铸造多晶硅的坩埚制造技术

本实用新型专利技术涉及硅生产用器具。一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层和铺设在黑色氮化硅粉层上的多晶硅层。本实用新型专利技术提供了一种铸造多晶硅的坩埚，以解决现有的坩埚铸造多晶硅时不能够在初始长晶时生长出晶体均匀的多晶小晶粒晶核的问题。

Cast polycrystalline silicon crucible

The utility model relates to an appliance for the production of silicon. A crucible for casting polysilicon consists of a crucible body. The inner surface of the bottom wall of the crucible body is provided with a black silicon nitride powder layer and a polysilicon layer laid on the black silicon nitride powder layer. The utility model provides a cast polysilicon crucible to solve the problem that when the existing crucible is cast polysilicon, it is not possible to grow a homogeneous polycrystalline small grain nucleation in the initial crystal.

【技术实现步骤摘要】
铸造多晶硅的坩埚
本技术涉及硅生产用器具，尤其涉及一种铸造多晶硅的坩埚。
技术介绍
能源问题是当今世界上最大的热点问题之一。传统能源的大量使用，致使世界能源存储量急剧下降，而且使环境污染问题日趋严重，对人类社会的发展构成严重的危害，新兴无污染能源就成了能源技术发展的必然趋势。太阳能是长久性的绿色能源之一，在太阳能利用中，光伏电池是目前最主要的一种产品，硅晶体是光伏电池生产的基础材料。硅晶体包括单晶体、多晶体，单晶体与多晶体的区别在于它们的原子结构排列不同，单晶体的原子结构排列是晶核长成晶面取向相同的有序排列，而多晶体的的原子结构排列是晶核长成晶面取向不同的无序排列，两者主要是由它们的加工工艺决定的。多晶硅生产时需要用到坩埚。如在中国专利号为2013205686973的专利文件中公开的一种现有的生产多晶硅用的坩埚。现有的坩埚进行铸造多晶硅时不能够在初始长晶时生长出晶体均匀的多晶小晶粒晶核。
技术实现思路
本技术提供了一种铸造多晶硅的坩埚，以解决现有的坩埚铸造多晶硅时不能够在初始长晶时生长出晶体均匀的多晶小晶粒晶核的问题。以上技术问题是通过下列技术方案解决的：一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层和铺设在黑色氮化硅粉层上的多晶硅层。设置黑色氮化硅粉层和多晶硅层，能够使得在初始长晶时能够生长出晶体均匀的多晶小晶粒晶核，对后期长晶起着初始引导作用。从而使得铸造出的多晶硅的缺陷少。作为优选，所述多晶硅层的厚度为1-5毫米。能够进一步提高在初始长晶时生长出晶体均匀的多晶小晶粒晶核的效果。作为优选，所述坩埚本体包括内锅和套设在内锅上的外锅，所述黑色氮化硅粉层设置在所述内锅的底壁的内表面。当坩埚不用于生产多晶硅即无需引导长出晶体均匀的多晶小晶粒晶核时，取出内锅，单独使用外锅即可，从而通过了本技术的通用性。作为优选，所述内锅和外锅之间填充有锡层。能够提高使用时内锅和外锅之间的导热效果。本技术具有下述优点：能够在初始长晶时生长出晶体均匀的多晶小晶粒晶核，对后期长晶起着初始引导作用。附图说明图1为本技术实施例一的示意图。图2为本技术实施例六的示意图。图中：坩埚本体7、黑色氮化硅粉层71、多晶硅层72、内锅73、外锅74、锡层75。具体实施方式下面结合附图与实施例对本技术作进一步的说明。实施例一，参见图1，一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体7。坩埚本体7的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层71。黑色氮化硅粉层71上铺设有多晶硅层72。多晶硅层72的厚度为1毫米。实施例二，一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体。坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层。黑色氮化硅粉层上铺设有多晶硅层。多晶硅层的厚度为2毫米。实施例三，一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体。坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层。黑色氮化硅粉层上铺设有多晶硅层。多晶硅层的厚度为3毫米。实施例四，一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体。坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层。黑色氮化硅粉层上铺设有多晶硅层。多晶硅层的厚度为4毫米。实施例五，一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体。坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层。黑色氮化硅粉层上铺设有多晶硅层。多晶硅层的厚度为5毫米。实施例六，参见图2，一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体7。坩埚本体7包括内锅73和套设在内锅上的外锅74。内锅73和外锅74之间填充有锡层75，即内锅73和外锅74通过锡层75连接在一起。内锅73的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层71。黑色氮化硅粉层71上铺设有多晶硅层72。多晶硅层72的厚度为1毫米。实施例七，一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体。坩埚本体包括内锅和套设在内锅上的外锅。内锅和外锅之间填充有锡层，即内锅和外锅通过锡层连接在一起。内锅的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层。黑色氮化硅粉层上铺设有多晶硅层。多晶硅层的厚度为3毫米。实施例八，同实施例六的不同之处为：多晶硅层的厚度为5毫米。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体，其特征在于，所述坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层和铺设在黑色氮化硅粉层上的多晶硅层，所述坩埚本体包括内锅和套设在内锅上的外锅，所述黑色氮化硅粉层设置在所述内锅的底壁的内表面，所述内锅和外锅之间填充有锡层。

【技术特征摘要】
1.一种铸造多晶硅的坩埚，包括坩埚本体，其特征在于，所述坩埚本体的底壁内表面设有黑色氮化硅粉层和铺设在黑色氮化硅粉层上的多晶硅层，所述坩埚本体包括内锅和套设在内锅上的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：马标，张立新，
申请(专利权)人：浙江绿谷光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33