具有高效率的有机发光元件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有高效率、能够低电压驱动以及长寿命的有机发光元件，尤其涉及一种如下的有机发光元件，其依次包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及发光层及电子密度调节层，在所述第一电极与所述第二电极之间形成，所述发光层包括一种以上的用[化学式A]或者[化学式B]表示的胺化合物，并且所述电子密度调节层包括一种以上的用[化学式F]至[化学式H]中的任意一个表示的化合物，所述[化学式A]、[化学式B]及[化学式F]至[化学式H]的结构与本发明专利技术的详细说明中记载的内容相同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高效率的有机发光元件
本专利技术涉及一种有机发光元件，尤其涉及一种如下的具有高效率及低电压驱动特性的有机发光元件：在有机发光元件内的发光层使用具有特定结构的发光材料，并且在发光层和电子注入层之间导入具有用于增加有机发光元件的效率的特定结构的电子密度调节层。
技术介绍
有机发光元件(organiclightemittingdiode)是自发光型元件，不仅视角宽且对比度出色，且响应时间短，而且具有亮度、驱动电压以及响应速度特性出色、且可多色化的优点。通常的有机发光元件包括发出光的有机发光层以及隔着有机发光层彼此对向的阳极(anode)与阴极(cathode)。更加具体地说，所述有机发光元件可以具有在所述阳极上部依次形成有空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极的结构。其中，空穴传输层、发光层和电子传输层是由有机化合物组成的有机薄膜。具有如上所述的结构的有机发光元件的驱动原理如下。如果向所述阳极及阴极之间施加电压，则从阳极注入的空穴经过空穴传输层而向发光层移动，从阴极注入的电子经过电子传输层而向发光层移动。如所述空穴及电子等载体在发光层区域再结合而生成激子(exciton)。随着该激子从激发态转变为基态而生成光。另外，在有机发光元件中，作为有机物层使用的材料根据其功能，可以分类为发光材料和电荷传输材料，例如，空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。所述发光材料根据发光原理可以分类为源于电子的单重激发态的荧光材料与源于电子的三重激发态的磷光材料。并且，在作为发光材料而只使用一种物质的情况下，因分子间相互作用而使最大发光波长移向长波长，并使色纯度降低或者因发光衰减效应而引发元件效率降低的问题，因此为了增加色纯度并增加通过能量转移的发光效率，可使用主体-掺杂剂系统作为发光材料。其原理在于，如果将相比形成发光层的主体而言能带间隙更小的掺杂剂少量混合到发光层，则从发光层发生的激子被输送到掺杂剂，从而发射高效率的光。此时，由于主体的波长移动到掺杂剂的波长带，因此可根据所利用的掺杂剂种类而获得所期望的波长的光。作为与这种发光层中的掺杂剂化合物相关的现有技术，韩国公开专利公报第10-2008-0015865(2008.02.20)号中公开有利用了结合有芳胺的茚并芴衍生物等的有机发光元件，韩国公开专利公报第10-2012-0047706号(20012.05.14)中公开有利用一个分子内二苯并呋喃或者二苯并噻吩与芴同时存在、或者苯并呋喃或二苯并噻吩与咔唑同时存在的结构的化合物的有机发光元件。并且，在韩国公开专利公报第10-2012-0092555号(2012.08.21)中公开了如下的有机发光元件：为了更加有效地引起作为由于2个三重态激子的冲撞及融合而产生单重态激子的现象的TTF(Triplet-TripletFusion)现象，在发光层与电子注入层之间设置阻挡层，并满足阻挡层的三重态能量高于发光层的主体的三重态能量的条件，从而将三重态激子锁在发光层而使TTF现象能够更有效地产生，并设计包括电子注入层和阻挡层的亲和度满足特定范围内的材料的有机发光元件，从而增加荧光发光的效率。但是，上述现有文献相当于想要通过更加有效地引起TTF现象而增加发光效率的方法，为了实现这一目的，具有如下的局限性：为了防止在主体产生的三重态激子的消灭，阻挡层中需要使用具有比主体的三重态能量值高的三重态能量值的阻挡层材料，并且需要在阻挡层包括特定的稠环形态的芳香族杂环化合物。并且，作为用于改善有机发光元件的效率的又一现有技术，在韩国公开专利公报第10-2006-0022676号(2006.03.10.)中，记载有特征在于在发光层与电子传输层之间设置用于调整电子的量的抑制层的有机发光元件。但是，尽管在包括上述现有文献的现有技术中尝试了用于制造具有更加有效的发光特性的有机发光元件的各种方法，但实际情况是仍然持续地要求研发出一种高效率、低电压驱动以及长寿命等的具有进一步得到改善的发光效率的有机发光元件。
技术实现思路
技术问题本专利技术为了解决上述问题而提出，本专利技术的目的在于提供一种具有高效率、低电压驱动以及长寿命特性的有机发光元件。技术方案本专利技术提供如下的有机发光元件，依次包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及发光层及电子密度调节层，在所述第一电极与所述第二电极之间形成，所述发光层包括一种以上的用以下[化学式A]或者[化学式B]表示的胺化合物，并且所述电子密度调节层包括一种以上的用以下[化学式F]至[化学式H]中的任意一个表示的化合物。[化学式A][化学式B]在所述[化学式A]及[化学式B]中，A1、A2、E和F分别彼此相同或不同，且彼此独立地为被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳香族碳化氢环或者被取代或未被取代的碳原子数为2至40的芳香族杂环；所述A1的芳香族环内彼此邻接的两个碳原子与所述A2的芳香族环内彼此邻接的两个碳原子与连接于所述取代基R1及R2的碳原子形成5元环，从而分别形成稠环；所述连接基L1至L12分别彼此相同或不同，且彼此独立地从单键、被取代或未被取代的碳原子数为1至60的亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至60的亚烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至60的亚炔基、被取代或未被取代的碳原子数为3至60的环亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至60的杂环亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至60的亚芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为2至60的杂亚芳基中选择；所述M是选自N-R3、CR4R5、SiR6R7、GeR8R9、O、S、Se中的任意一种；所述取代基R1至R9、Ar1至Ar8分别彼此相同或不同，且彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至20的炔基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为5至30的环烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至50的杂芳基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的杂环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷硫氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳硫氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷胺基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基硅烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳基硅烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基锗基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的芳基锗基、氰基、硝基、卤基中的任意一种，所述R1以及R2彼此连接而能够形成脂环族、芳香族的单环或者多环的环，形成的所述脂环族、芳香族的单环或者多环的环的碳原子能够被选自N、O、P、Si、S、Ge、Se、Te中的任意一种以上的杂原子所取代；所述p1至p4、r1至r4、s1至s4分别是1至3的整数，在它们分别为2以上时，各个连接基L1至L12彼此相同或不同，所述x是1或者2的整数，y及z分别相同或不同，且彼此独立地为0至3的整数，所述Ar1与Ar2、Ar3与Ar4、Ar本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光元件，其特征在于，依次包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及发光层及电子密度调节层，在所述第一电极与所述第二电极之间形成，所述发光层包括一种以上的用以下[化学式A]或者[化学式B]表示的胺化合物，并且所述电子密度调节层包括一种以上的用以下[化学式F]至[化学式H]中的任意一个表示的化合物，[化学式A]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.06 KR 10-2015-01110931.一种有机发光元件，其特征在于，依次包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及发光层及电子密度调节层，在所述第一电极与所述第二电极之间形成，所述发光层包括一种以上的用以下[化学式A]或者[化学式B]表示的胺化合物，并且所述电子密度调节层包括一种以上的用以下[化学式F]至[化学式H]中的任意一个表示的化合物，[化学式A][化学式B]在所述[化学式A]及[化学式B]中，A1、A2、E和F分别彼此相同或不同，且彼此独立地为被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳香族碳化氢环或者被取代或未被取代的碳原子数为2至40的芳香族杂环；所述A1的芳香族环内彼此邻接的两个碳原子与所述A2的芳香族环内彼此邻接的两个碳原子与连接于所述取代基R1及R2的碳原子形成5元环，从而分别形成稠环；所述连接基L1至L12分别彼此相同或不同，且彼此独立地从单键、被取代或未被取代的碳原子数为1至60的亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至60的亚烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至60的亚炔基、被取代或未被取代的碳原子数为3至60的环亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至60的杂环亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至60的亚芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为2至60的杂亚芳基中选择；所述M是选自N-R3、CR4R5、SiR6R7、GeR8R9、O、S、Se中的任意一种；所述取代基R1至R9、Ar1至Ar8分别彼此相同或不同，且彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至20的炔基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为5至30的环烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至50的杂芳基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的杂环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷硫氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳硫氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷胺基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基硅烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳基硅烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基锗基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