基板处理方法技术

一种基板处理方法，包括：将基板保持为水平的基板保持工序；将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的基板的上表面，形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序；在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序；通过将开口扩大而将液膜从被保持为水平的基板的上表面排除的液膜排除工序；向设定在开口的外侧的第一着液点，供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序；向设定在开口的外侧且比第一着液点更远离开口的第二着液点，供给使被保持为水平的基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序；以及使第一着液点和第二着液点追随开口的扩大而移动的着液点移动的工序。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法
本专利技术涉及处理基板的基板处理方法。成为处理对象的基板，包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(FieldEmissionDisplay，场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
技术介绍
在每次处理一张基板的单张式基板处理装置的基板处理中，例如对被旋转夹具保持为大致水平的基板供给药液。然后，向基板供给冲洗液，由此将基板上的药液替换为冲洗液。然后，进行旋转干燥工序以排除基板上的冲洗液。如图12所示，在基板表面上形成有微细的图案时，在旋转干燥工序中有可能不能去除进入图案(pattern)内部的冲洗液。由此，可能会产生干燥不良。进入图案内部的冲洗液的液面(空气和液体之间的界面)形成在图案的内部。因此，液体表面张力作用在液面和图案之间的接触位置。在该表面张力较大的情况下，容易发生图案的坍塌。水作为典型的冲洗液，表面张力较大。因此，旋转干燥工序中的图案的坍塌不能忽视。于是可以考虑供给比水的表面张力更低的低表面张力液体即异丙醇(IsopropylAlcohol:IPA)，来将进入到图案内部的水替换为IPA，之后通过去除IPA来使基板的上表面干燥。但是，即使在将进入到图案内部的水替换为IPA的情况下，IPA的表面张力持续作用在图案时等，仍会发生图案的坍塌。因此，必须将IPA从基板的上表面迅速排除。另一方面，美国专利申请公开第2010/240219号说明书揭示了在基板的表面形成浸润性的低憎水性(疏水性)的保护膜的基板处理。在该基板处理中，因为保护膜降低了图案受到的IPA的表面张力，所以能够防止图案的坍塌。具体而言，在该基板表面处理中，通过向基板表面的旋转中心附近供给硅烷偶联剂，并利用基板旋转产生的离心力，使硅烷偶联剂遍布在基板表面的全部区域，从而形成保护膜。然后，向基板的旋转中心供给IPA，利用基板旋转产生的离心力，使IPA遍布在基板的表面全部领域，从而用IPA替换基板表面上残留着的硅烷偶联剂。在美国专利申请公开第2010/240219号说明书中记载的基板表面处理中，向基板表面供给的硅烷偶联剂在被IPA替换之前的期间劣化，基板表面的疏水性有可能会下降。这样，就有可能不能充分地降低图案受到的IPA的表面张力。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是，提供基板处理方法，该方法能够用低表面张力液体迅速地替换供给到基板上表面的疏水化剂，并且，能够迅速排除基板上表面的低表面张力液体。本专利技术提供的基板处理方法，包括：将基板保持为水平的基板保持工序；将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的前述基板的上表面形成前述低表面张力液体的液膜的液膜形成工序；在前述液膜的中央区域形成开口的开口形成工序；通过将前述开口扩大而将前述液膜从被保持为水平的前述基板的上表面排除的液膜排除工序；向设定在前述开口的外侧的第一着液点供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序；向设定在前述开口的外侧并且比前述第一着液点更远离前述开口的第二着液点供给使被保持为水平的前述基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序；和使前述第一着液点和前述第二着液点追随前述开口的扩大而移动的着液点移动工序。基于该方法，向第一着液点供给比水的表面张力更低的低表面张力液体。第一着液点设定在液膜中央区域所形成的开口的外侧。向第二着液点供给使基板的上表面疎水化的疏水化剂。第二着液点设定在开口的外侧并且比第一着液点更远离开口的位置。因此，以追随前述开口的扩大的方式使第一着液点和第二着液点移动时，供给到第二着液点的疏水化剂被供给到第一着液点的低表面张力液体迅速地替换。另外，因为能够一边从基板的上表面排除液膜一边向开口的外侧供给低表面张力液体和疏水化剂，所以能够从基板的上表面迅速排除供给到第一着液点的低表面张力液体。在本专利技术的一个实施方式中，前述着液点移动工序包括使前述第一着液点追随前述第二着液点的移动而移动的工序。