基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

提供一种基板处理装置，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗了的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。这样的基板处理装置及基板处理方法能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分地清洗。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法
本专利技术涉及一种基板处理装置及一种基板处理方法。
技术介绍
CMP(ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光)装置等的基板处理装置使用浆料来对基板进行研磨，并在其后对基板进行清洗。但是，在基板处理装置内的清洗中，清洗力未必充分，大多使用与基板处理装置分体的基板清洗装置来对基板进行清洗。如此，有导致基板处理的工序数增加的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开第2008-114183号公报专利文献2：日本特许第3725809号公报本专利技术鉴于这样的问题点而完成，该课题是提供能够以较少的工序对研磨后的基板进行充分的清洗的基板处理装置及基板处理方法。
技术实现思路
本根据本专利技术的一方式，提供一种基板处理装置，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗后的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。在基板处理装置内设置第一清洗部及第二清洗部。并且，通过使用硫酸及过氧化氢溶液的第一清洗部所进行的清洗，能够除去研磨液。通过使用碱性的药液及过氧化氢溶液的第二清洗部所进行的清洗，能够除去由第一清洗部所使用的硫酸产生的成分。由此，能够以较少的工序数对研磨后的基板进行充分清洗。最好是，不具有使由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的所述基板干燥的机构。并且，最好是，具备搬运部，该搬运部不使由所述研磨部研磨后的基板干燥就将该基板搬运到所述第一清洗部。进一步，最好是，具备第一液体供给机构，该第一液体供给机构对由所述搬运部搬运中的基板冲淋液体。并且，最好是，该搬运部具备基板站和第二液体供给机构，在所述基板站载放由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的基板，所述第二液体供给机构对载放于所述基板站的基板冲淋液体。通过不使研磨后的基板干燥，能够在由第一清洗部进行清洗时更有效率地除去基板上的残渣。最好是，所述第一清洗部收纳于第一框体，该第一框体设有可开闭的第一闸门，所述第二清洗部收纳于第二框体，该第二框体设有可开闭的第二闸门，所述干燥部收纳于第三框体，该第三框体设有可开闭的第三闸门。由此，能够抑制第一清洗部所使用的硫酸、过氧化氢溶液侵入到第二清洗部、干燥部，能够抑制第二清洗部所使用的碱性的药液、过氧化氢溶液侵入到第一清洗部、干燥部。最好是，具备第三清洗部，该第三清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗，所述第一清洗部对由所述第三清洗部清洗后的基板进行清洗。最好是，所述第三清洗部一边将碱性的药液及过氧化氢溶液供给到所述基板，一边使清洗部件接触并清洗所述基板。最好是，所述第二清洗部在使用碱性的药液及过氧化氢溶液对所述基板进行清洗之后，进行双流体喷射清洗。通过这些结构，能够提高清洗能力。所述研磨部可以使用包含二氧化铈的研磨液来对所述基板进行研磨。通过第一清洗部所进行的清洗，能够减少二氧化铈的残留。并且，根据本专利技术的一方式，提供一种基板处理方法，具备：研磨工序、第一清洗工序、第二清洗工序及干燥工序，在所述研磨工序中，通过基板处理装置中的研磨部，使用研磨液对基板进行研磨；在所述研磨工序之后的所述第一清洗工序中，通过所述基板处理装置中的第一清洗部，使用硫酸及过氧化氢溶液对所述基板进行清洗；在所述第一清洗工序之后的所述第二清洗工序中，通过所述基板处理装置中的第二清洗部，使用碱性的药液及过氧化氢溶液对所述基板进行清洗；在所述第二清洗工序之后的所述干燥工序中，通过所述基板处理装置中的干燥部，使所述基板干燥。通过设于基板处理装置内的第一清洗部及第二清洗部来进行使用硫酸及过氧化氢溶液的清洗，和使用碱性的药液及过氧化氢溶液的清洗。由此，能够以较少的工序数对研磨后的基板进行充分地清洗。最好是，在所述研磨工序之后具备搬运工序，在该搬运工序中，不使研磨后的基板干燥就将该基板从所述研磨部搬运到所述第一清洗部。通过不使研磨后的基板干燥，在由第一清洗部进行的清洗时，能够更有效率地除去基板上的残渣。根据本专利技术的一方式，提供一种基板处理方法，具备：第一清洗工序、第二清洗工序及干燥工序，在所述第一清洗工序中，使用硫酸及过氧化氢溶液来对附着有铈离子的基板进行清洗；在所述第一清洗工序之后的所述第二清洗工序中，使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对所述基板进行清洗；在所述第二清洗工序之后的所述干燥工序中，使所述基板干燥。通过使用硫酸及过氧化氢溶液来对基板进行清洗，能够除去铈离子。其后，通过使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对基板进行清洗，能够除去硫酸。最好是，在所述第一清洗工序中，对附着有铈浓度为1.0×1010atms/cm2以上的铈离子的基板进行清洗，经过所述干燥工序的基板的铈浓度在利用ICP-MS法进行的测定中为检测界限以下。