低温多晶硅阵列基板、阵列基板的制造方法及其显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术关于一种低温多晶硅阵列基板、阵列基板的制造方法及其显示装置，该制造方法包括如下步骤：提供一基板，该基板包括相对的二端，基板上设置电极；涂布有机膜层在基板的电极表面上；曝光所述有机膜层；旋转所述基板180度，使该基板相对的二端反转；显影所述有机膜层，以选择性地去除部分有机膜层，从而形成平坦层。本发明专利技术的阵列基板由于在显影前，将基板旋转180度，从而改变基板二端的显影顺序，从而有效改善平坦层内开孔存在分布不均的问题，极大提高了阵列基板的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅阵列基板、阵列基板的制造方法及其显示装置
本专利技术涉及一种液晶显示面板生产
，尤其是涉及一种低温多晶硅阵列基板、阵列基板的制造方法及其显示装置。
技术介绍
低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，简称LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，可有效减少薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。LTPS薄膜晶体管液晶显示器主要包括阵列基板和与其相对设置的彩膜基板。而现有技术中的LTPS的阵列基板的制备中，通常需在玻璃基板上设置平坦层，以保持玻璃基板表面平坦。上述平坦层需要开设多个开孔，以将位于平坦层下面的电极露出。由于玻璃基板进入显影制程段时，由于玻璃基板前后端进入显影的时间有较大差别。因此，在平坦层检测时，发现基板先进入显影的一端处的平坦层上的开孔存在偏大的趋势，基板后进入显影的一端处的平坦层上的开孔存在偏小的趋势，从而平坦层存在开孔分布不均匀的问题。由于平坦层上还需要设置保护层，保护层上的开孔需要开设在平坦层上的开孔上，从而导致保护层上的开孔也存在分布不均的问题，影响阵列基板的整体性能。
技术实现思路
针对以上存在的技术问题，本专利技术提供了一种可改善上述开孔分布不均的阵列基板、阵列基板的制造方法及其显示装置。根据本专利技术的一方面，提供了一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，该制造方法包括如下步骤：提供一基板，该基板包括相对的二端，基板上设置电极；涂布有机膜层在基板的电极表面上；曝光所述有机膜层；旋转所述基板180度，使该基板相对的二端反转；先后显影所述基板反转的二端上的有机膜层，并选择性地去除部分有机膜层，从而形成平坦层。根据本专利技术的第二方面，提供了一种低温多晶硅阵列基板，所述低温多晶硅阵列基板采用上述方法制造。根据本专利技术的第三方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括上述低温多晶硅阵列基板。与现有技术相比，本专利技术的阵列基板由于在显影前，将基板旋转180度，从而改变基板二端的显影顺序，从而有效改善平坦层内开孔存在分布不均的问题，提高了阵列基板的整体性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的实施例阵列基板的俯视图。图2为本专利技术的实施例阵列基板在曝光后和显影前，基板旋转的示意图。具体实施方式下面结合说明书附图对本申请实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。图1显示了低温多晶硅阵列基板100。该低温多晶硅阵列基板100包括设置有电极的透明基板10。该透明基板10上形成平坦层20。该平坦层20覆盖在电极的表面上。为了信号线的导通，在电极的区域处的平坦层20上有形成有若干开孔22。该开孔22用于将基板10上的电极与位于平坦层20之上的金属层导通。该基板10包括相对的二端，分别为第一端AC和第二端BD，在本图1中，该基板10的第一端AC位于右侧，该基板10的第二端BD位于左侧。在现有的显影制程中，该基板10的先进入显影的一端为第一端AC，该处的平坦层上的开孔存在偏大的趋势，该基板10后进入显影的一端为第二端BD，该处的平坦层上的开孔存在偏小的趋势。本专利技术为了改善所述平坦层20，该基板10在曝光后和显影前，将基板10进行了转向，如图2所示，在同一平面内顺时针旋转180度，将基板10的第一端AC转到该基板10的左侧，该基板10的第二端BD转到该基板10的右侧。由于经过转向后的基板10才进入显影程序，该基板10的第二端BD先进入显影，该基板10的第一端AC后进入显影。因此，该基板10位于第二端BD的部分先接触显影液反应，从而增大了显影的时间，可以有效改善该平坦层20上的开孔22的均匀性。