半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构包含一基板；位于该基板上方的一接垫；位于该基板上方、局部覆盖该接垫且包含一突出部的一保护层，其中该突出部自该第一保护层突出且远离该基板；位于该第一保护层与自该第一保护层暴露的该接垫的一部分上方的一传导层；以及位于该传导层上方的一第二保护层，其中位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。

Semiconductor structure and its manufacturing method

A semiconductor structure includes a substrate; a pad located on the substrate; the substrate above the local coverage of the pad and a protective layer includes a protrusion, wherein the protrusion from the first protective layer is outstanding and away from the substrate; a conductive layer on the first protective layer and the self exposure the first protective layer of the pad over a portion of the conductive layer; and at the top of a second protective layer, which is located in the bulge above the conduction layer protection layer is exposed from the second.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本公开涉及包括一种具有保护层(passivation)的半导体结构，其中该保护层包含一突出部，经配置以吸收或缓和该半导体结构上方的应力。
技术介绍
半导体装置对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体装置的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体装置的规模微小化，晶圆级晶片规模封装(waferlevelchipscalepackaging，WLCSP)广泛用于制造。在此等小半导体装置内，实施许多制造步骤。然而，微型化规模的半导体装置的制造变得越来越复杂。制造半导体装置的复杂度增加可造成缺陷，例如电互连不良、发生破裂、或元件脱层(delamination)。因此，修饰结构与制造半导体装置有许多挑战。上文的「现有技术」说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种半导体结构，该半导体结构包括一基板；位于该基板上方的一接垫；位于该基板上方、环绕该接垫并且包含一突出部的一第一保护层，其中该突出部自该第一保护层突出且远离该基板；位于该第一保护层与自该第一保护层暴露的该接垫的一部分上方的一传导层；以及位于该传导层上方的一第二保护层，其中位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。在本公开的实施例中，该传导层经配置与该突出部共形。在本公开的实施例中，该传导层电连接该接垫。在本公开的实施例中，该第一保护层与该突出部一体成形。在本公开的实施例中，该第一保护层包含弹性体、环氧化合物、或聚酰亚胺。在本公开的实施例中，该第二保护层包含一开口，该开口暴露位于该接垫上方的该传导层。在本公开的实施例中，该第一保护层包含一第一介电层与一第二介电层，该第一介电层位于该基板上方并且局部覆盖该接垫，以及该第二介电层位于该第一介电层上方、局部覆盖该接垫并且包含自该第二介电层突出且远离开第一介电层的该突出部。在本公开的实施例中，该半导体结构还包括一传导凸块，该传导凸块覆盖自该第二保护层暴露的该传导层。在本公开的实施例中，该传导凸块经由该传导层而电连接至该接垫。在本公开的实施例中，该传导凸块环绕该突出部，或该突出部突出至该传导凸块中。本公开的实施例另提供一种半导体结构的制造方法，该制造方法包含：提供包含一凹部的一载体；配置一第一保护层于该载体上方并且填充该凹部；提供一基板，其中一接垫位于基板上方；接合该第一保护层与该基板以将该接垫插至该第一保护层中；移除该载体；移除该第一保护层的一部分以暴露该接垫的一暴露部分；配置一传导层于该第一保护层与该接垫的该暴露部分上方；配置一第二保护层于该传导层上方，其中该第一保护层包含一突出部，该突出部自该第一保护层突出且远离该基板，并且位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。在本公开的实施例中，该制造方法另包含：在配置该第一保护层之前，配置一释放膜于该载体与该凹部上方；或在接合该基板与该第一保护层之后，硬化该第一保护层；或在移除该载体之前，翻转与该第一保护层接合的该基板；或配置一传导凸块于自该第二保护层暴露的该传导层上方。在本公开的实施例中，该第一保护层的配置包含进行旋涂工艺。在本公开的实施例中，配置该传导层包含进行镀工艺、电镀、或无电镀工艺。在本公开的实施例中，该突出部位于该凹部内。在本公开的实施例中，该第一保护层包含一第一介电层与一第二介电层，其中该第一介电层位于该基板上方并且覆盖该接垫，该第二介电层位于该载体上方并且填充该凹部，该第一介电层接合该第二介电层，该制造方法包含移除该第一介电层的一部分与该第二介电层的一部分以暴露该接垫的该暴露部分。在本公开的实施例中，该第一保护层包含一第一介电层与一第二介电层，该第一介电层位于该基板上方、覆盖该接垫并且包含自该第一介电层突出且远离该基板的该突出部，该第二介电层经配置与该第一介电层及该突出部共形，该制造方法包含移除该第一介电层的一部分与该第二介电层的一部分以暴露该接垫的该暴露部分。本公开的实施例另提供一种半导体结构的制造方法，该制造方法包含：提供含有一凹部的一载体；配置一第二保护层于该载体上方；配置一传导层于该第二保护层与该凹部上方；配置一第一保护层于该传导层与该第二保护层上方；提供一基板，其中一接垫位于基板上方；接合该基板与该第一保护层以将该接垫插至该第一保护层中；配置该接垫于该传导层上方；移除该载体；移除该第二保护层的一部分以暴露该传导层的一暴露部分，其中该第一保护层包含一突出部，该突出部自该第一保护层突出且远离该基板，以及自该第二保护层暴露的该传导层的该暴露部分位于该突出部上方。在本公开的实施例中，该第二保护层经配置与该凹部的侧壁共形，或该传导层经配置与该第二保护层共形。在本公开的实施例中，该方法另包含：在配置该第二保护层之前，配置一释放膜于该载体与该凹部上方；或在接合该基板与该第一保护层之后，硬化该第一保护层；或在移除该载体之前，翻转与该第一保护层接合的该基板；或配置一传导凸块于自该第二保护层暴露的该传导层的该暴露部分上方。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，俾使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本领域技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本领域技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅详细说明与权利要求结合考虑附图时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1为剖面示意图，例示本公开的实施例的半导体结构。图2至图4为剖面示意图，例示本公开的实施例中具有各种形状的突出部的半导体结构。图5为剖面示意图，例示本公开的实施例的半导体结构，该半导体结构具有暴露的传导层的一部分。图6为剖面示意图，例示本公开的实施例的半导体结构，该半导体结构具有球形的传导凸块。图7为剖面示意图，例示本公开的实施例的半导体结构，该半导体结构包含两个介电层。图8为剖面示意图，例示本公开的实施例的半导体结构，该半导体结构具有暴露的传导层的一部分。图9为剖面示意图，例示本公开的实施例的半导体结构。图10为剖面示意图，例示本公开的实施例的半导体结构，该半导体结构具有暴露的传导层的一部分。图11为流程图，例示本公开的实施例的半导体结构的制造方法。图12至图23为示意图，例示本公开的实施例通过图11的方法制造半导体结构。图24为流程图，例示本公开的实施例的半导体结构的制造方法。图25至图36为示意图，例示本公开的实施例通过图24的方法制造半导体结构。图37为流程图，例示本公开的实施例半导体结构的制造方法。图38至图49为示意图，例示本公开的实施例通过图37的方法制造半导体结构。图50为流程图，例示本公开的实施例半导体结构的制造方法。图51至图62为示意图，例示本公开的实施例通过图50的方法制造半导体结构。附图标记说明：100半导体结构101基板101a第一表面101b第二表面102接垫103第一保护层103a第一开口103b突出部103c第一介电层103d第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一基板；一接垫，位于该基板上方；一第一保护层，位于该基板上方，环绕该接垫，并且包含一突出部，该突出部自该第一保护层突出且远离该基板；一传导层，位于该第一保护层与自该第一保护层暴露的该接垫的一部分上方；以及一第二保护层，位于该传导层上方；其中位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。

