一种气体富集解析装置及气体预处理系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及气体检测领域，尤其针对多晶硅生产中尾气的检测，公开了一种气体富集解析装置及气体预处理系统。气体富集解析装置的冷阱池和加热池相连，转换装置一端设置于冷阱池或加热池，转换装置的另一端设置有吸附柱，通过伸缩和/或转动转换装置可以选择性地将吸附柱置于冷阱池或加热池内。本实用新型专利技术的气体预处理系统包括该气体富集解析装置。这样将冷阱池和加热池一体化设置，减少了技术人员在对气体检测时，对冷却富集装置以及加热解析装置的布置，使用方便。可以在冷却富集完立刻使用转换装置将吸附柱转移到加热池中进行加热、解析，这样将杂质富集和加热解析一体化，简化了转移待测试气体的操作，实验稳定性高。

【技术实现步骤摘要】
一种气体富集解析装置及气体预处理系统
本技术涉及气体检测领域，尤其针对多晶硅生产过程中尾气的检测，具体而言，涉及一种气体富集解析装置及气体预处理系统。
技术介绍
多晶硅生产中，尾气中杂质的多少直接体现了整个系统的干净与否，当杂质含量达到某一较高的范围时，会严重影响整个系统及后续产品的质量。其中，硼磷化合物严重影响多晶硅产品质量。但是某些杂质几乎都是超痕量级的，大约在个位数ppb范围甚至更低，这使得检测条件变得更加苛刻。针对该问题，已有的方法是先将杂质气体通过富集进行浓缩，从而增大含量便于检测。但是，这样先对杂质气体进行富集，再将气体转移到加热装置中加热解析，然后进行检测。待测试气体的转移运输过程麻烦，并且影响了实验的稳定性。并且在测试现场还需要对各个装置进行布置，操作复杂，不利于在现场展开实验。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种气体富集解析装置，其将杂质富集、加热解析过程一体化，操作方便，检测稳定性高。本技术的另一目的在于提供一种气体预处理系统，该系统集杂质富集、加热解析为一体，操作方便，检测过程稳定性高。本技术的实施例是这样实现的：一种气体富集解析装置，其包括冷阱池、和冷阱池相连的加热池以及转换装置，转换装置一端设置于冷阱池或加热池，转换装置的另一端设置有吸附柱，通过伸缩和/或转动转换装置可以选择性地将吸附柱置于冷阱池或加热池内。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的转换装置包括连接杆、用于驱动连接杆相对于冷阱池或加热池移动的驱动部，连接杆的一端连接于吸附柱，连接杆的另一端连接于驱动部。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的驱动部包括用于驱动连接杆升降的顶升驱动部，以及用于驱动连接杆转动的转动驱动部。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的冷阱池包括第一外壁和第一内壁，第一内壁形成具有开口的冷阱腔体，第一外壁和第一内壁之间填充有绝热材料。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的加热池包括第二外壁和第二内壁，第二内壁形成具有开口的加热腔体，第二外壁和第二内壁之间填充有绝热材料。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的冷阱腔体的开口处设置有冷阱盖，冷阱盖设置有多个热量交换口，冷阱盖还设置有用于控制热量交换口开关的电磁阀。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的气体解析装置还包括温控器和显示屏，冷阱池与加热池内分别设置有温度感应器，温度感应器与显示屏电连接，温控器与电磁阀电连接。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的吸附柱两端设置有封口器。在本技术的一种实施例中，上述气体富集解析装置的冷阱池和加热池通过合页连接。一种气体预处理系统，其包括上述的气体富集解析装置。本技术实施例的有益效果是：本技术的气体富集解析装置，包括冷阱池、和冷阱池相连的加热池以及转换装置，转换装置一端设置于冷阱池或加热池，转换装置的另一端设置有吸附柱，通过伸缩和/或转动转换装置可以选择性地将吸附柱置于冷阱池或加热池内。本技术的气体预处理系统包括该气体富集解析装置。这样将冷阱池和加热池一体化设置，减少了技术人员在对气体进行检测前的预处理时，对冷却富集装置以及加热解析装置的布置，使用方便。可以在冷却富集完立刻使用转换装置将吸附柱转移到加热池中进行加热、解析，这样简化了转移待测试气体的操作，实验稳定性高。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本技术实施例中气体富集解析装置的结构示意图；图2为本技术实施例中气体富集解析装置折叠后的结构示意图；图3为本技术实施例中冷阱盖的结构示意图；图4为本技术实施例中气体预处理系统的结构示意图。图标：100-气体富集解析装置；110-冷阱池；111-合页；112-冷阱盖；113-分盖；114-半圆缺口；115-热量交换口；116-液氮加入口；120-加热池；122-发热体；124-凹陷；130-转换装置；132-驱动部；134-第一杆体；135-第二杆体；140-吸附柱；142-封口器；150-显示屏；160-温控器；200-气体预处理系统；210-储气室；220-氮气室；230-输气管线；232-流量计。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“横向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术的实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例图1为本技术实施例中气体富集解析装置100的结构示意图。请参照图1，本实施例提供一种气体富集解析装置100，其包括冷阱池110、加热池120以及连接有吸附柱140的转换装置130。冷阱池110可以对待检测气体进行冷却，使气体内的杂质气体液化富集，从而与主气体分离。加热池120可以对富集的杂质进行加热解析。在本实施例中，冷阱池110和加热池120连接在一起，冷阱池110和加热池120的开口朝上，并且大致在同一水平上。转换装置130设置于冷阱池110，并且在使用时，可以利用转换装置130的升降以及转动，选择性地将吸附柱140置于冷阱池110或加热池120内。这样简化了测试的操作，将富集和解析在同一装置上完成，稳定性高，也减少了分别对冷却装置和加热装置的布置。本实施例的气体富集解析装置100可以用于多晶硅生产中尾气的检测实验。应当注意，利用冷阱池110来富集杂质气体的方法，适用于杂质的沸点高于主气体的情况。在本技术的其他实施例中，转换本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体富集解析装置，其特征在于，所述气体富集解析装置包括冷阱池、和所述冷阱池相连的加热池以及转换装置，所述转换装置一端设置于所述冷阱池或所述加热池，所述转换装置的另一端设置有吸附柱，通过伸缩和/或转动所述转换装置可以选择性地将所述吸附柱置于所述冷阱池或所述加热池内。

【技术特征摘要】
1.一种气体富集解析装置，其特征在于，所述气体富集解析装置包括冷阱池、和所述冷阱池相连的加热池以及转换装置，所述转换装置一端设置于所述冷阱池或所述加热池，所述转换装置的另一端设置有吸附柱，通过伸缩和/或转动所述转换装置可以选择性地将所述吸附柱置于所述冷阱池或所述加热池内。2.根据权利要求1所述的气体富集解析装置，其特征在于，所述转换装置包括连接杆、用于驱动所述连接杆相对于所述冷阱池或所述加热池移动的驱动部，所述连接杆的一端连接于所述吸附柱，所述连接杆的另一端连接于所述驱动部。3.根据权利要求2所述的气体富集解析装置，其特征在于，所述驱动部包括用于驱动所述连接杆升降的顶升驱动部，以及用于驱动所述连接杆转动的转动驱动部。4.根据权利要求1所述的气体富集解析装置，其特征在于，所述冷阱池包括第一外壁和第一内壁，所述第一内壁形成具有开口的冷阱腔体，所述第一外壁和所述第一内壁之间填充有绝热材料。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丙军，曹岩德，宗冰，安军林，陈兆峰，李伟珍，
申请(专利权)人：亚洲硅业青海有限公司，
类型：新型
国别省市：青海,63