一种硅片清洗槽制造技术

技术编号:17722886 阅读:78 留言:0更新日期:2018-04-18 05:16
本实用新型专利技术提供一种硅片清洗槽,包括内槽体和外槽体,内槽体上设置溢流口,内槽体与外槽体通过溢流口连通,内槽体底部设置进液口,进液口连接进液管,外槽体底部设置排放口,排放口连接排放管。本实用新型专利技术的有益效果是提高了太阳能硅片的清洗质量,内槽体的底部均匀排布加热管,加热管通过PLC控制系统控制,通过PLC控制达到智能加热的目的,保持槽内的水恒温,提高清洗效率,提高清洗质量,内槽体内部设置液位阀,液位阀实时监控内槽体内的水位,同时防止水满溢出的风险,单片水耗降低166%,减少了水资源的浪费。

A silicon wafer cleaning tank

The utility model provides a wafer cleaning tank, including tank and the outer tank, tank is arranged on the inner tank and the overflow port, in the outer tank communicated through the overflow port at the bottom of the tank, in setting liquid inlet and liquid inlet is connected with the liquid inlet pipe, the outer groove is arranged at the bottom of the discharge port, the discharge port is connected with the discharge tube. The utility model has the advantages of improving the cleaning quality of solar wafers, in the bottom of the tank evenly distributed heating pipe, heating pipe through the PLC control system, through the PLC control to achieve intelligent heating to keep the water temperature inside the tank, improve cleaning efficiency, improve the quality of cleaning, inside the tank is arranged inside the liquid level valve, water level the level of real-time monitoring in the tank valve, while preventing the risk of water overflow, single water consumption decreased by 166%, reduce the waste of water resources.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗槽
本技术属于硅片清洗设备
,尤其是涉及一种硅片清洗槽。
技术介绍
近年来,随着光伏行业的飞速发展,光电转换效率持续提升,太阳能硅片作为电池组件的主要原材料,对硅片表面粗糙度、TTV、WARP、表面洁净度等参数要求也越来越高,在目前的硅片生产过程中出现硅片脏花严重的问题,针对脏花片特点,确定是由于清洗不干净并且在硅片漂洗过程中漂洗不充分存在的问题。
技术实现思路
本技术要解决的问题是现有的太阳能硅片清洗过程中,清洗不干净、漂洗不干净的问题,提供一种硅片清洗槽。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:一种硅片清洗槽,包括内槽体和外槽体,所述内槽体上设置溢流口,所述内槽体与所述外槽体通过所述溢流口连通,所述内槽体底部设置进液口,所述进液口连接进液管,所述外槽体底部设置排放口,所述排放口连接排放管。进一步地,所述内槽体的内部设置超声振板和过滤网孔板,所述过滤网孔板设置于所述超声振板上方。进一步地,所述内槽体的底部均匀排布加热管。进一步地,所述内槽体的内部设置液位阀,所述液位阀位于所述溢流口下方。进一步地,还包括氮气输入管路,所述氮气输入管路通入所述内槽体内部。进一步地,还包括氮气微压检测装置,所述氮气微压检测装置的传感器伸入所述槽体内部,所述传感器与所述超声振板接触。进一步地,所述进液管连接流量计,实现溢流流量大小的准确控制。进一步地,所述内槽体与所述外槽体均采用SUS316槽体。本技术具有的优点和积极效果是:1.槽体内部设置过滤网孔板、超声振板,以及清洗过程中通入氮气,提高了太阳能硅片的清洗质量,达到了清洗脏片率降低0.2%,制绒沾污不良降低0.8%,产量输出提高7.5%。2.内槽体的底部均匀排布加热管,加热管通过PLC控制系统控制,通过PLC控制达到智能加热的目的,保持槽内的水恒温,提高清洗效率,提高清洗质量。3.内槽体内部设置液位阀,液位阀实时监控内槽体内的水位,同时防止水满溢出的风险,单片水耗降低166%,减少了水资源的浪费。附图说明图1是本技术的结构示意图。图中:1、外槽体2、内槽体3、过滤网孔板4、超声振板5、进液口6、排放口7、进液管8、排放管9、氮气微压检测装置10、氮气输入管路11、溢流口12、液位阀13、加热管具体实施方式如图1所示,本实例一种硅片清洗槽,包括内槽体2和外槽体1,内槽体2上设置溢流口,内槽体2与外槽体1通过溢流口连通,内槽体2底部设置进液口5,进液口5连接进液管7,外槽体1底部设置排放口6,排放口6连接排放管8,内槽体2的底部均匀排布加热管13,加热管13通过PLC控制系统控制,通过PLC控制达到智能加热的目的,保持槽内的水恒温。内槽体2内部设置液位阀12,液位阀12位于溢流口11的下方,液位阀12实时监控内槽体2内的水位,同时防止水满溢出的风险,避免水资源的浪费。内槽体2的内部设置超声振板4和过滤网孔板3,过滤网孔板3设置于超声振板4上方,采用过滤网孔板3,过滤槽体内的碎片,防止碎片造成排放管路堵塞,还包括氮气输入管路10,氮气输入管路10通入所述内槽体2内部,通过氮气鼓泡,更有利于提高太阳能硅片清洗过程中的漂洗效果,还包括氮气微压检测装置9,氮气微压检测装置9的传感器伸入内槽体2的内部,传感器与超声振板4接触,通过氮气以及氮气微压检测来检测和控制超声的大小,使清洗过程中超声可控,让清洗效果更好。内槽体2与外槽体1均采用SUS316槽体,SUS316槽体不变形、耐药液腐蚀,清洗过程中安全可靠,进液管5连接流量计,实现溢流流量大小的准确控制。本实例的工作过程:进液管通入清洗液或者水进行清洗或者漂洗,通过PLC控制加热管加热槽内的水温到清洗温度,保持槽内的水恒温,通入氮气鼓泡,装满硅片的片篮通过机械手抓取放入内槽体,进行清洗或者漂洗,清洗过程中的碎片采用过滤网孔板进行过滤,避免碎片造成排放管路堵塞,内槽体内的清洗液通过溢流口流入内槽体与外槽体的连通部,液位阀实时监控内槽体内的水位,多余的液体通过排放口排出,实现水资源的循环利用。本技术的有益效果是:1.槽体内部设置过滤网孔板、超声振板,以及清洗过程中通入氮气,提高了太阳能硅片的清洗质量,达到了清洗脏片率降低0.2%,制绒沾污不良降低0.8%,产量输出提高7.5%。2.内槽体的底部均匀排布加热管,加热管通过PLC控制系统控制,通过PLC控制达到智能加热的目的,保持槽内的水恒温,提高清洗效率,提高清洗质量。3.内槽体内部设置液位阀,液位阀实时监控内槽体内的水位,同时防止水满溢出的风险,单片水耗降低166%,减少了水资源的浪费。以上对本技术的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本技术的较佳实施例,不能被认为用于限定本技术的实施范围。凡依本技术申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本技术的专利涵盖范围之内。本文档来自技高网...
一种硅片清洗槽

【技术保护点】
一种硅片清洗槽,其特征在于:包括内槽体和外槽体,所述内槽体上设置溢流口,所述内槽体与所述外槽体通过所述溢流口连通,所述内槽体底部设置进液口,所述进液口连接进液管,所述外槽体底部设置排放口,所述排放口连接排放管。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗槽,其特征在于:包括内槽体和外槽体,所述内槽体上设置溢流口,所述内槽体与所述外槽体通过所述溢流口连通,所述内槽体底部设置进液口,所述进液口连接进液管,所述外槽体底部设置排放口,所述排放口连接排放管。2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗槽,其特征在于:所述内槽体的内部设置超声振板和过滤网孔板,所述过滤网孔板设置于所述超声振板上方。3.根据权利要求1或2所述的一种硅片清洗槽,其特征在于:所述内槽体的底部均匀排布加热管。4.根据权利要求1所述的一种硅片清洗槽,其特征在于:所述内槽体的内部设置液位阀...

【专利技术属性】
技术研发人员:古元甲刘晓伟范猛李伟刘沛然孙昊孙毅田志民王少刚秦焱泽辛超石海涛赵朋占
申请(专利权)人:天津市环欧半导体材料技术有限公司
类型:新型
国别省市:天津,12

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