基于该方法，通过以追随第二着液点的移动的方式使第一着液点移动，从而供给到第二着液点的疏水化剂被供给到第一着液点的低表面张力液体更加迅速地替换。在本专利技术的一个实施方式中，前述基板处理方法还包括与前述液膜排除工序并行地使被保持为水平的所述基板旋转的基板旋转工序。而且，前述第一着液点设定在比前述第二着液点更靠基板旋转方向上游侧的位置。基于该方法，因为第一着液点位于比第二着液点更靠基板旋转方向上游侧的位置，所以供给到第二着液点的疏水化剂被供给到比第二着液点更靠基板旋转方向上游侧的位置的低表面张力液体迅速地替换。在本专利技术的一个实施方式中，前述着液点移动工序包括喷嘴移动工序，在该喷嘴移动工序中，通过驱动支撑部件而使第一喷嘴和第二喷嘴沿着被保持为水平的前述基板的上表面移动，向前述第一着液点供给前述低表面张力液体的第一喷嘴和向前述第二着液点供给前述疏水化剂的第二喷嘴被同一个前述支撑部件支撑。基于该方法，用同一个支撑部件支撑着向第二着液点供给疏水化剂的第二喷嘴和向第一着液点供给低表面张力液体的第一喷嘴。因此，与用不同的部件支撑各个喷嘴的情况相比较，更容易控制第一着液点和第二着液点的位置。另外，能够在使第一着液点和第二着液点之间保持恒定的间隔的同时，使第一喷嘴和第二喷嘴沿着基板的上表面移动。因此，与分别使第一喷嘴和第二喷嘴移动的情况相比较，能够抑制由低表面张力液体不均匀地替换疏水化剂。在本专利技术的一个实施方式中，前述基板处理方法还包括：向第三着液点供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的工序，前述第三着液点设定在前述开口的外侧并且比前述第二着液点更远离前述开口的位置。基于该方法，因为向设定在开口的外侧并且比第二着液点更远离开口的位置的第三着液点供给低表面张力液体，所以能够抑制通过扩大开口来排除液膜前部分液膜蒸发而引发的液膜破裂。因此，能够从基板的上表面良好地排除液膜。在本专利技术的一个实施方式中，前述着液点移动工序包括使前述第三着液点追随前述第二着液点的移动而移动的工序。基于该方法，通过使前述第三着液点追随前述第二着液点的移动而移动，能够进一步抑制通过扩大开口来排除液膜之前部分液膜蒸发而引发的液膜破裂。在本专利技术的一个实施方式中，前述基板处理方法还包括对被保持为水平的所述基板进行加热的基板加热工序。前述基板加热工序先于前述疏水化剂供给工序开始。基于该方法，因为对基板进行加热的基板加热工序先于疏水化剂供给工序开始，所以供给至第二着液点的疏水化剂被迅速地加热。由此，能够提高基板上的疏水化剂的活性。通过向第二着液点供给提高了活性的疏水化剂，能够提高基板上表面的疏水性。在本专利技术的一个实施方式中，在前述低表面张力液体供给工序结束为止的期间，前述基板加热工序一直持续进行。基于该方法，因为前述基板加热工序在前述低表面张力液体供给工序结束为止的期间持续进行，所以促使供给到第一着液点的低表面张力液体蒸发。因此，促使开口扩大。因此，能够从基板的上表面更加迅速地排除液膜。通过以下参照附图描述的实施方式的说明，本专利技术的上述的
技术实现思路
或进一步的其他的目的、特点和效果将更加清楚。附图说明图1是用图解的方式说明本专利技术第一实施方式的基板处理装置的内部布局的俯视图。图2是用图解的方式说明前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的所述基板的上表面，形成所述低表面张力液体的液膜；开口形成工序，在所述液膜的中央区域形成开口；液膜排除工序，通过将所述开口扩大，来将所述液膜从被保持为水平的所述基板的上表面排除；低表面张力液体供给工序，向设定在所述开口的外侧的第一着液点供给比水的表面张力更低的低表面张力液体；疏水化剂供给工序，向设定在所述开口的外侧并且比所述第一着液点更远离所述开口的第二着液点供给疏水化剂，所述疏水化剂使被保持为水平的所述基板的上表面疎水化；着液点移动工序，使所述第一着液点和所述第二着液点追随所述开口的扩大而移动。

【技术特征摘要】
2016.08.31 JP 2016-1701711.一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的所述基板的上表面，形成所述低表面张力液体的液膜；开口形成工序，在所述液膜的中央区域形成开口；液膜排除工序，通过将所述开口扩大，来将所述液膜从被保持为水平的所述基板的上表面排除；低表面张力液体供给工序，向设定在所述开口的外侧的第一着液点供给比水的表面张力更低的低表面张力液体；疏水化剂供给工序，向设定在所述开口的外侧并且比所述第一着液点更远离所述开口的第二着液点供给疏水化剂，所述疏水化剂使被保持为水平的所述基板的上表面疎水化；着液点移动工序，使所述第一着液点和所述第二着液点追随所述开口的扩大而移动。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述着液点移动工序包括使所述第一着液点追随所述第二着液点的移动而移动的工序。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，还包括：基板旋转工序，与所述液...

【专利技术属性】
技术研发人员：日野出大辉，藤井定，武明励，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP