一种电流基准电路制造技术

本实用新型专利技术的电流基准电路，左支路经由PMOS管PM4连接于NMOS管NM1并接地；右支路经由PMOS管PM5连接于NMOS管NM2、并经由NMOS管NM0并接地；所述PMOS管PM4和所述PMOS管PM5相连接的节点连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点；所述NMOS管NM0还经由NM0的栅源电压VGS接地。本实用新型专利技术使用了较少的MOS管，电路结构比较简单，电路面积比较小，具有很低的温度系数，高的电源抑制比。本实用新型专利技术的功耗很低。

A current reference circuit

A current reference circuit of the utility model, the left branch is connected to the NMOS tube NM1 and grounded via the PMOS tube PM4, and the right branch is connected to the NMOS tube NM2 via the PMOS tube PM5 and via the NMOS tube NM0 and connected to the ground. The nodes connected by the OS tube NM1 and the NMOS tube NM2 are connected to the nodes connected by the PMOS tube PM4 and the NMOS tube NM1, and the NMOS tube NM0 is also grounded via the NM0 gate source voltage. The utility model uses fewer MOS tubes, and the circuit structure is relatively simple, the circuit area is relatively small, and has a very low temperature coefficient and a high power supply rejection ratio. The power consumption of the utility model is very low.

【技术实现步骤摘要】
一种电流基准电路
技术涉及模拟、射频微电子电路
，尤其是一种电流基准电路。
技术介绍
电压基准和电流基准是模拟集成电路中不可或缺的基本单元，基准电路对其他电路模块的性能有着很大的影响。对基准电路的最基本要求是PVT(工艺、电压、温度)无关。电压基准的理论比较成熟，通常采用带隙结构，基准电压直接来源于硅的能带隙。实际上并不存在电流基准，它通常由带隙电压基准和一到两个电阻的组合来得到。这种方案主要存在以下一些问题：1)带隙基准电路中往往会使用寄生三极管(bjt)，bjt需要消耗比较大的版图面积，此外，目前通用的cmos工艺中，bjt的模型往往很难建立，准确性不高，这不利于电路的设计。2)通常的带隙基准电路比较复杂，一般都会使用运放。3)通常的带隙基准电路为了得到比较好的性能，往往消耗比较大的功耗。4)在目前集成电路工艺中，电阻的变化范围约为20％左右，影响电流基准的准确性、使电流基准受PVT的影响很大。5)低功耗电路所需的基准电流很小，会使用较大的电阻，需要消耗比较大的版图面积。
技术实现思路
为了解决提供随PVT变化很小的基准电流、减小电流基准电路的复杂性、减小电流基准电路的功耗以及减小电流基准电路的面积等问题，本技术提供一种电流基准电路，用在低功耗电路中，用来产生200nA的基准电流。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种电流基准电路，包括有两主支路，其中，左支路经由PMOS管PM4连接于NMOS管NM1并接地；右支路经由PMOS管PM5连接于NMOS管NM2、并经由NMOS管NM0并接地；所述PMOS管PM4和所述PMOS管PM5相连接的节点连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点；所述NMOS管NM0还经由NM0的栅源电压VGS接地。本技术还具有以下附加技术特征：作为本技术方案进一步具体优化的，还包括有与两主支路并联连接的两次支路，其中，左支路经由PMOS管PM6连接于NMOS管NM4并经由NMOS管NM3接地；右支路经由PMOS管PM7连接于NMOS管NM5并经由NMOS管NM3接地；所述PMOS管PM6和所述PMOS管PM7相连接的节点连接于所述PMOS管PM7和所述NMOS管NM5相连接的节点。作为本技术方案进一步具体优化的，所述NMOS管NM4分别连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点和所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM5连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM3连接于所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点经由电容C连接于所述PMOS管PM6和所述NMOS管NM4相连接的节点。作为本技术方案进一步具体优化的，电流基准电路中的部分结构根据连接原理做同等替换，形成若干条并联连接的电流基准电路。本技术和现有技术相比，其优点在于：本技术使用了较少的MOS管，电路结构比较简单，电路面积比较小。本技术具有宽的输入电压范围，从0.7V-3.3V。本技术产生的基准电流受PVT的影响很小，具有很低的温度系数，高的电源抑制比。本技术的功耗很低。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的原理一示意图；图2为本技术的原理一仿真示意图；图3为本技术的原理二示意图；图4为本技术的原理二仿真示意图；图5为本技术的原理三示意图；图6为本技术的最终实现示意图；图7为本技术的产生的基准电流不同corner下的温度系数示意图；图8为本技术的产生的基准电流的电源抑制比示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。一种电流基准电路，包括有两主支路，其中，左支路经由PMOS管PM4连接于NMOS管NM1并接地；右支路经由PMOS管PM5连接于NMOS管NM2、并经由NMOS管NM0并接地；所述PMOS管PM4和所述PMOS管PM5相连接的节点连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点；所述NMOS管NM0还经由NM0的栅源电压VGS接地。电流基准电路还包括有与两主支路并联连接的两次支路，其中，左支路经由PMOS管PM6连接于NMOS管NM4并经由NMOS管NM3接地；右支路经由PMOS管PM7连接于NMOS管NM5并经由NMOS管NM3接地；所述PMOS管PM6和所述PMOS管PM7相连接的节点连接于所述PMOS管PM7和所述NMOS管NM5相连接的节点。所述NMOS管NM4分别连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点和所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM5连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM3连接于所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点经由电容C连接于所述PMOS管PM6和所述NMOS管NM4相连接的节点。电流基准电路中的部分结构根据连接原理做同等替换，形成若干条并联连接的电流基准电路。实施例本技术原理一：本技术原理一从Widlar电流源发展而来，如图1所示。在图1中，电阻R被一个工作在线性区的MOS管NM0代替，NM1和NM2工作在亚阈值区，PM4和PM5工作在饱和区。NM0等效阻值为：W/L：NM0的宽长比；μ：电子迁移率；Cox:栅氧化层单位面积电容；VGS:NM0的栅源电压；VTH：MOS管阈值电压；由于NM1和NM2都工作在亚阈值区，流过它们的电流为：η：工艺常数VT：热电压常数NM1和NM2的栅源电压差加在等效电阻RNM0上，产生基准电流：电子迁移率μ随温度的变化关系是：μ0：室温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流基准电路，其特征在于，包括有两主支路，其中，左支路经由PMOS管PM4连接于NMOS管NM1并接地；右支路经由PMOS管PM5连接于NMOS管NM2、并经由NMOS管NM0并接地；所述PMOS管PM4和所述PMOS管PM5相连接的节点连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点；所述NMOS管NM0还经由NM0的栅源电压VGS接地。

【技术特征摘要】
1.一种电流基准电路，其特征在于，包括有两主支路，其中，左支路经由PMOS管PM4连接于NMOS管NM1并接地；右支路经由PMOS管PM5连接于NMOS管NM2、并经由NMOS管NM0并接地；所述PMOS管PM4和所述PMOS管PM5相连接的节点连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点；所述NMOS管NM0还经由NM0的栅源电压VGS接地。2.根据权利要求1所述的一种电流基准电路，其特征在于，还包括有与两主支路并联连接的两次支路，其中，左支路经由PMOS管PM6连接于NMOS管NM4并经由NMOS管NM3接地；右支路经由P...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱林，袁永斌，廖宝斌，
申请(专利权)人：贵州木弓贵芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州,52