半控型器件驱动节流装置制造方法及图纸

本发明专利技术半控型器件驱动节流装置属于电学领域，特别是一种适用在晶闸管等半控型器件的驱动回路中使用的无驱动盲区或驱动盲区极小的半控型器件驱动节流装置，其包括第一晶体管、第二晶体管、一电容、第一限流元件，第二晶体管的输入端通过第一限流元件与所需驱动的半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输出信号通过电容连接至第一晶体管，第一晶体管串联在半控型器件的驱动回路中，第一晶体管在半控型器件两端电位差不大于半控型器件通态电压时导通，第一晶体管在半控型器件导通后截止，本发明专利技术具有电路简单、驱动盲区小或无驱动盲区驱动，且节流效果好的优点。

Semi controlled device driven throttle device

The present invention half controlled device driver throttle device belongs to the technical field of electricity, in particular to a driving circuit for use in thyristor half controlled device in driving or driving without blind blind minimum half controlled device driver throttling device, which comprises a first transistor, a second transistor, a capacitor, a first current limiting element, the second transistor input by the end of the first limiting element and the driving half controlled device connected to the output signal of the second transistor is connected to the capacitor through the first transistor, the first transistor series driving circuit controlled device in half, the first transistor in half controlled device at both ends of potential difference is not more than half controlling device on state voltage conduction, the first transistor in half controlled device conduction after the deadline, the invention has the advantages of simple circuit, driving blind little or no driving blind drive, And the advantages of good throttling effect.

