本发明专利技术在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明专利技术的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗蚀剂(74)而形成抗蚀剂膜(71)，对该抗蚀剂膜(71)进行曝光的步骤；对上述基板的正面供给显影液(77)而对上述抗蚀剂膜(71)进行显影的显影步骤；和在上述显影步骤前，在没有形成上述抗蚀剂膜的基板(W)的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部形成防止与上述显影液(77)接触的保护膜(72)的步骤。
Coating, developing method and coating, developing device
【技术实现步骤摘要】
涂敷、显影方法和涂敷、显影装置
本专利技术涉及在基板涂敷含有金属的抗蚀剂形成抗蚀剂膜、对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影的涂敷、显影方法和涂敷、显影装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工艺中，进行包括通过对作为基板的半导体晶片(以下记为晶片)的表面涂敷抗蚀剂而进行的抗蚀剂膜的形成、抗蚀剂膜的曝光、以及通过曝光后的抗蚀剂膜的显影而进行的抗蚀剂图案的形成的光刻步骤。近年来进行了下述研究：例如使用极端紫外线(EUV)进行曝光时的抗蚀剂图案的分辨率变高、而且在光刻步骤后的蚀刻步骤中具有高耐蚀刻性，因此使用含有金属的无机类的抗蚀剂形成抗蚀剂膜。另外，进行了下述研究：为了在曝光时产生较多的二次电子来实现曝光的高灵敏度化，在有机类的抗蚀剂中也含有金属。但是，半导体装置的制造工艺中的向晶片的非预定的部位的金属附着对半导体装置的电特性影响较大，因此，为了不引起这样的金属附着而进行严格管理。然而，在如上所述对含有金属的抗蚀剂膜进行显影时，包含溶解的抗蚀剂的显影液从晶片的正面绕到晶片的周端面和背面的周缘部，由此存在这些部位被金属污染的问题。而且，认为如上所述晶片的被污染的部位与蚀刻装置等的晶片的处理装置、晶片的搬送机构接触时，经由这些处理装置、搬送机构在该晶片后被搬送和处理的晶片也被金属污染。即，存在产生交叉污染的问题。此外，在专利文献1中记载有对晶片的周缘部供给药液而形成环状的膜的技术，但是并不能解决上述问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-62436号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术是基于上述情况而提出的，其目的在于提供在对形成在基板的正面的包含金属的抗蚀剂膜进行显影时、或对基板涂敷包含金属的抗蚀剂形成抗蚀剂膜而在对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，能够抑制金属向基板的周端面和背面侧周缘部附着的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的涂敷、显影方法，包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；对所述基板的正面供给显影液而对所述抗蚀剂膜进行显影的显影步骤；和在所述显影步骤前，在没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部，形成防止与所述显影液接触的第一保护膜的步骤。本专利技术的另一方面的涂敷、显影方法，包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；为了对所述抗蚀剂膜进行显影而对所述基板的正面供给显影液的显影步骤；和在将所述显影液供给到所述基板的周缘部前至从该基板的正面除去该显影液为止的期间，对没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少对周端面和背面侧周缘部，沿该基板的周边供给防止所述金属附着的液体的步骤。本专利技术的涂敷、显影装置，包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成组件；为了对曝光后的所述抗蚀剂膜进行显影而对所述基板的正面供给显影液的显影组件；和在没有形成所述抗蚀剂膜的所述基板的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部，在被供给所述显影液前的基板形成用于防止与所述显影液接触的保护膜的保护膜形成组件。本专利技术的另一方面的涂敷、显影装置包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成组件；为了对曝光后的所述抗蚀剂膜进行显影而对所述基板的正面供给显影液的显影组件；和在从所述显影液被供给到所述基板的周缘部前至从该基板的正面除去该显影液为止的期间，对没有形成所述抗蚀剂膜的所述基板的周缘部、至少对周端面和背面侧周缘部，沿该基板的周边供给防止所述金属附着的液体的防止附着液体供给部。专利技术效果根据本专利技术，在基板的周端面和背面侧周缘部中，在形成有用于防止被供给显影液的保护膜的状态下，对该基板的表面供给显影液而对抗蚀剂膜进行显影。由此在显影处理中，能够防止抗蚀剂膜所含的金属附着在基板的周端面和背面侧周缘部。另外，根据本专利技术的另一专利技术，在显影液供给到基板的周端面和背面侧周缘部之前至显影液被从基板除去为止的期间，向该基板的周端面和背面侧周缘部供给防止金属附着的液体。由此在显影处理中，能够防止在基板的周端面和背面侧周缘部附着抗蚀剂膜所含的金属。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的涂敷、显影装置的概略结构图。图2是设置于上述涂敷、显影装置的显影组件的纵截侧视图。图3是设置于上述涂敷、显影装置的显影组件的纵截侧视图。图4是上述显影组件的平面图。图5是设置于上述涂敷、显影装置的保护膜形成组件的纵截侧视图。图6是设置于上述涂敷、显影装置的抗蚀剂膜形成组件的纵截侧视图。图7是晶片的周缘部的纵截侧视图。图8是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图9是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图10是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图11是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图12是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图13是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图14是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图15是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图16是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图17是