OLED面板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种OLED面板及其制作方法。该OLED面板包括：玻璃基板；TFT遮光层；缓冲层；半导体层；沉积在半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层；沉积于第一金属层上的层间绝缘层；沉积于层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。本发明专利技术还提供了相应的OLED面板制作方法。本发明专利技术的OLED面板及其制作方法能够有效提高OLED面板的储存电容，可以减小储存电容设计面积，从而有利于提高面板开口率。

【技术实现步骤摘要】
OLED面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED面板及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。现有OLED面板的像素驱动电路一般包括开关薄膜晶体管(SwitchTFT)，驱动薄膜晶体管(DriverTFT)，以及存储电容(Cst)；开关TFT由扫描信号控制，用于控制数据信号的进入，驱动TFT用于控制通过OLED的电流，存储电容一般用于存储灰阶电压以决定驱动TFT的驱动电流。如图1所示，其为现有OLED面板结构示意图，按照功能区域可划分为开关TFT区域，驱动TFT区域，以及存储电容区域。现有OLED面板主要包括：玻璃基板10；沉积于玻璃基板10上的遮光层(LS)11；沉积在遮光层11上的缓冲层(Buffer)12；沉积在缓冲层12上的半导体层13，该半导体层13可以为非晶氧化物半导体(AOS)，半导体层13与TFT电极相接触的区域可以提高掺杂浓度，例如可以形成N+导体层；沉积在半导体层13上的栅极绝缘层(GI)14；沉积在栅极绝缘层14上的第一金属层(即栅极金属层)15，用于形成TFT的栅极(G)；沉积于第一金属层15上的层间绝缘层(ILD)16；沉积于层间绝缘层16上的第二金属层(即源漏极金属层)17，第二金属层17经图案化一部分形成TFT的源极(S)和漏极(D)，一部分形成存储电容(对应于存储电容区域)；沉积于第二金属层17上的钝化层(PV)18，现有技术中钝化层18一般由SiOx制成；制作于钝化层18上的彩色滤光片(CF-RGB)19；制作于彩色滤光片上的平坦层(PLN)40；沉积于平坦层40上的阳极(Anode)41，可以是氧化铟锡(ITO)等透明氧化物；制作于阳极41上的像素限定层(PDL)42，用以界定OLED器件的发光区；利用蒸镀或喷墨打印(IJP)技术制作于阳极41上的发光层43；制作于发光层43上的阴极44；其它如封装结构等在此不再赘述。目前顶栅极(Topgate)氧化物TFT设计中，储存电容采用氧化铟锡(ITO)-第二金属层(Metal2)-非晶氧化物半导体(AOS)结构构成，但由于Metal2与ITO之间夹层为钝化层(PV)和平坦层(PLN)两层(可参见图1)，而且两层厚度都较大，同样面积时储存电容容量较小，为了达到提高存储电容的需求只能增大储存电容面积，这样就会严重影响开口率。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种OLED面板，提高OLED面板的储存电容。本专利技术的另一目的在于提供一种OLED面板的制作方法，提高OLED面板的储存电容。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED面板，包括：玻璃基板；制作于该玻璃基板上的TFT遮光层；沉积在该TFT遮光层上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的半导体层，该半导体层经历图形化处理形成TFT有源层；沉积在该半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层，并且该第一金属层覆盖区域以外的该半导体层经历导体化处理；沉积于该第一金属层上的层间绝缘层，在该层间绝缘层上设有源漏极接触区开孔；沉积于该层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。其中，所述钝化层厚度小于500埃。其中，所述高介电常数材料为Al2O3。本专利技术还提供了一种OLED面板的制作方法，包括：步骤1、提供玻璃基板，在玻璃基板上沉积一层金属并图形化该层金属作为TFT遮光层；步骤2、依次沉积缓冲层以及半导体层，图形化该半导体层作为TFT有源层；步骤3、依次沉积栅极绝缘层和第一金属层，图形化该栅极绝缘层和第一金属层，并且对第一金属层覆盖区域以外的半导体层进行导体化处理；步骤4、沉积层间绝缘层，并且在该层间绝缘层上做出源漏极接触区开孔；步骤5、沉积第二金属层，并且图形化该第二金属层；步骤6、以原子层沉积方式沉积一层高介电常数材料的薄膜作为钝化层，并且蚀刻出过孔；步骤7、依次完成彩色滤光片、平坦层、阳极及像素限定层的制作，该平坦层对应于钝化层设有过孔，并且在储存电容区域为开孔结构；步骤8、制作发光层及阴极。