一种芯片结构以及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片结构以及制作方法，该芯片结构包括：衬底；生长在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的P电极结构；其中，所述P电极结构设置有凹槽。该芯片结构以及制作方法通过在P电极结构上设置凹槽，在打线的过程中，将金属线带有金球的一端固定在该凹槽内，凹槽对其进行包裹，进而提高打线良率及可靠性，降低脱焊的可能性。

A chip structure and making method

【技术实现步骤摘要】
一种芯片结构以及制作方法
本专利技术涉及芯片工艺
，更具体地说，尤其涉及一种芯片结构以及制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样芯片结构的设备已普遍应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。基于目前传统的垂直结构芯片，电极表面太过于光滑以及平整度高，导致在打线金属线的过程中，金属线与电极之间的粘附性较差。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种芯片结构以及制作方法，解决了现有技术中存在的问题，提高了打线良率及可靠性，降低了脱焊的可能性。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种芯片结构，所述芯片结构包括：衬底；生长在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的P电极结构；其中，所述P电极结构设置有凹槽。优选的，在上述芯片结构中，所述芯片结构还包括：设置在所述衬底背离所述外延层结构一侧的N电极结构。优选的，在上述芯片结构中，所述芯片结构还包括：用于封装固定所述芯片结构的封装基底；其中，所述封装基底上设置有P电极引脚。优选的，在上述芯片结构中，所述凹槽的深度为0.5um-1.5um，包括端点值。优选的，在上述芯片结构中，所述凹槽为球形凹槽，且所述球形凹槽的球心位于所述凹槽内部。本专利技术还提供了一种芯片结构的制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长外延层结构；在所述外延层结构背离所述衬底的一侧形成P电极结构；在所述P电极结构上形成凹槽。优选的，在上述制作方法中，所述制作方法还包括：在所述衬底背离所述外延层结构的一侧形成N电极结构。优选的，在上述制作方法中，所述制作方法还包括：设置用于封装固定所述芯片结构的封装基底；其中，所述封装基底上设置有P电极引脚。优选的，在上述制作方法中，所述制作方法还包括：通过一端设置有金球的金属丝将所述P电极结构与所述P电极引脚连接；其中，所述金属丝具有金球的一端设置在所述P电极结构的凹槽内部，另一端与所述P电极引脚连接。优选的，在上述制作方法中，所述凹槽的深度为0.5um-1.5um，包括端点值。通过上述描述可知，本专利技术提供的一种芯片结构包括：衬底；生长在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的P电极结构；其中，所述P电极结构设置有凹槽。也就是说，通过在P电极结构上设置凹槽，在打线的过程中，将金属线带有金球的一端固定在该凹槽内，凹槽对其进行包裹，进而提高打线良率及可靠性，降低脱焊的可能性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种芯片结构的截面示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种芯片结构的制作方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种芯片结构的截面示意图。所述芯片结构包括：衬底11。生长在所述衬底11上的外延层结构12。设置在所述外延层结构12背离所述衬底11一侧的P电极结构13。其中，所述P电极结构13设置有凹槽14。该芯片结构通过在P电极结构13上设置凹槽14，在打线的过程中，将金属线带有金球的一端固定在该凹槽14内，凹槽14对其进行包裹，进而提高打线良率及可靠性，降低脱焊的可能性。进一步的，所述芯片结构还包括：设置在所述衬底背离所述外延层结构一侧的N电极结构15。进一步的，所述芯片结构还包括：用于封装固定所述芯片结构的封装基底16。其中，所述封装基底16上设置有P电极引脚17。具体的，在打线的过程中，将具有金球的金属丝一端与P电极结构13的凹槽14连接，另一端与P电极引脚17连接。也就是说，通过将金球设置在该凹槽14内，凹槽14对其金球进行包裹，极大程度的提高了打线良率，降低脱焊的可能性，解决了现有技术中存在的问题。可选的，所述凹槽14的深度为0.5um-1.5um，包括端点值。例如，所述凹槽14的深度为1um。可选的，所述凹槽14为球形凹槽，且所述球形凹槽的球心位于所述凹槽内部。用于实现凹槽对金属线上金球的包裹。需要说明的是，在本专利技术实施例中，对P电极结构上的凹槽仅仅是以举例的形式进行说明。对其凹槽的结构以及尺寸并不作限定，可根据实际工艺需求进行设定。参考图2，图2为本专利技术实施例提供的一种芯片结构的制作方法的流程示意图。所述制作方法包括：S101：提供一衬底。具体的，所述衬底包括但不限定于硅衬底。S102：在所述衬底上生长外延层结构。具体的，在本专利技术实施例中对所述外延层结构不进行限定。S103：在所述外延层结构背离所述衬底的一侧形成P电极结构。具体的，在所述外延层结构背离所述衬底的一侧通过蒸镀工艺，蒸镀金属电极，即P电极结构。S104：在所述P电极结构上形成凹槽。具体的，在所述P电极结构上通过刻蚀工艺，形成预设要求的凹槽。进一步的，所述制作方法还包括：S105：在所述衬底背离所述外延层结构的一侧形成N电极结构。具体的，在所述衬底背离所述外延层结构的一侧通过蒸镀工艺，蒸镀金属电极，即N电极结构。进一步的，所述制作方法还包括：S106：设置用于封装固定所述芯片结构的封装基底。具体的，所述封装基底与所述N电极结构相对设置，通过在所述N电极结构表面上涂布银胶，使其与封装基底粘结。需要说明的是，所述封装基底上设置有P电极引脚，用于与P电极结构打线连接。进一步的，所述制作方法还包括：S107：通过一端设置有金球的金属丝将所述P电极结构与所述P电极引脚连接。其中，所述金属丝具有金球的一端设置在所述P电极结构的凹槽内部，另一端与所述P电极引脚连接。该制作方法通过在P电极结构上设置凹槽，在打线的过程中，将金属线带有金球的一端固定在该凹槽内，凹槽对其进行包裹，进而提高打线良率及可靠性，降低脱焊的可能性。可选的，所述凹槽的深度为0.5um-1.5um，包括端点值。例如，所述凹槽的深度为1um。可选的，所述凹槽为球形凹槽，且所述球形凹槽的球心位于所述凹槽内部。用于实现凹槽对金属线上金球的包裹。需要说明的是，在本专利技术实施例中，对P电极结构上的凹槽仅仅是以举例的形式进行说明。对其凹槽的结构以及尺寸并不作限定，可根据实际工艺需求进行设定。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：衬底；生长在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的P电极结构；其中，所述P电极结构设置有凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：衬底；生长在所述衬底上的外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的P电极结构；其中，所述P电极结构设置有凹槽。2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：设置在所述衬底背离所述外延层结构一侧的N电极结构。3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：用于封装固定所述芯片结构的封装基底；其中，所述封装基底上设置有P电极引脚。4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述凹槽的深度为0.5um-1.5um，包括端点值。5.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述凹槽为球形凹槽，且所述球形凹槽的球心位于所述凹槽内部。6.一种芯片结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾钊，赵炆兼，郭冠军，张双翔，陈凯轩，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32