在所述第一清洗工序及/或所述第二清洗工序中，也可以对所述基板进行加热。最好是，在所述第一清洗工序之前，具备如下工序中的至少一个：对附着有铈离子的所述基板供给碱性的药液及过氧化氢溶液的工序；使旋转的海绵部件与附着有铈离子的所述基板接触的工序；以及对附着有铈离子的所述基板供给气体及液体的喷射流的工序。通过进行这样的粗清洗，能够进一步提高一系列的基板清洗工序中的清洗能力。最好是，所述第一清洗工序、所述第二清洗工序及所述干燥工序在清洗槽内进行，在所述第一清洗工序和所述第二清洗工序之间，具备对所述清洗槽的内侧进行清洗的工序，在所述第二清洗工序与所述干燥工序之间，具备对所述清洗槽的内侧进行清洗的工序。由此，能够抑制药液(尤其是硫酸与碱性的药液)反应。最好是，具备研磨工序，该研磨工序在所述第一清洗工序之前，使用包含铈离子的浆料对所述基板进行研磨，在所述研磨工序和所述第一清洗工序之间，不使研磨后的基板干燥。通过不使研磨后的基板干燥，能够抑制产生水印的担忧并且能够抑制二氧化铈固定于晶片的担忧，能够更可靠地从基板上除去二氧化铈。专利技术效果能够以较少的工序数对研磨后的基板进行充分的清洗。并且能够缩短总处理时间。并且，对于使用二氧化铈而研磨的基板，不用通过别的途径利用另外设置的清洗装置来对从研磨装置取出的基板进行清洗，而能够在同一研磨装置内到最后为止不使基板干燥地进行清洗，因此，能够抑制在清洗过程中由基板干燥而导致的产生水印的担忧，也能够对使用二氧化铈而研磨且附着有二氧化铈的研磨后的基板进行清洗，并更确实地除去二氧化铈。此外，本专利技术人们研究发现，铈磨粒与基板的电吸引力强，附着于基板的二氧化铈仅在利用包含碱性的药液、表面活性剂的清洗液的清洗中难以除去。根据本专利技术，能够更确实地从基板上除去这样的二氧化铈。附图说明图1是示意性表示基板处理装置的概略结构的一例的图。图2是详细表示清洗装置31～34及其关联部分的一例的图。图3是表示基板处理装置的处理动作的一例的流程图。图4是表示研磨后及处理后的基板W1、W3、W4中的缺陷数的表。图5A是表示研磨后及处理后的基板W1～W4中的铈离子浓度(atms/cm2)的表。图5B是表示处理后的基板W2～W4中的铈离子浓度(atms/cm2)的表。图6是表示研磨后及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗后的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。

【技术特征摘要】
2016.08.29 JP 2016-166851;2017.07.24 JP 2017-142401.一种基板处理装置，其特征在于，具备：研磨部，该研磨部使用研磨液来对基板进行研磨；第一清洗部，该第一清洗部使用硫酸及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗；第二清洗部，该第二清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述第一清洗部清洗后的基板进行清洗；干燥部，该干燥部使由所述第二清洗部清洗后的基板干燥。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，不具有使由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的所述基板干燥的机构。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，具备搬运部，该搬运部不使由所述研磨部研磨后的基板干燥就将该基板搬运到所述第一清洗部。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，具备第一液体供给机构，该第一液体供给机构对由所述搬运部搬运中的基板冲淋液体。5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，具备基板站和第二液体供给机构，在所述基板站载放由所述研磨部研磨之后且由所述第一清洗部清洗之前的基板，所述第二液体供给机构对载放于所述基板站的基板冲淋液体。6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一清洗部收纳于第一框体，该第一框体设有可开闭的第一闸门，所述第二清洗部收纳于第二框体，该第二框体设有可开闭的第二闸门，所述干燥部收纳于第三框体，该第三框体设有可开闭的第三闸门。7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，具备第三清洗部，该第三清洗部使用碱性的药液及过氧化氢溶液来对由所述研磨部研磨后的基板进行清洗，所述第一清洗部对由所述第三清洗部清洗后的基板进行清洗。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述第三清洗部一边将碱性的药液及过氧化氢溶液供给到所述基板，一边使清洗部件接触并清洗所述基板。9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二清洗部在使用碱性的药液及过氧化氢溶液对所述基板进行清洗之后，进行双流体喷射清洗。10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述研磨部使用包含二氧化铈的研磨液来对所述基板进行研磨。11.一种基板处理方法，其特征在于，具备：研磨工序、第一清洗工序、第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井正芳，德重克彦，小仓大，渡边和英，国泽淳次，饭泉健，宫崎充，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP