具有纳米材料的导电箔及其制作方法，及电容器封装结构技术

本发明专利技术公开一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。具有纳米材料的导电箔包括一金属基层结构以及一复合式纳米材料结构。复合式纳米材料结构设置在金属基层结构上。复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，石墨材料的其余部分形成一设置在金属基层结构与石墨烯层之间的石墨层，且复合式纳米材料结构由石墨层以及石墨烯层所构成。借此，以降低导电箔的阻抗并提升使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构的整体电气性能。

【技术实现步骤摘要】
具有纳米材料的导电箔及其制作方法，及电容器封装结构
本专利技术涉及一种导电箔及其制作方法，以及一种电容器封装结构，特别是涉及一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。
技术介绍
电容器已广泛被使用于消费性家电用品、计算机主板、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件，其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等等，是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质以及用途，有不同的形态，包括有铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、卷绕型或堆叠型固态电解电容器以及薄膜电容等等。现有技术中，卷绕型固态电解电容器包括有电容器组件、收容构件以及封口构件。电容器组件隔着绝缘件将一连接阳极端子的阳极箔与一连接阴极端子的阴极箔进行卷绕。收容构件具有开口部且可收容电容器组件。封口构件具有一可供阳极端子及阴极端子贯穿的贯穿孔以及一可密封收容构件的封口部。然而，为了降低阳极箔与阴极箔的阻抗并提升现有的卷绕型固态电解电容器的电气性能，卷绕型固态电解电容器的阳极箔与阴极箔还具有改善空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种具有纳米材料的导电箔，其包括：一金属基层结构以及一复合式纳米材料结构。所述复合式纳米材料结构设置在所述金属基层结构上。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。更进一步地，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。更进一步地，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是，提供一种具有纳米材料的导电箔的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一金属基层结构；接着，形成一石墨材料于所述金属基层结构上；然后，形成一复合式纳米材料结构于所述金属基层结构上。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是，提供一种卷绕型电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装体以及至少两个导电引脚。所述卷绕型电容器包括至少两个导电箔以及两个隔离纸。每一个所述导电箔包括一金属基层结构以及一设置在所述金属基层结构上的复合式纳米材料结构。两个所述隔离纸的其中之一设置于至少两个所述导电箔之间。所述封装体包覆整个所述卷绕型电容器。至少两个所述导电引脚分别电性连接于至少两个导电箔，其中，每一个所述导电引脚具有一电性连接于相对应的所述导电箔且被所述封装体所包覆的内埋部以及一连接于所述内埋部且裸露在所述封装体的外部的外露部。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。更进一步地，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。更进一步地，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。本专利技术的有益效果在于，本专利技术技术方案所提供的具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及卷绕型电容器封装结构，其可通过“所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，且所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层”以及“所述石墨层以及所述石墨烯层构成一设置在所述金属基层结构上的复合式纳米材料结构”的技术特征，以降低所述导电箔的阻抗并提升所述卷绕型电容器封装结构的整体电气性能。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为本专利技术第一实施例至第四实施例的导电箔的制作方法的流程图。图2为本专利技术第一实施例的导电箔的制作方法的步骤S100(A)的示意图。图3为本专利技术第一实施例的导电箔的制作方法的步骤S102的示意图。图4为本专利技术第一实施例的导电箔的示意图。图5为本专利技术第一实施例所公开的另一种导电箔的示意图。图6为本专利技术第二实施例的导电箔的制作方法的步骤S100(B)的示意图。图7为本专利技术第二实施例的导电箔的制作方法的步骤S102的示意图。图8为本专利技术第二实施例的导电箔的示意图。图9为本专利技术第二实施例所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述具有纳米材料的导电箔包括：一金属基层结构；以及一复合式纳米材料结构，所述复合式纳米材料结构设置在所述金属基层结构上；其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。

【技术特征摘要】
1.一种具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述具有纳米材料的导电箔包括：一金属基层结构；以及一复合式纳米材料结构，所述复合式纳米材料结构设置在所述金属基层结构上；其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。2.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。3.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。4.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。5.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。6.一种具有纳米材料的导电箔的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括下列步骤：提供一金属基层结构；形成一石墨材料于所述金属基层结构上；以及所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，其中，所述石墨层以及所述石墨烯层构成一设置在所述金属基层结构上的复合式纳米材料结构。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：钱明谷，梁名琮，
申请(专利权)人：钰邦电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32