【技术实现步骤摘要】
半控型器件驱动节流装置
本专利技术半控型器件驱动节流装置属于电学领域,特别是一种适用在晶闸管等半控型器件的驱动回路中使用的无驱动盲区或驱动盲区极小的半控型器件驱动节流装置。
技术介绍
目前在需要对负载频繁投切的电控系统中,广泛使用晶闸管（半控型器件）对阻性、感性或容性负载进行投切，为了减少晶闸管的驱动功率，市场上出现了用于减少驱动能耗的相关技术，如专利号为：ZL201110430747.7，专利名称为：触发节能装置及晶闸管开关，其所揭示的工作原理是：电压检测电路检测到晶闸管的主回路两端电压大于晶闸管的通态电压（一般为1.1到1.9V，原文件定义为导通电压降）时，控制电子开关导通，驱动信号通过电子开关驱动晶闸管导通，电压检测电路检测到晶闸管导通时，控制电子开关截止，虽其可以做到与传统晶闸管的驱动方式相比其驱动盲区更小，但仍然存在以下不足：电压检测电路必须检测到晶闸管的主回路两端电压大于晶闸管通态电压时，才控制电子开关导通，由于滞后提供晶闸管驱动信号，已客观存在驱动盲区，并且晶闸管从其触发极得到驱动信号到晶闸管导通输出存在一定的响应时间，理论上无法做到对晶闸管无盲区驱动，见采用该技术的晶闸管导通时两端的电压波形图（如图1）。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有晶闸管驱动的不足而提供一种适用在晶闸管等半控型器件的驱动回路中使用的无驱动盲区或驱动盲区极小，同时具备较好的节流效果的的半控型器件驱动节流装置。实现本专利技术的目的是通过以下技术方案来达到的：一种半控型器件驱动节流装置，包括第一晶体管、第二晶体管、一电容、第一限流元件，第二晶体管的输入端通过第一限流元件与所需驱动的半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输出信号通过电容连接至第一晶体管，第一晶体管串联在半控型器件的驱动回路中，第一晶体管在半控型器件两端电位差不大于半控型器件通态电压时导通，第一晶体管在半控型器件导通后截止。一种半控型器件驱动节流装置，在半控型器件两端电位差达到半控型器件通态电压且半控型器件导通前，通过第一晶体管的电流大于或等于驱动半控型器件导通所需的最小驱动电流。一种半控型器件驱动节流装置，为四个端口电路，其中三个端口分别与半控型器件的第一端、半控型器件的第二端、半控型器件的第三端连接，另一端口用于连接驱动信号。一种半控型器件驱动节流装置，还包括第三晶体管，第三晶体管与电容并联，用于对电容放电。一种半控型器件驱动节流装置，还包括第一二极管，第三电阻，第三晶体管的第一端、第三晶体管的第三端与电容连接，第三晶体管的第一端通过第三电阻与第三晶体管的第二端连接，第三晶体管的第二端、第三晶体管的第三端与第一二极管反向并联，第二晶体管的输出信号通过第一二极管、电容连接至第一晶体管。一种半控型器件驱动节流装置，还包括第五晶体管，第五晶体管的输入端与第二晶体管的输入端反向并联，第五晶体管的输出信号连接至第三晶体管，用于控制第三晶体管对电容放电。一种半控型器件驱动节流装置，还包括第四晶体管、第二电阻、第二二极管，第一限流元件为第一电阻，第二晶体管的输入端依次通过第二电阻、第一电阻与所需驱动的半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输入端与第二电阻组成第一串联电路，第四晶体管的输入端与第二二极管串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管的输出端与第二晶体管的输入端并联。一种半控型器件驱动节流装置，半控型器件为双向半控型器件，还包括第三晶体管、第一二极管，第三电阻、第六晶体管、第七晶体管，第三晶体管用于对电容放电，第三晶体管的第一端、第三晶体管的第三端与电容连接，第三晶体管的第一端通过第三电阻与第三晶体管的第二端连接，第三晶体管的第二端、第三晶体管的第三端与第一二极管反向并联，第二晶体管的输出信号通过第一二极管、电容连接至第一晶体管，第六晶体管的输入端与第二晶体管的输入端反向并联，第六晶体管的输出信号通过第七晶体管、第一二极管、电容连接至第一晶体管。一种半控型器件驱动节流装置，还包括第四晶体管、第八晶体管、第二电阻、第二二极管、第三二极管，第一限流元件为第一电阻，第二晶体管的输入端依次通过第二电阻、第一电阻与半控型器件的第一端连接，第二晶体管的输入端与第二电阻组成第一串联电路，第四晶体管的输入端与第二二极管串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管的输出端与第二晶体管的输入端并联；第八晶体管的输入端与第三二极管串联组成的第三串联电路与第一串联电路并联，第八晶体管的输出端与第二晶体管的输入端并联。一种半控型器件驱动节流装置，半控型器件为单向晶闸管或双向晶闸管。一种半控型器件驱动节流装置，用于无盲区或低盲区驱动，半控型器件在半控型器件的通态电压时导通，或在不大于半控型器件的二倍通态电压时导通。一种半控型器件驱动节流装置，第一限流元件为电阻。本专利技术具有电路简单、驱动盲区小或无驱动盲区驱动，且节流效果好的优点。附图说明图1采用先前相关技术驱动的半控型器件导通时两端的电压波形图。图2本专利技术半控型器件驱动节流装置电路原理图及实施例之一电路原理图。图3本专利技术半控型器件驱动节流装置电路原理图及实施例之二电路原理图。图4本专利技术半控型器件驱动节流装置电路原理图及实施例之三电路原理图。具体实施方式本专利技术半控型器件驱动节流装置的实施例之一，如图2所示：一种半控型器件驱动节流装置，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、电容C1、第一限流元件R1（为电阻，这里定义为第一电阻）、第一二极管D1、第三电阻R3、第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2，第二晶体管Q2的输入端通过第二电阻R2（根据需要选用）、第一限流元件R1与所需驱动的半控型器件SCR1（单向晶闸管）的第一端（阳极）连接，第二晶体管Q2的输出信号通过第一二极管D1（根据需要选用）、电容C1连接至第一晶体管Q1，第一晶体管Q1串联在半控型器件SCR1的驱动回路中，第一晶体管Q1在半控型器件SCR1两端电位差不大于半控型器件SCR1通态电压时导通，第一晶体管Q1在半控型器件SCR1导通后截止；第三晶体管Q3与电容C1并联，用于对电容C1放电，第三晶体管Q3的第一端（集电极）、第三晶体管Q3的第三端（发射极）与电容C1连接，第三晶体管Q3的第一端通过第三电阻R3与第三晶体管Q3的第二端（基极）连接，第三晶体管Q3的第二端、第三晶体管Q3的第三端与第一二极管D1反向并联，第二晶体管Q2的输出信号通过第一二极管D1、电容C1连接至第一晶体管Q1，第二晶体管Q2的输入端依次通过第二电阻R2、第一电阻R1与半控型器件SCR1的第一端连接，第二晶体管Q2的输入端与第二电阻R2组成第一串联电路，第四晶体管Q4的输入端与第二二极管D2串联组成的第二串联电路与第一串联电路并联，第四晶体管Q4的输出端与第二晶体管Q2的输入端并联。第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2用于过零控制，当半控型器件SCR1两端电压较高时，控制第一晶体管Q1不导通，在不需要过零接通控制时，第四晶体管Q4、第二电阻R2、第二二极管D2可以省略；第三晶体管Q3、第一二极管D1、第三电阻R3用于提高电容C1的放电速度，减少通过第一晶体管Q1电流的脉宽，提高节流效果。工作原理：为方便理解和描述，现以半控型器件SCR1并联一二极管DA为例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半控型器件驱动节流装置，其特征是：包括第一晶体管、第二晶体管、一电容、第一限流元件，所述第二晶体管的输入端通过所述第一限流元件与所需驱动的半控型器件的第一端连接，所述第二晶体管的输出信号通过所述电容连接至所述第一晶体管，所述第一晶体管串联在所述半控型器件的驱动回路中，所述第一晶体管在所述半控型器件两端电位差不大于所述半控型器件通态电压时导通，所述第一晶体管在所述半控型器件导通后截止。

