一种电子器件用镁合金及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种电子器件用镁合金及其制备方法，包括以下成分：4‑7wt％Si，1‑4wt％Al，0.1‑0.5wt％Zr，0.2‑0.6wt％Cr，0.05‑0.1wt％Fe，0.3‑0.7wt％B，0.8‑1.8wt％Ni，0.01‑0.03wt％Lu，0.01‑0.03wt％Y，余量为镁。与现有技术相比，本发明专利技术以Si、Al、Zr、Cr、Fe、B、Ni、Lu、Y、Mg为主要成分，各个成分相互作用、相互影响，提高了制备的电子器件用镁合金的拉伸强度和导热性能，可以作为电子器件的散热系统的结构材料。实验结果表明，本发明专利技术制备的电子器件用镁合金的拉伸强度为318MPa，导热率为125W/mK。

A magnesium alloy for electronic devices and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种电子器件用镁合金及其制备方法
本专利技术涉及镁合金
，尤其涉及一种电子器件用镁合金及其制备方法。
技术介绍
航空航天中的电源、电子器件的散热系统结构材料，既要求优良的导热性能，同时还必须具有密度小、强度高的特点。因此，高强度、高导热镁合金具有重要的应用背景。现有技术中，镁合金及其制备方法得到了广泛的报道，例如，申请号为201410528634.4的中国专利文献报道了一种镁合金及其制备方法、镁合金件制备方法，镁合金包含的锌所占质量百分比为1％至8％，包含的钙所占质量百分比为0.1％至2％，其余为镁；在制备时，先提取适量的锌、钙和镁原料，然后将镁原料在保护气体中以第一温度范围内进行熔化得到镁液；再将锌原料和钙原料加入镁液中进行熔化得到镁合金溶液。在得到镁合金溶液后可通过浇铸或高压压铸的方式得到相应的镁合金件。申请号为201510926114.3的中国专文献报道了一种镁合金，按重量比含有锰6-7％、硅0.2-1％、钒1-1.5％、铁0.1-0.15％、钨0.15-0.3％、锌0.2-0.5％、余量为镁和难以去除的杂质；上述配料充分混合过2个小时空冷后放入炼炉中加热，加热完成后进行压铸工作，压铸完放到室外进行空冷。申请号为一种镁合金材料，由含有7.3质量％-16质量％的Al的镁合金构成，将该镁合金材料整体的Al的含量设为x质量％时，Al的含量为0.8x质量％以上且1.2x质量％以下的区域为50面积％以上，Al的含量为1.4x质量％以上的区域为17.5面积％以下，并且实质上不存在Al的含量为4.2质量％以下的区域。但是，上述报道的镁合金的强度和导热性能有待于进一步提高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于提供一种电子器件用镁合金及其制备方法，具有良好的拉伸强度和导热性能。有鉴于此，本专利技术提供了一种电子器件用镁合金，包括以下成分：4-7wt％Si，1-4wt％Al，0.1-0.5wt％Zr，0.2-0.6wt％Cr，0.05-0.1wt％Fe，0.3-0.7wt％B，0.8-1.8wt％Ni，0.01-0.03wt％Lu，0.01-0.03wt％Y，余量为镁。优选的，4-5wt％Si。优选的，1-3wt％Al。优选的，0.3-0.5wt％Zr。优选的，0.2-0.4wt％Cr。优选的，0.07-0.1wt％Fe。优选的，0.3-0.5wt％B。优选的，0.8-1.2wt％Ni。优选的，0.01-0.02wt％Lu。相应的，本专利技术还提供一种上述技术方案所述的电子器件用镁合金的制备方法，包括以下步骤：设定坩埚温度为700-720℃开始加热，当坩埚温度达到300-320℃时加入Mg，通入保护性气体；Mg完全熔化后，依次加入预热后的Mg-Si、Al、Mg-Zr、Mg-Cr、Mg-Mo、Mg-Fe、Mg-B、Mg-Ni、Mg-Lu、Mg-Y，搅拌，去除表面浮渣，浇铸，得到铸锭；将铸锭在马弗炉中以260℃的温度保温3小时，升温至360℃保温3小时，继续升温至450℃保温1小时，然后在温水中淬火；将均匀化处理后的铸锭压制成型，得到电子器件用镁合金。本专利技术提供一种电子器件用镁合金及其制备方法，包括以下成分：4-7wt％Si，1-4wt％Al，0.1-0.5wt％Zr，0.2-0.6wt％Cr，0.05-0.1wt％Fe，0.3-0.7wt％B，0.8-1.8wt％Ni，0.01-0.03wt％Lu，0.01-0.03wt％Y，余量为镁。与现有技术相比，本专利技术以Si、Al、Zr、Cr、Fe、B、Ni、Lu、Y、Mg为主要成分，各个成分相互作用、相互影响，提高了制备的电子器件用镁合金的拉伸强度和导热性能，可以作为电子器件的散热系统的结构材料。实验结果表明，本专利技术制备的电子器件用镁合金的拉伸强度为318MPa，导热率为125W/mK。具体实施方式为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。本专利技术实施例公开了一种电子器件用镁合金，包括以下成分：4-7wt％Si，1-4wt％Al，0.1-0.5wt％Zr，0.2-0.6wt％Cr，0.05-0.1wt％Fe，0.3-0.7wt％B，0.8-1.8wt％Ni，0.01-0.03wt％Lu，0.01-0.03wt％Y，余量为镁。作为优选方案，4-5wt％Si，1-3wt％Al，0.3-0.5wt％Zr，0.2-0.4wt％Cr，0.07-0.1wt％Fe，0.3-0.5wt％B，0.8-1.2wt％Ni，0.01-0.02wt％Lu。相应的，本专利技术还提供一种上述技术方案所述的电子器件用镁合金的制备方法，包括以下步骤：设定坩埚温度为700-720℃开始加热，当坩埚温度达到300-320℃时加入Mg，通入保护性气体；Mg完全熔化后，依次加入预热后的Mg-Si、Al、Mg-Zr、Mg-Cr、Mg-Mo、Mg-Fe、Mg-B、Mg-Ni、Mg-Lu、Mg-Y，搅拌，去除表面浮渣，浇铸，得到铸锭；将铸锭在马弗炉中以260℃的温度保温3小时，升温至360℃保温3小时，继续升温至450℃保温1小时，然后在温水中淬火；将均匀化处理后的铸锭压制成型，得到电子器件用镁合金。本专利技术提供一种电子器件用镁合金及其制备方法，包括以下成分：4-7wt％Si，1-4wt％Al，0.1-0.5wt％Zr，0.2-0.6wt％Cr，0.05-0.1wt％Fe，0.3-0.7wt％B，0.8-1.8wt％Ni，0.01-0.03wt％Lu，0.01-0.03wt％Y，余量为镁。与现有技术相比，本专利技术以Si、Al、Zr、Cr、Fe、B、Ni、Lu、Y、Mg为主要成分，各个成分相互作用、相互影响，提高了制备的电子器件用镁合金的拉伸强度和导热性能，可以作为电子器件的散热系统的结构材料。实验结果表明，本专利技术制备的电子器件用镁合金的拉伸强度为318MPa，导热率为125W/mK。为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术提供的技术方案进行详细说明，本专利技术的保护范围不受以下实施例的限制。本专利技术实施例采用的原料均为市购。实施例1电子器件用镁合金的化学成分：4wt％Si，1wt％Al，0.5wt％Zr，0.2wt％Cr，0.1wt％Fe，0.3wt％B，1.8wt％Ni，0.01wt％Lu，0.03wt％Y，余量为镁。制备方法：设定坩埚温度为700-720℃开始加热，当坩埚温度达到300-320℃时加入Mg，通入保护性气体；Mg完全熔化后，依次加入预热后的Mg-Si、Al、Mg-Zr、Mg-Cr、Mg-Mo、Mg-Fe、Mg-B、Mg-Ni、Mg-Lu、Mg-Y，搅拌，去除表面浮渣，浇铸，得到铸锭；将铸锭在马弗炉中以260℃的温度保温3小时，升温至360℃保温3小时，继续升温至450℃保温1小时，然后在温水中淬火；将均匀化处理后的铸锭压制成型，得到电子器件用镁合金板材。对本专利技术实施例制备的电子器件用镁合金板材的性能进行检测，室温下，镁合金的拉伸强度为315MPa，导热率为122W/mK。实施例2电子器件用镁合金的化学成分：7wt％Si，1wt％Al，0.5wt％Zr，0.6wt％Cr，0.05wt％Fe，0.7wt本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件用镁合金，其特征在于，包括以下成分：4‑7wt％Si，1‑4wt％Al，0.1‑0.5wt％Zr，0.2‑0.6wt％Cr，0.05‑0.1wt％Fe，0.3‑0.7wt％B，0.8‑1.8wt％Ni，0.01‑0.03wt％Lu，0.01‑0.03wt％Y，余量为镁。

【技术特征摘要】
1.一种电子器件用镁合金，其特征在于，包括以下成分：4-7wt％Si，1-4wt％Al，0.1-0.5wt％Zr，0.2-0.6wt％Cr，0.05-0.1wt％Fe，0.3-0.7wt％B，0.8-1.8wt％Ni，0.01-0.03wt％Lu，0.01-0.03wt％Y，余量为镁。2.根据权利要求1所述的电子器件用镁合金，其特征在于，4-5wt％Si。3.根据权利要求1所述的电子器件用镁合金，其特征在于，1-3wt％Al。4.根据权利要求1所述的电子器件用镁合金，其特征在于，0.3-0.5wt％Zr。5.根据权利要求1所述的电子器件用镁合金，其特征在于，0.2-0.4wt％Cr。6.根据权利要求1所述的电子器件用镁合金，其特征在于，0.07-0.1wt％Fe。7.根据权利要求1所述的电子器件用镁合金，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宁，莫原，
申请(专利权)人：柳州智臻智能机械有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45