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图18是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图19是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图20是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图21是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图22是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图23是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图24是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图25是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图26是表示上述涂敷、显影装置的具体例的横截平面图。图27是表示上述涂敷、显影装置的具体例的立体图。图28是表示上述涂敷、显影装置的具体例的纵截侧视图。图29是本专利技术的第二实施方式所涉及的涂敷、显影装置的概略结构图。图30是在专利技术的第三实施方式使用的显影组件的纵截侧视图。图31是表示上述第三实施方式的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图32是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图33是表示上述第三实施方式的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图34是表示上述第三实施方式中的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图35是表示本专利技术的第四实施方式的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图36是表示上述第四实施方式的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图37是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图38是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图39是表示上述晶片的处理步骤的纵截侧视图。图40是在本专利技术的第五实施方式使用的显影组件的纵截侧视图。图41是表示上述第五实施方式的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图42是表示上述第五实施方式的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图43是表示第五实施方式的变形例的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图44是表示第五实施方式的变形例的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图45是表示第五实施方式的变形例的晶片的处理步骤的纵截侧视图。图46是表示本专利技术的第六实施方式中的晶片的处理步骤的立体图。图47是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图48是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图49是表示上述晶片的处理步骤的立体图。图50在本专利技术的第七实施方式使用的保护膜形成组件的侧视图。图51是表示上述抗蚀剂膜形成组件的变形例的纵截侧视图。图52是表示上述抗蚀剂膜形成组件的变形例的纵截侧视图。图53是除去保护膜的晶片的纵截侧视图。图54是形成本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种涂敷、显影方法，其特征在于，包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；对所述基板的正面供给显影液而对所述抗蚀剂膜进行显影的显影步骤；和在所述显影步骤前，在没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部，形成防止与所述显影液接触的第一保护膜的步骤。
【技术特征摘要】
2016.09.23 JP 2016-1857051.一种涂敷、显影方法，其特征在于，包括：在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；对所述基板的正面供给显影液而对所述抗蚀剂膜进行显影的显影步骤；和在所述显影步骤前，在没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部，形成防止与所述显影液接触的第一保护膜的步骤。2.如权利要求1所述的涂敷、显影方法，其特征在于：包括在将所述抗蚀剂涂敷于所述基板之前，在该基板的周端面和背面侧周缘部形成用于防止被供给抗蚀剂的第二保护膜的步骤。3.如权利要求2所述的涂敷、显影方法，其特征在于：包括在对所述抗蚀剂膜进行曝光前，除去所述第二保护膜的步骤。4.如权利要求3所述的涂敷、显影方法，其特征在于：除去所述第二保护膜的步骤包括限定性地除去形成在所述基板的背面侧周缘部的该第二保护膜的步骤，在将所述显影液供给到所述基板的背面侧周缘部前，在该背面侧周缘部形成第三保护膜，所述第一保护膜包括残留在所述基板的周端面的所述第二保护膜和所述第三保护膜。5.如权利要求4所述的涂敷、显影方法，其特征在于：所述第三保护膜是由供给到旋转的所述基板的背面侧周缘部的处理液形成的液膜。6.如权利要求1～5中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：包括除去所述第一保护膜的步骤。7.如权利要求3～6中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：除去所述第一保护膜或者所述第二保护膜的步骤包括：加热保护膜的溶剂的步骤；和将加热后的所述保护膜的溶剂供给到所述基板的步骤。8.如权利要求3～7中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：除去所述第一保护膜或者所述第二保护膜的步骤包括：使通过擦拭保护膜而将其除去的除去部与旋转的所述基板的第一保护膜或者第二保护膜抵接的步骤。9.如权利要求1～8中任一项所述的涂敷、显影方法，其特征在于：所述第一保护膜在所述抗蚀剂膜曝光后形成，包括在所述曝光后且在所述第一保护膜形成前加热所述基板的步骤。10.如权利要求9...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上真一路，水之浦宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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