【技术特征摘要】
2016.08.10 CN 2016106475215;2016.08.30 CN 201610751.一种半控型器件驱动节流装置，其特征是：包括第一晶体管、第二晶体管、一电容、第一限流元件，所述第二晶体管的输入端通过所述第一限流元件与所需驱动的半控型器件的第一端连接，所述第二晶体管的输出信号通过所述电容连接至所述第一晶体管，所述第一晶体管串联在所述半控型器件的驱动回路中，所述第一晶体管在所述半控型器件两端电位差不大于所述半控型器件通态电压时导通，所述第一晶体管在所述半控型器件导通后截止。2.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：在所述半控型器件两端电位差达到所述半控型器件通态电压且所述半控型器件导通前，通过所述第一晶体管的电流大于或等于驱动所述半控型器件导通所需的最小驱动电流。3.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：为四个端口电路，其中三个端口分别与所述半控型器件的第一端、所述半控型器件的第二端、所述半控型器件的第三端连接，另一端口用于连接驱动信号。4.根据权利要求1所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第三晶体管，所述第三晶体管与所述电容并联，用于对所述电容放电。5.根据权利要求4所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第一二极管，第三电阻，所述第三晶体管的第一端、所述第三晶体管的第三端与所述电容连接，所述第三晶体管的第一端通过所述第三电阻与所述第三晶体管的第二端连接，所述第三晶体管的第二端、所述第三晶体管的第三端与所述第一二极管反向并联，所述第二晶体管的输出信号通过所述第一二极管、所述电容连接至所述第一晶体管。6.根据权利要求4所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第五晶体管，所述第五晶体管的输入端与所述第二晶体管的输入端反向并联，所述第五晶体管的输出信号连接至所述第三晶体管，用于控制所述第三晶体管对所述电容放电。7.根据权利要求1至6任一项所述的半控型器件驱动节流装置，其特征是：还包括第四晶体管、第二电阻、第二二极管，所述第一限流元件为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭桥石，
申请(专利权)人：广州市金矢电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44