磁传感器制造技术

本发明专利技术提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。本发明专利技术的磁传感器(100)具有霍尔元件(10)、第一面(51)和第二面(52)。霍尔元件(10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性层(12)。第一面(51)为使基板(11)侧为下侧时成为最上侧的面。第二面(52)为使基板(11)侧为下侧时成为最下侧的面。第一面(51)与活性层(12)的靠第一面(51)侧的面之间的距离(D)为100μm以下。第一面(51)的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。

Magnetic sensor

The present invention provides a magnetic sensor that can suppress the bias voltage variation of a Holzer element. The magnetic sensor (100) of the present invention has a Holzer element (10), a first surface (51) and a second face (52). The Holzer element (10) has a substrate (10) and an active layer (12) formed on the substrate (10). The first surface (51) is to make the substrate (11) side as the lower side as the upper side of the surface. The second surface (52) is the lower side of the base (11) side as the lower side. The distance between the first (51) and the active layer (12) on the surface of the first side (51) side (D) is below 100 mu m. The arithmetic mean roughness (Ra) of the first surface (51) is more than 1 mu m and is below 20 m.

【技术实现步骤摘要】
磁传感器
本专利技术涉及一种磁传感器。
技术介绍
近年来，伴随着电子设备的小型化，电子零件也在向小型化、薄型化发展。特别是对磁传感器而言，多数情况下是传感器的厚度影响着电子设备的厚度，因此，迫切需要使封装薄型化。关于使磁传感器薄型化，例如，专利文献1中提出了下述内容：将封装做成无基岛构造(省略了用于载置霍尔元件的基岛部的构造)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016－21549号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在基板上的活性层；第一面，其为使基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使基板侧为下侧时成为最下侧的面。为了使磁传感器薄型化，期望的是，缩短霍尔元件的上表面与磁传感器的第一面之间的距离，但当该距离被缩短时，外部的光就变得容易到达霍尔元件的上表面。相伴于此，存在下述可能性：因光激发导致霍尔元件的偏置电压Vu变动。本专利技术的课题在于，提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。用于解决问题的方案为了解决上述课题，本专利技术的一技术方案的磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性层；第一面，其为使基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使基板侧为下侧时成为最下侧的面，第一面与活性层的靠第一面侧的面之间的距离为100μm以下，第一面的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。专利技术的效果采用本专利技术的一技术方案，能够提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。附图说明图1的(a)是表示实施方式的磁传感器的立体图，图1的(b)是表示实施方式的磁传感器的俯视图，图1的(c)是表示沿图1的(b)中的C－C截面所对应的剖视图，图1的(d)是表示实施方式的磁传感器的仰视图。图2是表示实施方式的磁传感器的霍尔元件部分的放大剖视图。图3是表示构成实施方式的磁传感器的霍尔元件的俯视图。图4是按工序顺序来说明实施方式的磁传感器的制造方法的俯视图。图5是按工序顺序来说明实施方式的磁传感器的制造方法中的树脂密封工序以及其之后的工序的图。附图标记说明100、磁传感器；10、霍尔元件；10a、霍尔元件的与基板相反那一侧的面；10b、霍尔元件的侧面；11、基板；12、活性层；12A、活性层的上表面(靠第一面侧的面)；13a～13d、电极；21～24、引线端子；21a～24a、引线端子的上表面；21b～24b、引线端子的内侧面；21c～24c、引线端子的外侧面；21d～24d、引线端子的外侧面；21e～24e、引线端子的下表面；31～34、金属细线；40、绝缘层；50、密封部；51、第一面；52、第二面；60、外饰镀层。具体实施方式下面，说明本专利技术的实施方式，但本专利技术不限定于下面所示的实施方式。在下面所示的实施方式中，为了实施本专利技术，限定了技术上较为优选的内容，但该限定的内容并不是本专利技术的必要条件。另外，在下面的说明所使用的附图中，所图示的各部分的尺寸关系有时与实际的尺寸关系有所不同。磁传感器的结构如图1和图2所示，本实施方式的磁传感器100具有：霍尔元件10、四个(多个)引线端子21～24、四根(多根)金属细线31～34、绝缘层40、合成树脂制的密封部50和外饰镀层60。磁传感器100不具有用于载置霍尔元件10的基岛部。即，磁传感器100为无基岛构造。如图1的(a)所示，磁传感器100的外观形状为长方体。在该长方体的内部配置有霍尔元件10、引线端子21～24、金属细线31～34和绝缘层40。构成密封部50的合成树脂填补在上述这些零件与构成长方体的六个面之间，并且形成了六个面。即，密封部50具有：第一面51，其为使霍尔元件10的基板侧为下侧时成为最上侧的面；第二面52，其为使霍尔元件10的基板侧为下侧时成为最下侧的面；及一对侧面53和一对侧面54这两对侧面。在图1的(b)中，仅图示了密封部50的第二面52。霍尔元件如图2和图3所示，霍尔元件10具有：基板11；活性层(磁感应部)12，其形成在基板11上，该活性层是由半导体薄膜构成的；及四个(多个)电极13a～13d，它们与活性层12电连接。另外，图2所示的霍尔元件10的截面与沿图3中的A－A截面相当。基板11例如为半绝缘性的砷化镓(GaAs)基板。而且，还能够将硅(Si)基板等半导体基板、铁素体基板等具有聚磁效果的基板用作基板11。活性层12例如为由含锑化铟(InSb)、砷化镓等化合物半导体的材料形成的薄膜。在本实施方式中，活性层12具有形成在基板10上的导电层12a和形成在导电层12a上的表面层12b。导电层12a例如为n型GaAs层，表面层12b例如为导电性低于导电层12a的导电性的GaAs层。如图3所示，活性层12的俯视形状为正方形，四个电极13a～13d的俯视形状为比构成活性层12的正方形的四等分之一稍小一些的正方形。电极13a～13d分别配置在构成活性层12的正方形被四等分之后得到的各区域中。如图2和图3所示，电极13a～13d均具有第一金属膜131和第二金属膜132。第一金属膜131形成在活性层12上，与活性层12直接接触。第一金属膜131的俯视形状为三角形，配置在活性层12的四个角处。另外，第一金属膜131的俯视形状不限定于三角形。第二金属膜132隔着绝缘膜14形成在活性层12的上方和第一金属膜131的上方。绝缘膜14在第一金属膜131的上方处具有开口部14a，第一金属膜131与第二金属膜132借助位于开口部14a内的金属相连接。由此，四个电极13a～13d与活性层12电连接。霍尔元件10的厚度t例如为100μm以下。引线端子引线端子21～24是用于使磁传感器100与外部构成电连接的端子。如图1的(b)所示，从俯视角度观察时，引线端子21～24配置在霍尔元件10周围。如图1的(a)～图1的(d)所示，引线端子21～24具有：上表面(靠第一面51侧的面)21a～24a、内侧面21b～24b、与密封部50的侧面53处于同一面的外侧面21c～24c、与密封部50的侧面54处于同一面的外侧面21d～24d、与密封部50的第二面52处于同一面的下表面21e～24e和缺口部21f～24f。缺口部21f～24f是呈使引线端子21～24的下半部分缺失一块儿的形状的部分，缺口部21f～24f处于靠密封部50的侧面54那一侧。引线端子21～24例如是由铜(Cu)或铜合金、铁(Fe)或含铁的合金等金属材料形成的，特别优选为铜制。也可以对引线端子21～24的上表面21a～24a或下表面21e～24e的一部分进行蚀刻(即半蚀刻)处理。而且，也可以对引线端子21～24的上表面21a～24a和下表面21e～24e中的至少一者中的一部分实施镀银(Ag)、或镀镍(Ni)－钯(Pd)－金(Au)。金属细线如图1的(b)所示，金属细线31～34分别将引线端子21～24和霍尔元件10所具有的电极13a～13d之间电连接起来。具体地讲，金属细线31将引线端子21和电极13a连接起来，金属细线32将引线端子22和电极13b连接起来，金属细线33将引线端子23和电极13c连接起来，金属细线34将引线端子24和电极13d连接起来。金属细线31～34例如是由金、银或铜形成的。绝缘层绝缘层40是以与霍尔元件10的基板11的整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器，其特征在于，该磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性层；第一面，其为使所述基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使所述基板侧为下侧时成为最下侧的面，所述第一面与所述活性层的靠所述第一面侧的面之间的距离为100μm以下，所述第一面的算术平均粗糙度Ra为1μm以上且为20μm以下。

【技术特征摘要】
2016.09.28 JP 2016-1901531.一种磁传感器，其特征在于，该磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性层；第一面，其为使所述基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使所述基板侧为下侧时成为最下侧的面，所述第一面与所述活性层的靠所述第一面侧的面之间的距离为100μm以下，所述第一面的算术平均粗糙度Ra为1μm以上且为20μm以下。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，该磁传感器具有密封部，该密封部覆盖着所述霍尔元件的与所述基板相反那一侧的面，所述密封部具有所述第一面。3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，所述霍尔元件具有多个电极，该多个电极形成在所述活性层的靠所述第一面那一侧，该多个电极与所述活性层电连接。4.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，所述活性层由半导体薄膜构成，该磁传感器具有：多个引线端子，从俯视角度观察时，它们配置在所述霍尔元件周围；及多根金属细线，它们分别将所述多个引线端子和所述霍尔元件的所述多个电极之间电连接起来，所述霍尔元件的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田拓也，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP