一种TFT‑LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT‑LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，包括以下步骤：在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法
本专利技术涉及TFT-LCD
，具体涉及一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法。
技术介绍
随着显示屏工艺技术的进步，在65nm及以下的工艺技术中，越来越多的运用高电流离子注入来提高器件的性能。高电流离子注入后去胶被认为是半导体工业中最具挑战性的的工艺之一，因为除了要去由于除高电流离子注入产生的光刻胶硬壳而且要防止主体硅，或氧化物的损失和破坏。光刻胶受到高电流离子注入影响很大，光刻胶上半部掺杂部分会形成比较坚硬的外壳和下半部未掺杂部分有着明显区别。半导体衬底上的光刻胶层在经过高电流离子注入后，掺杂的光刻胶层上半部会形成比较坚硬的外壳，因此掺杂的光刻胶层上半部与未掺杂的光刻胶层下半部有明显的区别。现有技术在开发去除高电流离子注入后的光刻胶层的工艺时，主要利用缺陷扫描仪对刻蚀结果进行分析，反复进行去除光刻胶的工艺参数。在去除光刻胶的工艺中，将掺杂的光刻胶层和未掺杂的光刻胶层分为两个工艺步骤去除，每个工艺步骤的刻蚀时间固定。现有的光刻胶的去除方法存在以下缺陷：1、仅仅依靠缺陷扫描仪得到的刻蚀最终结果来调试工艺参数，没有对掺杂的光刻胶层的厚度进行测量，调试的工艺参数不够精确；2、现有技术一般指去1-2个样品，而不同批次的硅片的掺杂工艺之间存在差异性，现有技术没有考虑上述差异性；3、现有技术中去除光刻胶的工艺时间固定的，不会根据不同批次的差异性进行实时修正。因此，有必要对现有的光刻胶的去除方法进行改进。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法。本专利技术提供如下技术方案：一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，用于去除TFT-LCD衬底上的光刻胶层，包括以下步骤：(1)在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度；(2)基于上述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；(3)针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；(4)利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；(5)在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。所述先进制程控制系统实时反馈修正所述掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间。所述第一温度为100℃-160℃，所述第二温度为200℃-250℃。所述未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间等于未掺杂的光刻胶层的厚度与未掺杂的光刻胶层的刻蚀速率的比值。所述步骤(5)中N2H2相对于O2的比例为3：2。所述步骤(5)中N2H2的流量不大于1000sccm，所述O2的流量不大于1500sccm。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术利用光学线宽仪，测量离子注入后掺杂的光刻胶层的厚度，相比于现有技术与利用缺陷扫描仪对最后的刻蚀结果进行分析，本专利技术能够更加准确获得掺杂的光刻胶层和未掺杂的光刻胶层的厚度，使得去除所述掺杂的光刻胶层和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺控制更加准确；对掺杂的光刻胶层和未掺杂的光刻胶层分别采用刻蚀工艺去除，并且利用先进制程系统实时修正刻蚀工艺时间，能够对每片半导体衬底的工艺时间进行实时修正，有利于提高产品良率。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，用于去除TFT-LCD衬底上的光刻胶层，包括以下步骤：(1)在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度；(2)基于上述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；(3)针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；(4)利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；(5)在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。所述先进制程控制系统实时反馈修正所述掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺和未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间。所述第一温度为100℃-160℃，所述第二温度为200℃-250℃。所述未掺杂的光刻胶层的刻蚀工艺的工艺时间等于未掺杂的光刻胶层的厚度与未掺杂的光刻胶层的刻蚀速率的比值。所述步骤(5)中N2H2相对于O2的比例为3：2。所述步骤(5)中N2H2的流量不大于1000sccm，所述O2的流量不大于1500sccm。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT‑LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，用于去除TFT‑LCD衬底上的光刻胶层，其特征在于，包括以下步骤：(1)在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度；(2)基于上述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；(3)针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；(4)利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；(5)在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。

【技术特征摘要】
1.一种TFT-LCD屏制造过程中光刻胶的去除方法，用于去除TFT-LCD衬底上的光刻胶层，其特征在于，包括以下步骤：(1)在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区，利用光学线宽测量仪器测量高电流离子注入后的掺杂的光刻胶层的厚度，基于离子注入前的光刻胶层的厚度获得未掺杂的光刻胶层的厚度；(2)基于上述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，建立测量高电流离子注入后的光学线宽测量数据库；(3)针对所述掺杂的光刻胶层的厚度和未掺杂的光刻胶层的厚度，分别设置刻蚀工艺的工艺参数；(4)利用先进制程控制系统执行所述刻蚀工艺，在工艺过程中利用先进制程控制系统实施反馈，在第一温度下使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶层；(5)在高于所述第一温度的第二温度下，使用所述N2H2和O2的等离子体移除所述光刻胶层。2.根据权利要求1所述的一种TFT-LC...

【专利技术属性】
技术研发人员：白航空，
申请(专利权)人：合肥惠科金扬科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34