多晶硅余热利用装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及多晶硅余热利用装置，包括保温箱，保温箱的中间处设置有保温隔板，保温隔板将保温箱隔断为第一腔室和第二腔室，在第一腔室内设置有用于传送高温多晶硅铸锭的第一传动机构，第一传动机构的入口端和出口端分别位于第一腔室的两侧；在第二腔室内设置有用于传送低温硅料的第二传动机构，第二传动机构的入口端和出口端分别位于第二腔室的两侧，在第一腔室的箱壁上开设有入风口，在第二腔室的箱壁上开设有出风口，在保温隔板上安装有。本实用新型专利技术利用多晶硅铸锭的余热来加热硅料，从而提高硅料的入炉温度，加快多晶硅铸锭的生产效率，有效减少生产中的能耗的多晶硅余热利用装置。

Polysilicon waste heat utilization device

The utility model relates to a polysilicon waste heat utilization device comprises a heat insulation box, the middle of the insulation box is provided with a heat insulation clapboard, insulation insulation box for partition separates the first and second chambers, for the first mover transfer of high temperature polysilicon ingot structure is arranged in the first chamber, on both sides of the first transmission mechanism of the entrance and exit respectively. In the first chamber; for the second transmission mechanism for transferring cryogenic silicon material is arranged in the second chamber, on both sides of the second transmission mechanism of the entrance and exit are respectively arranged in the second chamber, in the first chamber wall is arranged on the air inlet in the second chamber wall is provided with an air outlet, installed in the insulation board. The utility model utilizes the residual heat of polysilicon ingot to heat the silicon material, thereby improving the charging temperature of the silicon material, accelerating the production efficiency of the polycrystalline silicon ingot, and effectively reducing the energy consumption of polycrystalline silicon waste heat utilization device.