的芳基锗基、氰基、硝基、卤基中的任意一种，所述R1以及R2彼此连接而能够形成脂环族、芳香族的单环或者多环的环，形成的所述脂环族、芳香族的单环或者多环的环的碳原子能够被选自N、O、P、Si、S、Ge、Se、Te中的任意一种以上的杂原子所取代；所述p1至p4、r1至r4、s1至s4分别是1至3的整数，在它们分别为2以上时，各个连接基L1至L12彼此相同或不同，所述x是1或者2的整数，y及z分别相同或不同，且彼此独立地为0至3的整数，所述Ar1与Ar2、Ar3与Ar4、Ar5与Ar6以及Ar7与Ar8能够分别彼此连接而形成环；在所述化学式A中，A2环内彼此邻接的两个碳原子与所述结构式Q1的*结合而形成稠环，在所述化学式B中，所述A1环内彼此邻接的两个碳原子与所述结构式Q2的*结合而形成稠环，所述A2环内彼此邻接的两个碳原子与所述结构式Q1的*结合而能够形成稠环，[化学式F]在所述[化学式F]中，取代基R11至R18分别彼此相同或不同，且彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的烯基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为5至30的环烯基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基、被取代或未被取代的碳原子数为3至50的杂芳基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷胺基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳胺基、被取代或未被取代的硅烷基、卤基、氰基中的取代基，[化学式G]在所述[化学式G]中，X1至X3分别相同或不同，且彼此独立地为氮原子或者CR'，X1至X3中的至少一个为氮原子，所述R'从氢、重氢、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的烯基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为5至30的环烯基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基、被取代或未被取代的碳原子数为3至50的杂芳基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷胺基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳胺基、被取代或未被取代的硅烷基、卤基、氰基中选择，所述Ar从被取代或未被取代的碳原子数为1至20的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基、被取代或未被取代的碳原子数为3至50的杂芳基中选择，所述Z1及Z2彼此相同或不同，并且彼此独立地为被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的杂芳基或者用下述[结构式A]表示的取代基，[结构式A]在所述[结构式A]中，L13从单键、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的环亚烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的亚芳基、被取代或未被取代的碳原子数为3至50的杂亚芳基中选择，HAr是被取代或未被取代的碳原子数为3至50的杂芳基，t是0至3的整数，在所述t为2以上的情况下，各个连接基L13分别相同或不同，[化学式H]在所述[化学式H]中，取代基Z11及Z12分别相同或不同，且彼此独立地为被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基或者被取代或未被取代的碳原子数为3至50的杂芳基，所述连接基L14是单键或者是被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基，u是0至2的整数，在所述u为2的情况下，各个连接基L14分别相同或不同，取代基R21至R28分别相同或不同，且彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至50的芳基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至20的炔基、被取代或未被取代的碳原子数为3至30的环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为5至30的环烯基、被取代或未被取代的碳原子数为2至50的杂芳基、被取代或未被取代的碳原子数为2至30的杂环烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷硫氧基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳硫氧基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷胺基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳胺基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基硅烷基、被取代或未被取代的碳原子数为6至30的芳基硅烷基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的烷基锗基、被取代或未被取代的碳原子数为1至30的芳基锗基、氰基、硝基、卤基中的任意一个，在所述[化学式A]、[化学式B]、[化学式F]至[化学式H]中的“被取代或未被取代”中的“取代”表示被选自由重氢、氰基、卤基、羟基、硝基、碳原子数为1至24的烷基、碳原子数为1至24的卤代烷基、碳原子数为2至24的烯基、碳原子数为2至24的炔基、碳原子数为1至24的杂烷基、碳原子数为6至24的芳基、碳原子数为7至24的芳烷基、碳原子数为2至24的杂芳基或者碳原子数为2至24的杂芳烷基、碳原子数为1至24的烷氧基、碳原...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌熙，徐贤钟，尹瑞延，沈昭英，金是仁，
申请(专利权)人：SFC株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR