The present invention provides a method for manufacturing a molybdenum blank structure and manufacturing method of molybdenum target components, including the manufacturing method of molybdenum blank structure: molybdenum billet, the molybdenum billet having welding surface; using the technology of electroless plating nickel coating, formed on the surface of molybdenum target billet welding. The invention adopts the chemical plating process, the formation of nickel coating on the welding surface of molybdenum target billet, with good wettability between nickel coating materials and commonly used solder, so the formation of nickel coating can effectively improve the welding performance of molybdenum target billet and other materials for example, can improve the bonding force between the billet and the molybdenum target back, the molybdenum billet and the backplane combined reliably meet the needs, the use of long-term stability of molybdenum target assembly.
【技术实现步骤摘要】
钼靶坯结构的制造方法以及钼靶材组件的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及钼靶坯结构的制造方法以及钼靶材组件的制造方法。
技术介绍
磁控溅射是一种利用带电粒子轰击靶材,使靶材原子从表面逸出并均匀沉积在衬底上的基片镀膜工艺。磁控溅射以其溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好、优异的金属镀膜的均匀性和可控性强等优势成为了最优异的基片镀膜工艺,因而广泛地应用于集成电路制造工艺。在半导体器件的制造过程中,所述靶材组件是由符合溅射性能的靶材、与所述靶材相结合的背板构成。背板可以在所述靶材组件装配至溅射机台中起到支撑作用,并具有传导热量的功效。靶材组件是通过将靶材和背板焊接在一起形成的,需使其既可以可靠性地安装在溅射机台上,同时又可以在磁场、电场作用下有效控制溅射。钼材料被广泛应用于集成电路镀膜行业,市场前景广阔。其中,钼靶坯是靶坯中的一种,也可以用于制作靶材组件。但是,现有技术钼靶坯与背板之间的结合力有待提高,钼靶材组件的稳定性差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种钼靶坯结构的制造方法以及钼靶材组件的制造方法,提高钼靶坯与其他材料之间的焊接性能,例如,提高钼靶坯与背板之间的结合力。为解决上述问题,本专利技术提供一种钼靶坯结构的制造方法,包括:提供钼靶坯,所述钼靶坯具有焊接面;采用化学镀工艺,在所述钼靶坯焊接面上形成镍镀层。可选的,在所述化学镀工艺过程中,化学镀液的温度为86℃至90℃。可选的,在所述化学镀工艺过程中,化学镀液的温度波动范围在±2℃内。可选的,在所述化学镀工艺过程中,化学镀液的pH值为4.4至4.8。可选的,在所述化学镀工艺过程中,通过 ...
【技术保护点】
一种钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,包括:提供钼靶坯,所述钼靶坯具有焊接面;采用化学镀工艺,在所述钼靶坯焊接面上形成镍镀层。
【技术特征摘要】
1.一种钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,包括:提供钼靶坯,所述钼靶坯具有焊接面;采用化学镀工艺,在所述钼靶坯焊接面上形成镍镀层。2.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,在所述化学镀工艺过程中,化学镀液的温度为86℃至90℃。3.如权利要求2所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,在所述化学镀工艺过程中,化学镀液的温度波动范围在±2℃内。4.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,在所述化学镀工艺过程中,化学镀液的pH值为4.4至4.8。5.如权利要求4所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,在所述化学镀工艺过程中,通过向化学镀液中添加氨水,调整所述化学镀液的pH值。6.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,在所述化学镀工艺过程中,还对所述化学镀液进行搅拌处理,且搅拌时间为2min至3min。7.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,在所述化学镀工艺过程中,化学镀液的装载量为0.5dm2/L至1.5dm2/L。8.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,所述镍镀层的材料为镍,其中,镍的质量百分比为86%至94%。9.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,所述化学镀工艺的工艺时间为20min至30min。10.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,所述镍镀层的厚度为8μm至10μm。11.如权利要求1所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,在形成所述镍镀层之前,所述制造方法还包括:对所述焊接面进行表面喷砂处理,增加所述焊接面的粗糙度。12.如权利要求11所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,所述表面喷砂处理后,所述焊接面形成平均深度为6μm至10μm的粗糙层。13.如权利要求11所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,所述表面喷砂处理的工艺参数包括:采用的砂粒为46号白刚玉,采用的气压范围为0.3Mpa至0.35Mpa。14.如权利要求11所述的钼靶坯结构的制造方法,其特征在于,所述表面喷砂处理的步骤包括:采用喷砂枪的喷嘴向所述焊接面喷出砂粒;所述表面喷砂处理的步骤中,所述喷嘴与所述焊接面之间的距离为10cm至15cm;所述表面喷砂处理的步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,相原俊夫,王学泽,寿奉粮,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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