下面详细地论述低温多晶硅阵列基板100的形成工艺。提供一基板10，该基板10在本实施例中为透明基板。所述基板10上设有电极，该电极为N型金属氧化半导体(NMOS)和P型金属氧化半导体(PMOS)，所述电极通过多次曝光蚀刻工艺加工而成，在此不详述。对该基板10进行清洗。在低温多晶硅阵列基板100经过制程的每道工序以及传送等，其表面都会受到一定程度的污染。这些污染微粒会引发电路的图形缺陷，使得组件的特性变差。为了清除这些污染，需要采取清洗工序。在此清洗工序中，可以采用水、紫外线或者超音波等方式进行。在清洗该基板10之后，可利用去水烘烤进行干燥处理，以防止该基板10表面残留水痕或杂质。然后，进行光阻涂布，即在基板10的电极的表面上涂布有机膜层。在本具体实施方式中，所述光阻涂布经过旋转涂布设备完成。该旋转涂布设备包括平台及光阻涂布装置，所述平台用于置放并固定待涂布光阻的基板，所述光阻涂布装置包括位于所述平台上方的控制机构及喷嘴，所述喷嘴对所述基板待涂布光阻表面位置涂布光阻。可以理解，也可通过毛细管现象涂布等方式进行。为使涂布的有机溶剂挥发出来，需要对基板进行预烘烤。在本实施例中，该基板10设置在80度到100度的范围内，预烘烤1.5到3分钟。接着，进行曝光处理。在本实施例中，曝光机发出紫外光，通过光罩对所述有机膜层上按预设的曝光图案进行曝光，由于光化学作用，曝光区上的有机膜层溶解度发生变化。请参见图2，旋转所述基板10，使该基板10在同一平面内旋转180度，将基板10的第一端AC转到该基板10的左侧，该基板10的第二端BD转到该基板10的右侧。先后显影所述基板10反转的二端上的有机膜层，并选择性地去除部分有机膜层。在显影时，所述基板10水平通过显影设备，显影设备的喷嘴会将显影液均匀覆盖在基板10上。显影的顺序沿着先BD端显影然后再AC端显影的顺序。由于经过转向后的基板10才进入显影程序，该基板10的第二端BD先进入显影，该基板10的第一端AC后进入显影。因此，该基板10位于第二端BD的部分先接触显影液反应，从而增大了显影的时间，可以有效改善该平坦层20上的开孔22的均匀性。当基板10上的光阻与显影液反应一段时间后，通过气嘴移除与显影液反应的有机膜层及显影液。再次进行烘烤工序，以对有机膜层进行初步固化。在本实施例中，该烘烤的温度在110－120度之间。优选温度为115度，预设的固化时间为20分钟，可有较佳的固化效果。最后，对开孔22处进行修饰，即进行灰化处理。由此，低温多晶硅阵列基板100的平坦层20设置完成。由于该基板10位于第二端BD的部分先接触显影液反应，从而增大了与显影液发生反应的时间，可以改进该第二端BD处平坦层开孔偏小的趋势，该基板10位于第一端AC的部分后接触显影液，减少了与显影液反应的时间，可以改进该第一端AC处平坦层开孔偏大的趋势，进一步可以有效改善该平坦层20上第一端和第二端处的开孔22的均匀性。可以理解，本专利技术通过上述方法形成的低温多晶硅阵列基板100的其它结构和部件是本领域技术人员所熟知的，在此不再赘述。根据本专利技术，还提供包括低温多晶硅阵列基板100的显示装置。当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于：提供一基板，该基板包括相对的二端，该基板上设置电极；涂布有机膜层在基板的电极表面上；曝光所述有机膜层；旋转所述基板180度，使该基板相对的二端反转；先后显影所述基板反转的二端上的有机膜层，并选择性地去除部分有机膜层，从而形成平坦层。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于：提供一基板，该基板包括相对的二端，该基板上设置电极；涂布有机膜层在基板的电极表面上；曝光所述有机膜层；旋转所述基板180度，使该基板相对的二端反转；先后显影所述基板反转的二端上的有机膜层，并选择性地去除部分有机膜层，从而形成平坦层。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于：该基板包括第一端和第二端，该基板的第一端位于右侧，该基板的第二端位于左侧，当该基板旋转180度时，该基板的第一端转到该基板的左侧，该基板的第二端转到该基板的右侧。3.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于：该基板的第二端先进入显影，该基板的第一端后进入显影。4.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板的制造方法，其特征在于：该制造方法在涂布有机膜层在基板的电极表面上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈叶凯，刘兴华，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42