一种具有增强浪涌功能的保护芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有增强浪涌功能的保护芯片，包括壳体和引线，所述壳体的一侧卡接有第一引脚，所述壳体的另一侧卡接有第二引脚，所述壳体的中部卡接有第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的夹缝处嵌接有铜粒。该种实用新型专利技术设计合理，使用方便，通过在第一芯片与第二芯片之间嵌接铜粒，可以有效提高保护芯片的浪涌能力，为此可以有效提高对电子元器件保护的性能，简单方便，便于安装，适合广泛推广。

A protection chip with enhanced surge function

【技术实现步骤摘要】
一种具有增强浪涌功能的保护芯片
本技术芯片保护
，特别涉及一种具有增强浪涌功能的保护芯片。
技术介绍
瞬态抑制二极管简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两级受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度将两极的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件(IC)免受各种浪涌脉冲的损坏。但是目前，在电路里它需要承受1500W的浪涌能力，使用的封装是SMC(DO-214AB)，体积大，成本高，而且采用的是将两个芯片叠加在一起的封装结构，功率有时达不到1500W，性能较差，使用起来具有一定的局限性。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种具有增强浪涌功能的保护芯片，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种具有增强浪涌功能的保护芯片，包括壳体和引线，所述壳体的一侧卡接有第一引脚，所述壳体的另一侧卡接有第二引脚，所述壳体的中部卡接有第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的夹缝处嵌接有铜粒。进一步地，所述第一引脚通过引线连接于壳体的上部。进一步地，所述第二引脚通过引线连接于壳体的下部。进一步地，所述第一芯片和第二芯片的截面为矩形结构。进一步地，所述壳体的形状为长方体，且壳体为密封结构。进一步地，所述第一芯片和第二芯片之间大小相等，且相互平行。进一步地，所述铜粒的材料为紫铜。进一步地，所述铜粒为正方形结构。进一步地，所述铜粒的边长为1.8mm。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：该种技术设计合理，使用方便，通过在两个芯片中间加一个铜粒来增强浪涌能力，而原来的芯片是尺寸为2.0mm的两个芯片叠加，功率达不到1500W，通过在中间加一个1.8MM的铜粒可以有效达到1500W，为此来提高保护芯片的浪涌能力，并使电子元器件保护的性能得到提升，而且该种封装结构，可以有效减小体积，并降低制造成本，简单方便，便于安装，适合广泛推广。【附图说明】图1为本技术的主视结构示意图。图2为本技术的俯视结构示意图。图3为本技术的立体结构示意图。图中：1、第一引脚；2、壳体；3、第二引脚；4、第一芯片；5、引线；6、第二芯片；7、铜粒。【具体实施方式】为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。如图1-3所示，一种具有增强浪涌功能的保护芯片，包括壳体2和引线5，所述壳体2的一侧卡接有第一引脚1，所述壳体2的另一侧卡接有第二引脚3，所述壳体2的中部卡接有第一芯片4和第二芯片6，所述第一芯片4和第二芯片6的夹缝处嵌接有铜粒7。其中，所述第一引脚1通过引线5连接于壳体2的上部。其中，所述第二引脚3通过引线5连接于壳体2的下部。其中，所述第一芯片4和第二芯片6的截面为矩形结构。其中，所述壳体2的形状为长方体，且壳体2为密封结构。其中，所述第一芯片4和第二芯片6之间大小相等，且相互平行。其中，所述铜粒7的材料为紫铜。其中，所述铜粒7为正方形结构。其中，所述铜粒7的边长为1.8mm。需要说明的是，本技术为一种具有增强浪涌功能的保护芯片，通过在壳体2内部的第一芯片4与第二芯片6之间嵌接铜粒7，为此可以在原来第一芯片4与第二芯片6的叠加封装结构的基础上，提升保护芯片的浪涌能力至1500W，最后，操作者只需将壳体2上的第一引脚1与第二引脚3接入外接设备即可。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有增强浪涌功能的保护芯片，包括壳体(2)和引线(5)，其特征在于：所述壳体(2)的一侧卡接有第一引脚(1)，所述壳体(2)的另一侧卡接有第二引脚(3)，所述壳体(2)的中部卡接有第一芯片(4)和第二芯片(6)，所述第一芯片(4)和第二芯片(6)的夹缝处嵌接有铜粒(7)。

【技术特征摘要】
1.一种具有增强浪涌功能的保护芯片，包括壳体(2)和引线(5)，其特征在于：所述壳体(2)的一侧卡接有第一引脚(1)，所述壳体(2)的另一侧卡接有第二引脚(3)，所述壳体(2)的中部卡接有第一芯片(4)和第二芯片(6)，所述第一芯片(4)和第二芯片(6)的夹缝处嵌接有铜粒(7)。2.根据权利要求1所述的一种具有增强浪涌功能的保护芯片，其特征在于：所述第一引脚(1)通过引线(5)连接于壳体(2)的上部。3.根据权利要求1所述的一种具有增强浪涌功能的保护芯片，其特征在于：所述第二引脚(3)通过引线(5)连接于壳体(2)的下部。4.根据权利要求1所述的一种具有增强浪涌功能的保护芯片，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭小红，
申请(专利权)人：萨锐微电子上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31