DQS信号延时控制电路及半导体存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种DQS信号延时控制电路，包括DQS输入电路、DQ输入电路及传输线路，传输线路的输入端与DQS输入电路连接，传输线路的输出端与DQ输入电路连接，传输线路包括至少一个内部电路，且当内部电路为多个时，多个内部电路在DQS输入电路至DQ输入电路的传输方向上顺次连接；内部电路中的至少一个接入稳压电源；延时控制电路还包括控制器，控制器与稳压电源连接，用于检测延时控制电路中的参数变化，并根据参数变化以及预设的稳定工作电压生成策略，产生与参数变化对应的稳定工作电压输出，稳定工作电压输出用于提供给内部电路，有效减小延时时间受内部工作电压或温度等参数变化影响。

【技术实现步骤摘要】
DQS信号延时控制电路及半导体存储器
本技术涉及动态随机存储器
，特别涉及一种DQS信号延时控制电路，还涉及包含DQS信号延时控制电路的半导体存储器。
技术介绍
DQS(DataStrobeSignal，数据选通信号)作用是在双倍速率动态随机存储器(DDRDRAM，DoubleDataRateDynamicRandomAccessMemory)中应具有的重要功能，主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。DQS信号是数据的同步信号，如图1所示，在数据写入时，由主控芯片10发送DQS信号至半导体存储器40即DRAM芯片，藉由DQS信号作数据同步。在半导体存储器如低功耗内存芯片(LPDDR4，LowPowerDoubleDataRateSDRAM)中，写入过程中，DQS信号与数据信号DQ通过近似相同长度的传输路径以近似相同的速度传送至LPDDR4中，在LPDDR4中，DQS输入电路30将接收到的DQS信号通过一传输路径传送至DQ输入电路20，DQ输入电路20根据DQS信号的上升沿以及下降沿来抓取数据，并将数据存储至存储器21中，例如，主控芯片10控制DQS(0)变为DQS(1)或者DQS(1)变为DQS(0)，DQS信号每变化一次，DQ输入电路20根据上述变化抓取数据一次，并将数据存储。由于DQS信号和DQ信号到达LPDDR4所用的时间近似相同，在LPDDR4内部，DQS信号还需要一段时间才能传送至DQ输入电路20，DQS和DQ的传输时间差导致了DQS信号与DQ信号不同步。为了避免上述情况，通常的做法是，主控芯片10将DQS信号提前一个时间tDQS2DQ发送至LPDDR4中，使得DQS信号与DQ信号能够同步到达DQ输入电路20，以提高DQ输入电路20抓取数据的准确率。然而，延时时间tDQS2DQ容易受LPDDR4的内部工作电压或者工作温度等因素影响，导致半导体存储器的主控芯片10需要通过不断的检测内部工作电压或工作温度等参数的变化来调整延时时间tDQS2DQ，主控芯片10对LPDDR4的内部工作电压变化或工作温度等参数变化的检测耗时耗能，最终导致写入速度变慢，而且通过检测半导体存储器内部工作电压或工作温度来调整延时时间tDQS2DQ的方法无法有效提高DQ输入电路20抓取数据的准确率，因为延时时间tDQS2DQ调整的准确性不高。因此，如何减小延时时间tDQS2DQ受内部工作电压或工作温度等参数变化的影响，从而得到稳定的延时时间tDQS2DQ是本领域技术人员急需要解决的技术问题。在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例希望提供一种DQS信号延时控制电路及半导体存储器，以至少解决现有技术中存在的技术问题。本技术实施例的技术方案是这样实现的，根据本技术的一个实施例，提供一种DQS信号延时控制电路，应用于半导体存储器，所述控制电路包括DQS输入电路、DQ输入电路及传输线路，所述传输线路的输入端与所述DQS输入电路连接，输出端与所述DQ输入电路连接，所述传输线路包括至少一个内部电路，且当所述内部电路为多个时，多个所述内部电路在所述DQS输入电路至所述DQ输入电路的传输方向上顺次连接；其中，所述内部电路中的至少一个接入稳压电源，所述稳压电源用于给接入的所述内部电路提供稳定工作电压；所述延时控制电路还包括控制器，所述控制器与所述稳压电源连接，所述控制器用于检测所述延时控制电路中的参数变化，并根据所述参数变化以及预设的稳定工作电压生成策略，产生与所述参数变化对应的稳定工作电压输出，输出的所述稳定工作电压用于提供给所述内部电路。优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述延时控制电路中的参数变化为所述延时控制电路中的温度变化，所述预设的稳定工作电压生成策略为在预设温度范围内，所述温度与所述稳定工作电压成正相关。优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述延时控制电路中的参数变化为所述延时控制电路中未接入所述稳压电源的内部电路的电压变化，所述预设的稳定工作电压生成策略为未接入所述稳压电源的内部电路的电压与所述稳定工作电压成负相关。优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述稳定工作电压由工作电压为Vdd1的内部工作电源或外部电源提供的电荷泵提供。优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述稳定工作电压大于所述内部工作电源提供的电压Vdd2或者Vddq。优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述DQS输入电路以及所述DQ输入电路均接入提供工作电压为Vddq的所述内部工作电源。优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述内部电路包括缓冲寄存器。本技术实施例还提供了一种半导体存储器，包括本技术实施例所述的DQS信号延时控制电路。本技术实施例由于采用以上技术方案，其具有以下优点：由于输入端与DQS输入电路连接，输出端与DQ输入电路连接的传输线路中，顺次连接的内部电路中的至少一个接入了提供稳定工作电压的稳压电源，相对于现有技术中，将顺次连接的内部电路全部由半导体存储器中内部工作电源提供的随着半导体存储器的工作环境不断变化的电压Vdd2，替换成由稳压电源提供的稳定工作电压，以减小内部工作电源传输线路延时时间的影响，而稳定工作电压的生成由检测延时控制电路中的参数变化，并根据参数变化以及预设的稳定工作电压生成策略，产生与参数变化对应的稳定工作电压输出的控制器进行控制，即根据不断变化的电压Vdd2等参数变化来生成稳定工作电压，能有效减小延时时间受内部工作电压或工作温度等参数的变化的影响，从而得到稳定的延时时间。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本技术范围的限制。图1为现有技术中提供的DQS信号与DQ信号从主控芯片传输至半导体存储器的传输示意图。图2为本技术实施例一提供的DQS信号延时控制电路图。图3为本技术实施例二提供的包含有DQS信号延时控制电路的半导体存储器结构示意图。图4为本技术实施例三提供的DQS信号延时控制方法流程图。附图标号说明：10主控芯片；20DQ输入电路；21存储器；30DQS输入电路；40半导体存储器；50传输线路；60稳压电源；70控制器。具体实施方式在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DQS信号延时控制电路，应用于半导体存储器，其特征在于，所述延时控制电路包括DQS输入电路、DQ输入电路及传输线路，所述传输线路的输入端与所述DQS输入电路连接，所述传输线路的输出端与所述DQ输入电路连接，所述传输线路包括至少一个内部电路，且当所述内部电路为多个时，多个所述内部电路在所述DQS输入电路至所述DQ输入电路的传输方向上顺次连接；其中，所述内部电路中的至少一个接入稳压电源，所述稳压电源用于给接入的所述内部电路提供稳定工作电压；所述延时控制电路还包括控制器，所述控制器与所述稳压电源连接，所述控制器用于检测所述延时控制电路中的参数变化，并根据所述参数变化以及预设的稳定工作电压生成策略，产生与所述参数变化对应的稳定工作电压输出，所述稳定工作电压输出用于提供给所述内部电路。

【技术特征摘要】
1.一种DQS信号延时控制电路，应用于半导体存储器，其特征在于，所述延时控制电路包括DQS输入电路、DQ输入电路及传输线路，所述传输线路的输入端与所述DQS输入电路连接，所述传输线路的输出端与所述DQ输入电路连接，所述传输线路包括至少一个内部电路，且当所述内部电路为多个时，多个所述内部电路在所述DQS输入电路至所述DQ输入电路的传输方向上顺次连接；其中，所述内部电路中的至少一个接入稳压电源，所述稳压电源用于给接入的所述内部电路提供稳定工作电压；所述延时控制电路还包括控制器，所述控制器与所述稳压电源连接，所述控制器用于检测所述延时控制电路中的参数变化，并根据所述参数变化以及预设的稳定工作电压生成策略，产生与所述参数变化对应的稳定工作电压输出，所述稳定工作电压输出用于提供给所述内部电路。2.如权利要求1所述的DQS信号延时控制电路，其特征在于，所述延时控制电路中的参数变化为所述延时控制电路中的温度变化，所述预设的稳定工作电压生成策略为在预设温度范围内...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34