有机发光二极管显示器及其制作方法技术

一种有机发光二极管显示器及其制作方法，其中有机发光二极管显示器包括相对接合在一起的阵列元件基板和有机发光二极管基板。阵列元件基板包括第一基底、位于第一基底上的薄膜晶体管阵列元件及位于薄膜晶体管阵列元件上的第一接合电极和第二接合电极。有机发光二极管基板包括第二基底、位于第二基底的第一表面上的第三接合电极及位于第二基底相对的第二表面上的有机发光二极管。阵列元件基板和有机发光二极管基板相对接合在一起，从而将LTPS制备流程与OLED制备流程分开进行，且制备的柔性OLED基底可裁剪成任意性状，实现了某一PPI下多种产品的一次性生产，无需开多套蒸镀mask，节省了成本，提高生产效率和良率。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其制作方法
本专利技术涉及平板显示的
，特别是涉及一种有机发光二极管显示器及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、响应速度快、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术。低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)已经普遍地应用在平面显示器例如有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)的阵列基板上。AMOLED显示器的制作流程主要分为两大部分：低温多晶硅(LTPS)制作与有机发光二极管(OLED)制作。具体是，一般先在基板上沉积非晶硅层(a-Si)，然后通过热处理使非晶硅熔融结晶以形成较平滑且具有晶粒的多晶硅层(p-Si)，并利用多晶硅层作为薄膜晶体管(TFT)的沟道层制作形成低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)；接下来在低温多晶硅薄膜晶体管上继续制作有机发光二极管(OLED)的阳极、有机发光层和阴极，从而形成阵列基板。最后通过将形成有低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)阵列元件和有机发光二极管(OLED)的阵列基板粘接到用于封装的单独基板上，从而制造出底部或顶部发光的有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)。在这种情况下，由于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)的良率由低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)阵列元件和有机发光二极管(OLED)基板共同决定。因此，即使已经制作了优良的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)阵列元件，但是如果在后续制作有机发光二极管(OLED)基板时因外界颗粒或其他因素产生缺陷，则该有机发光二极管显示器被定为缺陷级，也就损失了花费在非缺陷薄膜晶体管阵列元件上的费用和材料成本。因此，现有的制作方法中，制作流程长，容易造成不良的积累，影响生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机发光二极管显示器及其制作方法，以解决现有制作方法中，制作流程长，易导致不良累积，生产效率低的问题。本专利技术提供一种有机发光二极管显示器，包括相对接合在一起的阵列元件基板和有机发光二极管基板，其中：该阵列元件基板包括第一基底、位于该第一基底上的薄膜晶体管阵列元件、以及位于该薄膜晶体管阵列元件上的第一接合电极和第二接合电极，该第一接合电极和该第二接合电极相互绝缘，该第一接合电极与该薄膜晶体管阵列元件中的驱动薄膜晶体管电性连接；该有机发光二极管基板包括第二基底、位于该第二基底的第一表面上的第三接合电极、以及位于该第二基底相对的第二表面上的有机发光二极管，该有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于该第一电极与该第二电极之间的有机发光层，该有机发光二极管的第一电极与该第三接合电极电性连接；该阵列元件基板和该有机发光二极管基板相对接合在一起，该第一接合电极与该第三接合电极接触连接，该第二接合电极与该有机发光二极管的第二电极电性连接。进一步地，该薄膜晶体管阵列元件包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极，该源极和该漏极相互间隔开且分别与该半导体层电性连接，该第一基底在该薄膜晶体管阵列元件上形成平坦层，该平坦层中形成导通孔以露出该驱动薄膜晶体管的源极或漏极，该第一接合电极和该第二接合电极形成在该平坦层上，该第一接合电极通过该导通孔与该驱动薄膜晶体管的源极或漏极电性连接。进一步地，该第一接合电极的数量为多个且呈矩阵分布，每个子像素区域内具有一个该第一接合电极，每个子像素区域内的该第一接合电极与位于该子像素区域内的驱动薄膜晶体管的源极或漏极电性连接。进一步地，该第二接合电极分布在该第一接合电极之间的空隙处且连接成网格状。进一步地，该第二接合电极仅分布在该阵列元件基板的外围边缘区域且连接成“口”字形。进一步地，该第二基底中贯穿设有第一接触孔，该有机发光二极管的第一电极通过该第一接触孔与该第三接合电极电性连接。进一步地，该第二基底的第一表面上还设有第四接合电极，该第三接合电极和该第四接合电极相互绝缘，该第二基底的第二表面上还设有第五接合电极，该第二基底中还贯穿设有第二接触孔，该有机发光二极管的第二电极与该第五接合电极电性连接，该第五接合电极通过该第二接触孔与该第四接合电极电性连接；该阵列元件基板和该有机发光二极管基板相对接合在一起时，该第二接合电极与该第四接合电极接触连接。进一步地，该第三接合电极的数量为多个且呈矩阵分布，每个子像素区域内具有一个该第三接合电极，每个子像素区域内的该第三接合电极与位于该子像素区域内的有机发光二极管的第一电极电性连接。进一步地，该第四接合电极分布在该第三接合电极之间的空隙处，该第四接合电极呈离散分布或者连成网格状，该第五接合电极分布在该第一电极之间的空隙处，该第五接合电极呈离散分布或者连成网格状。进一步地，该第四接合电极仅分布在该有机发光二极管基板的外围边缘区域，该第四接合电极呈离散分布或者连成“口”字形；该第五接合电极仅分布在该有机发光二极管基板的外围边缘区域，该第五接合电极呈离散分布或者连成“口”字形。进一步地，该第二接合电极仅分布在该阵列元件基板的外围边缘区域；该阵列元件基板和该有机发光二极管基板相对接合在一起时，该第二接合电极通过导电介质与该有机发光二极管的第二电极电性连接。进一步地，该第二基底为柔性基底，由多个有机衬底层和多个无机阻隔层依次交替层叠形成。本专利技术还提供一种有机发光二极管显示器的制作方法，用于制作上述的有机发光二极管显示器，该制作方法包括步骤：分开制作形成该阵列元件基板和该有机发光二极管基板；以及将分开制作形成的该阵列元件基板和该有机发光二极管基板相对接合在一起。进一步地，制作形成该有机发光二极管基板包括步骤：提供硬性载体基板；在该硬性载体基板上制作形成该有机发光二极管基板的各个膜层结构；在制作形成该有机发光二极管基板的各个膜层结构之后，剥离该硬性载体基板。本实施例提供的有机发光二极管显示器及其制作方法，采用双基板工艺制作有机发光二极管显示器，即阵列元件基板和有机发光二极管基板是分开制作的，然后再接合在一起形成该有机发光二极管显示器。从而将阵列元件(TFT)的制作流程与有机发光二极管(OLED)的制作流程分开进行，OLED的制作不会受到TFT制程的影响，提高了生产管理的效率，缩短了制作流程，降低了生产工序中的缺陷率，从而提高产品良率。附图说明图1为本专利技术第一实施例中阵列元件基板的剖面示意图。图2为本专利技术第一实施例中有机发光二极管基板的剖面示意图。图3为本专利技术第一实施例中有机发光二极管显示器的剖面示意图。图4为图3的电路示意图。图5为图1中阵列元件基板的平面示意图。图6a至图6d为图1中阵列元件基板的制作过程剖面示意图。图7为图2中有机发光二极管基板的正面示意图。图8为图2中有机发光二极管基板的背面示意图。图9a至图9h为图2中有机发光二极管基板的制作过程剖面示意图。图10为本专利技术第二实施例中有机发光二极管显示器的剖面示意图。图11为本专利技术第二实施例中阵列元件基板的平面示意图。图12为本专利技术第二实施例中有机发光二极管基板的正面示意图。图13为本专利技术第二实施例中有机发光二极管基板的背面示意图。图14为本专利技术第三实施例中有机发光二极管显示器的剖面示意图。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，其特征在于，包括相对接合在一起的阵列元件基板和有机发光二极管基板，其中：该阵列元件基板包括第一基底、位于该第一基底上的薄膜晶体管阵列元件、以及位于该薄膜晶体管阵列元件上的第一接合电极和第二接合电极，该第一接合电极和该第二接合电极相互绝缘，该第一接合电极与该薄膜晶体管阵列元件中的驱动薄膜晶体管电性连接；该有机发光二极管基板包括第二基底、位于该第二基底的第一表面上的第三接合电极、以及位于该第二基底相对的第二表面上的有机发光二极管，该有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于该第一电极与该第二电极之间的有机发光层，该有机发光二极管的第一电极与该第三接合电极电性连接；该阵列元件基板和该有机发光二极管基板相对接合在一起，该第一接合电极与该第三接合电极接触连接，该第二接合电极与该有机发光二极管的第二电极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，包括相对接合在一起的阵列元件基板和有机发光二极管基板，其中：该阵列元件基板包括第一基底、位于该第一基底上的薄膜晶体管阵列元件、以及位于该薄膜晶体管阵列元件上的第一接合电极和第二接合电极，该第一接合电极和该第二接合电极相互绝缘，该第一接合电极与该薄膜晶体管阵列元件中的驱动薄膜晶体管电性连接；该有机发光二极管基板包括第二基底、位于该第二基底的第一表面上的第三接合电极、以及位于该第二基底相对的第二表面上的有机发光二极管，该有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于该第一电极与该第二电极之间的有机发光层，该有机发光二极管的第一电极与该第三接合电极电性连接；该阵列元件基板和该有机发光二极管基板相对接合在一起，该第一接合电极与该第三接合电极接触连接，该第二接合电极与该有机发光二极管的第二电极电性连接。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，该薄膜晶体管阵列元件包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极，该源极和该漏极相互间隔开且分别与该半导体层电性连接，该第一基底在该薄膜晶体管阵列元件上形成平坦层，该平坦层中形成导通孔以露出该驱动薄膜晶体管的源极或漏极，该第一接合电极和该第二接合电极形成在该平坦层上，该第一接合电极通过该导通孔与该驱动薄膜晶体管的源极或漏极电性连接。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，该第一接合电极的数量为多个且呈矩阵分布，每个子像素区域内具有一个该第一接合电极，每个子像素区域内的该第一接合电极与位于该子像素区域内的驱动薄膜晶体管的源极或漏极电性连接。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，该第二接合电极分布在该第一接合电极之间的空隙处且连接成网格状。5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，该第二接合电极仅分布在该阵列元件基板的外围边缘区域且连接成“口”字形。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，该第二基底中贯穿设有第一接触孔，该有机发光二极管的第一电极通过该第一接触孔与该第三接合电极电性连接。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，该第二基底的第一表面上还设有第四接合电极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩媛媛，朱修剑，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32