其中，所述钝化层厚度小于500埃。其中，所述高介电常数材料为Al2O3。其中，所述TFT遮光层的材料为Mo，Al，Cu，Ti或者合金。其中，所述缓冲层为SiOx薄膜、SiNx薄膜或叠层结构薄膜。其中，所述半导体层的材料为非晶氧化物半导体。其中，所述半导体层的材料为IGZO，IZTO或IGZTO。综上，本专利技术的OLED面板及其制作方法能够有效提高OLED面板的储存电容，可以减小储存电容设计面积，从而有利于提高面板开口率。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图1现有OLED面板结构示意图；图2为本专利技术OLED面板一较佳实施例的结构示意图；图3A至图3H为本专利技术OLED面板的制作方法一较佳实施例的流程示意图。具体实施方式参见图2，其为本专利技术OLED面板一较佳实施例的结构示意图，按照功能区域可划分为开关TFT区域，驱动TFT区域，以及存储电容区域。本专利技术的OLED面板主要包括：玻璃基板20；制作于玻璃基板20上的TFT遮光层21；沉积在TFT遮光层21上的缓冲层22；沉积在缓冲层22上的半导体层23，半导体层23经图形化作为TFT有源层；沉积在半导体层23上的栅极绝缘层24和第一金属层25，该栅极绝缘层24和第一金属层25经图形化处理，形成TFT的栅极，并且对第一金属层25覆盖区域以外的半导体层23进行导体化处理，例如使半导体层23与TFT电极相接触的区域提高掺杂浓度，可以形成N+导体层；沉积于第一金属层25上的层间绝缘层26，在该层间绝缘层26上设有源漏极接触区开孔；沉积于层间绝缘层26上的第二金属层27，该第二金属层27经图形化处理，一部分形成TFT的源极(S)和漏极(D)，一部分形成存储电容(对应于存储电容区域)；以原子层沉积(ALD)方式沉积于第二金属层27上的钝化层28，该钝化层28为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于钝化层28上的彩色滤光片29、平坦层30、阳极31以及像素限定层32，该平坦层30对应于钝化层28的过孔设有过孔，并且在储存电容区域为开孔结构；制作于阳极31上的发光层33；制作于发光层33上的阴极34；其它如通常的封装结构等在此不再赘述。为提高OLED面板的储存电容，减小储存电容设计面积，提高面板开口率，钝化层28厚度可以设计为小于500埃所采用的高介电常数(高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED面板，其特征在于，包括：玻璃基板；制作于该玻璃基板上的TFT遮光层；沉积在该TFT遮光层上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的半导体层，该半导体层经历图形化处理形成TFT有源层；沉积在该半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层，并且该第一金属层覆盖区域以外的该半导体层经历导体化处理；沉积于该第一金属层上的层间绝缘层，在该层间绝缘层上设有源漏极接触区开孔；沉积于该层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板，其特征在于，包括：玻璃基板；制作于该玻璃基板上的TFT遮光层；沉积在该TFT遮光层上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的半导体层，该半导体层经历图形化处理形成TFT有源层；沉积在该半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层，并且该第一金属层覆盖区域以外的该半导体层经历导体化处理；沉积于该第一金属层上的层间绝缘层，在该层间绝缘层上设有源漏极接触区开孔；沉积于该层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。2.如权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述钝化层厚度小于500埃。3.如权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述高介电常数材料为Al2O3。4.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、提供玻璃基板，在玻璃基板上沉积一层金属并图形化该层金属作为TFT遮光层；步骤2、依次沉积缓冲层以及半导体层，图形化该半导体层作为TFT有源层；步骤3、依次沉积栅极绝缘层和第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆松，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44