1(5)且靠近电源正极的一端与电感L4(13)和电阻R2(14)连接，所述电感L4(13)和所述电阻R2(14)且靠近电源负极的一端之间设置有二极管D2(15)，所述电阻R2(14)与电源负极连接，所述电阻R2(14)与电源负极之间设置有电容C4(16)，所述电感L4(13)与电源负极连接，所述电感L4(13)与电源负极之间设置有二极管D3(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜浩华，
申请(专利权)人：海宁海微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33