【技术实现步骤摘要】
多晶硅余热利用装置
本技术属于多晶硅生产工艺领域，尤其涉及多晶硅余热利用装置。
技术介绍
多晶硅铸锭炉是生产多晶硅铸锭的必需设备。硅料投入到多晶硅铸锭炉中后，先对硅料加热直至融化，再对融化的硅料进行冷却，使其凝固进行长晶，形成硅锭。铸锭炉生产的多晶硅铸锭，一般的出炉温度在400℃以上，其空冷的冷却时间需要5小时左右，耗时长，且热量白白损失，能耗大。而投入多晶硅铸锭炉中的硅料的温度为自然温度，加热熔融的时间长，耗能大。如果充分利用出炉的多晶硅铸锭的热量来加热硅料，一方面可加快多晶硅铸锭的冷却，另一方面可提高硅料的入炉温度，加快多晶硅铸锭的生产效率，有效减少生产中的能耗。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题，本技术的目的是提供一种可利用多晶硅铸锭的余热来加热硅料，从而提高硅料的入炉温度，加快多晶硅铸锭的生产效率，有效减少生产中的能耗的多晶硅余热利用装置。为了实现上述的目的，本技术采用了以下的技术方案：多晶硅余热利用装置，包括保温箱，所述保温箱的中间处设置有保温隔板，保温隔板将保温箱隔断为第一腔室和第二腔室，在第一腔室内设置有用于传送高温多晶硅铸锭的第一传动机构，所述第一传动机构的入口端和出口端分别位于第一腔室的两侧；在第二腔室内设置有用于传送低温硅料的第二传动机构，所述第二传动机构的入口端和出口端分别位于第二腔室的两侧，在第一腔室的箱壁上开设有入风口，在第二腔室的箱壁上开设有出风口，在保温隔板上安装有。将刚出炉的400℃左右的多晶硅铸锭放在第一传动机构上，通过第一传动机构将高温多晶硅铸锭运送至第一腔室内，将第一腔室内的空气加热，同时，第一传动机构将冷却好的多晶硅铸锭运送出第一腔室；通过第二腔室，将第二腔室内的20℃左右的硅料加热至200℃左右，通过第二传动机构不断将低温的硅料运送至第二腔室，将加热完毕的硅料运送出第二腔室。作为优选，所述第一传动机构为链传动机构，该机构的传动链条呈S型排列。这种设置充分利用了第一腔室的空间，加快了效率。作为优选，所述第二传动机构为链传动机构，该机构的传动链条呈S型排列。种设置充分利用了第二腔室的空间，加快了效率。作为优选，所述保温隔板的中心处设置有多个圆形风道，负压风机安装在保温隔板面向第二腔室的一侧，且负压风机紧贴圆形风道。作为优选，所述负压风机的进出风口处设置有滤棉。通过设置滤棉，有效去除空气中的粉尘。作为优选，所述保温箱的箱壁采用双层铁皮中间装填保温棉制成。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：将刚出炉的400℃左右的多晶硅铸锭放在第一传动机构上，通过第一传动机构将高温多晶硅铸锭运送至第一腔室内，将第一腔室内的空气加热，同时，第一传动机构将冷却好的多晶硅铸锭运送出第一腔室；通过第二腔室，将第二腔室内的20℃左右的硅料加热至200℃左右，通过第二传动机构不断将低温的硅料运送至第二腔室，将加热完毕的硅料运送出第二腔室。附图说明图1是本技术的内部结构示意图。图2是本技术的俯视图。图3是本技术的保温隔板结构图。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式做一个详细的说明。如图1～图3所示的多晶硅余热利用装置，包括保温箱1，保温箱1的箱壁采用双层铁皮中间装填保温棉制成。所述保温箱1的中间处设置有保温隔板2，保温隔板2将保温箱1隔断为第一腔室3和第二腔室4。在第一腔室3内设置有用于传送高温多晶硅铸锭的第一传动机构5，第一传动机构5的入口端和出口端分别位于第一腔室3的两侧，第一传动机构5为链传动机构，该机构的传动链条呈S型排列。在第二腔室4内设置有用于传送低温硅料的第二传动机构6，所述第二传动机构6的入口端和出口端分别位于第二腔室3的两侧。第二传动机构6为链传动机构，该机构的传动链条呈S型排列。在第一腔室3的箱壁上开设有入风口7，在第二腔室4的箱壁上开设有出风口10。保温隔板2的中心处设置有多个圆形风道9，在保温隔板2面向第二腔室4的一侧安装有负压风机8，且负压风机8紧贴圆形风道9。在负压风机8的进出风口处设置有滤棉。多晶硅余热利用装置的工作过程如下所述：将刚出炉的400℃左右的多晶硅铸锭放在第一传动机构上，通过第一传动机构将高温多晶硅铸锭运送至第一腔室内，将第一腔室内的空气加热，同时，第一传动机构将冷却好的多晶硅铸锭运送出第一腔室；通过第二腔室，将第二腔室内的20℃左右的硅料加热至200℃左右，通过第二传动机构不断将低温的硅料运送至第二腔室，将加热完毕的硅料运送出第二腔室。本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本技术所作的举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本技术说明书的内容或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
多晶硅余热利用装置，其特征在于：包括保温箱（1），所述保温箱（1）的中间处设置有保温隔板（2），保温隔板（2）将保温箱（1）隔断为第一腔室（3）和第二腔室（4），在第一腔室（3）内设置有用于传送高温多晶硅铸锭的第一传动机构（5），所述第一传动机构（5）的入口端和出口端分别位于第一腔室（3）的两侧；在第二腔室（4）内设置有用于传送低温硅料的第二传动机构（6），所述第二传动机构（6）的入口端和出口端分别位于第二腔室（3）的两侧，在第一腔室（3）的箱壁上开设有入风口（7），在第二腔室（4）的箱壁上开设有出风口（10），在保温隔板（2）上安装有负压风机（8）。

【技术特征摘要】
1.多晶硅余热利用装置，其特征在于：包括保温箱（1），所述保温箱（1）的中间处设置有保温隔板（2），保温隔板（2）将保温箱（1）隔断为第一腔室（3）和第二腔室（4），在第一腔室（3）内设置有用于传送高温多晶硅铸锭的第一传动机构（5），所述第一传动机构（5）的入口端和出口端分别位于第一腔室（3）的两侧；在第二腔室（4）内设置有用于传送低温硅料的第二传动机构（6），所述第二传动机构（6）的入口端和出口端分别位于第二腔室（3）的两侧，在第一腔室（3）的箱壁上开设有入风口（7），在第二腔室（4）的箱壁上开设有出风口（10），在保温隔板（2）上安装有负压风机（8）。2.根据权利要求1所述的多晶硅余热利用装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄贤强，沈达军，赵芷绮，张苏州，栗学华，郭见英，何建军，
申请(专利权)人：浙江溢闳光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33