【技术特征摘要】
2016.09.21 US 15/271,7481.一种半导体结构，包括：一基板；一接垫，位于该基板上方；一第一保护层，位于该基板上方，环绕该接垫，并且包含一突出部，该突出部自该第一保护层突出且远离该基板；一传导层，位于该第一保护层与自该第一保护层暴露的该接垫的一部分上方；以及一第二保护层，位于该传导层上方；其中位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该传导层经配置与该突出部共形。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该传导层电连接该接垫。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一保护层与该突出部一体成形。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一保护层包含弹性体、环氧化合物、或聚酰亚胺。6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二保护层包含一开口，该开口暴露位于该接垫上方的该传导层。7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一保护层包含一第一介电层与一第二介电层，该第一介电层位于该基板上方并且局部覆盖该接垫，该第二介电层位于该第一介电层上方、局部覆盖该接垫并且包含自该第二介电层突出且远离该第一介电层的该突出部。8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一传导凸块，该传导凸块覆盖自该第二保护层暴露的该传导层。9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该传导凸块经由该传导层而电连接至该接垫。10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该传导凸块环绕该突出部，或该突出部突出至该传导凸块中。11.一种半导体结构的制造方法，包括：提供一载体，该载体包含一凹部；配置一第一保护层于该载体上方，并且填充该凹部；提供一基板，其中一接垫位于该基板上方；接合该第一保护层与该基板，以将该接垫插入于该第一保护层中；移除该载体；移除该第一保护层的一部分，以暴露该接垫的一暴露部分；配置一传导层于该第一保护层与该接垫的该暴露部分上方；配置一第二保护层于该传导层上方，其中该第一保护层包含一突出部，该突出部自该第一保护层突出且远离该基板，并且位于该突出部上方的该传导层自该第二保护层暴露。12.如权利要求11所述的制造方法，还包括：在配置该第一保护层之前，配置一释出膜于该载体与...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏均，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71