一种抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法技术

本发明专利技术公开了一种抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，包括如下步骤：将抗炭疽病的植株系B与农艺性状优良的纯合二倍体A杂交，得到杂交F1；选取抗炭疽病且农艺性状优良的F1单株自交，获得自交F2，在苗期利用炭疽病离体带叶茎条鉴定法进行抗炭疽病鉴定，再与优良纯合二倍体A回交，得到回交一代BC1F1；选取高抗炭疽病且农艺性状优良的BC1F1，将其花粉单倍体加倍至获得纯合二倍体，并选育出具备高抗炭疽病且农艺性状优良的二倍体，即为所育品系。本发明专利技术的优点在于：提供了一种步骤简单，操作方便，可获得兼顾抗炭疽病和优良农艺性状的霍山石斛的抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法。

A homozygous plant line cultivation method for Dendrobium Dendrobium (Dendrobium Dendrobii) resistant to anthracnose

The invention discloses a Anthracnose Resistant homozygote strains of Mount Holyoke Dendrobium cultivation method includes the following steps: the homozygous diploid A hybrid plants B and agronomic traits of resistance to anthracnose was excellent, hybrid F1; resistance to anthracnose and select F1 plant lines of good agronomic traits, to obtain the self in F2. At the seedling stage using anthracnose in vitro with leaf identification method for anthracnose resistance identification, with excellent homozygous diploid A backcross, backcross generation BC1F1 are selected; high resistance to anthracnose and good agronomic traits of BC1F1, the double haploid pollen to obtain homozygous diploid, and breed with high resistance to anthracnose and good agronomic traits of diploid is the strain. The invention has the advantages of providing a simple and convenient operation, and obtaining a pure strain system for the cultivation of Dendrobium candidum, Mount Holyoke Dendrobium, with both anthracnose resistance and excellent agronomic traits.

【技术实现步骤摘要】
一种抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法
本专利技术涉及霍山石斛培育领域，尤其涉及一种抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法。
技术介绍
安徽霍山地处安徽省西部、大别山北麓，位于北纬31°03′～31°33′，东经115°52′～116°32′之间，处于亚热带湿润季风气候和温带半湿润季风气候的过渡地带，为兰科石斛属植物地理分布的最北端。霍山及其邻近山区主产三种药用石斛，被六安市政府共同申报为地理标志产品，其种名分别为：霍山石斛(DendrobiumhuoshanenseC.Z.TangetS.J.Cheng)，又名米心石斛，铁皮石斛(DendrobiumcandidumWall.exLindl.，又名黑节草)，和细茎石斛(Dendrobiummoniliforme(Linn.)Sw.，又名铜皮石斛)，三者均为兰科石斛属多年生草本植物，主要含有的活性多糖成分，具有抗肿瘤、免疫调节、抗氧化、扩张血管、降血糖等多种功效。炭疽病发病初期叶缘或叶面上出现赤褐色小斑点，扩展后呈近圆形的褐红色病斑；发病后期病斑中央组织变成浅褐色，边缘为褐色，其上着生黑色小点粒。茎部发病初期为褐色小斑点，扩展后为椭圆形斑块，褐色；发病后期中央组织变为浅褐或黄褐色，边缘为深褐色，较宽。无论是茎上还是叶上的病斑，其外围组织均黄化。该病为真菌病害，由胶孢炭疽菌引起。自交系是指一个单株经连续自交后，所获得的性状整齐一致的后代。异花授粉作物，在一般大田种植的条件下，不同品种(系)、不同植株之间，容易串花(粉)，95％以上的籽粒，都是由别的植株花粉授粉结实的。如果将本株的花粉授在同株的雌蕊柱头上，使之受精结实，这便叫自交。第二年用自交的种子播种，从中选优良单株继续自交，这样连续自交4～5代后，其后代的生育期、苗色、株型、叶型、株高、穗位及果穗性状等都会整齐一致，便成为一个自交系。异花授粉作物，天然杂交率高，每个品种实际上都是一个混杂群体，遗传性很不纯。用这样遗传性不纯的亲本杂交，不仅双亲的不良性状会遗传给杂交种，优势低，而且F1代会出现性状分离而生长不整齐。在一般的作物品种群体中，制约某些性状的隐性基因常被同时存在的相应显性等位基因所掩盖，所以通常不表现出隐性性状，所以选育杂交种时，一般都不用现成品种而用自交系来配制杂交种。通过人工自交，后代会发生性状分离，许多不良的隐性性状得以表现，如出现白苗、花苗、畸形、卷叶、窄叶、小穗、不育、雄花结籽、容易感病、倒伏等，通过选择，汰劣留优。这样，其遗传基因会愈来愈纯合而成为纯合体，后代不再分离。所以，自交系不仅可克服原有品种的缺点，使其优良性状得到积累、加强；而且每个单株的性状都很稳定一致。同时用遗传性不同的自交系再杂交后，F1代的生活力可聚集各亲本自交系的优良性状，表现较大的杂种优势，性状也整齐一致，其农艺性状优于品种或品种间杂交种。一般增产20-30％。回交育种方法是将缺少某一二个有利性状的优良品种重复用作亲本，称轮回亲本，又因是有利性状的接受者，也称受体。轮回亲本应是综合性状较好，预计有发展前途的品种。用另一具有某一二个受体所缺少的有利性状的品种作亲本，只在开始回交时用1次，称非轮回亲本。因是有利性状的提供者，故称供体。回交过程中，从回交一代开始，每代都从杂种中选择具有供体的有利性状的个体与轮回亲本杂交。如此继续进行多次，直到最后得到所有性状与受体相似，但增加了从供体转来的有利性状的后代时为止。然后再进行1-2次自交，选出被转移性状为纯合的个体，进而育成新品种。在理论上每回交1次，杂种后代所含轮回亲本的遗传成分将递增一半。一般经5-6次回交，其后代的主要性状已接近轮回亲本。但如轮回亲本的主要性状涉及的基因数较多，则回交次数要适当增多。回交育种的程序1.杂交把选出的轮回亲本和非轮回亲本杂交。2.回交从回交后代中选出具有目标性状的植株与轮回亲本回交。3.自交在回交到适宜世代后，还必须自交l～2代。因为这时的回交后代的景性状大致纯合，但目标性状仍然处于杂合状态，需要自交纯化，才能获得一个性状稳定的品系。现有霍山石斛纯合体的培育方法很多，大多培育出的性状较单一，即使采用回交，也主要是采用二环选系的方法，即供体和受体杂交后自交到底，最终获得优良性状的自交系。现有利用二环选系选育优良性状自交系的方法，由于一般都是使用2个自交系杂交，后代自交选择，容易引起育种材料遗传基础狭窄，后续育成的品种有高感某种病害而造成大损失的风险。而农艺性状优良的品种的相关基因往往与一些不良性状基因(如感病基因等)连锁遗传。因此，业内迫切需要提供一种新的霍山石斛纯合体的培育方法，以克服现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种步骤简单，操作方便，可获得兼顾抗炭疽病和优良农艺性状的霍山石斛的抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，包括如下步骤：(1)将抗炭疽病的植株系B与农艺性状优良的纯合二倍体A杂交，得到杂交F1；(2)选取抗炭疽病且农艺性状优良的F1单株自交，获得自交F2，在苗期利用炭疽病离体带叶茎条鉴定法进行抗炭疽病鉴定，再与优良纯合二倍体A回交，得到回交一代BC1F1；(3)选取高抗炭疽病且农艺性状优良的BC1F1，将其花粉单倍体加倍至获得纯合二倍体，并选育出具备高抗炭疽病且农艺性状优良的二倍体株系，即为所育品系。作为本专利技术的优选方式之一，所述农艺性状优良指植株具有高产、优质、抗逆性好的育种目标性状中的一种或几种的状态。作为本专利技术的优选方式之一，所述选取的抗炭疽病且农艺性状优良的霍山石斛苗进行自交和回交时，选择的株数占总株数的10-15％。作为本专利技术的优选方式之一，所述总株数不少于50株。作为本专利技术的优选方式之一，所述炭疽病离体带叶茎条鉴定法具体为：在苗期取同根系带叶茎条，用清水冲洗8-12min，用2-4％的次氯酸钠消毒6-10min，最后用无菌水冲冼3-5次，正面朝上放入灭菌消毒的铺有双层湿润滤纸的培养皿中，表面喷入浓度为(0.5-1.5)×105个/ml疫病孢子悬浮液，封口后置于22℃/12h、18℃/12h的培养箱中光暗交替培养2-4d，再进行抗炭疽病鉴定和病情指数的统计分析。作为本专利技术的优选方式之一，所述抗炭疽病鉴定的病害分级标准为：0级，无症状；1级，叶片上出现少量黑褐色病斑且病斑模糊不清，病斑面积占总面积的5％以下；2级，叶片上出现明显病斑，但分散不连片，病斑面积占总面积的6％-25％；3级，叶片上产生中等数量的黑褐色病斑且病斑连成片，病斑面积占总面积的26％-50％；4级，叶片的疫病病斑数量较多，占叶面积的51％-75％；5级，叶片上的疫病病斑数量很多且粉层较厚，占叶面积的76％-100％；所述病情指数的统计分析方法为：利用病情指数的统计分析公式计算病情指数鉴定，鉴定标准为：高抗，0＜病情指数≤15；抗病，15＜病情指数≤35；中抗，35＜病情指数≤55；感病，55＜病情指数≤75；高感，病情指数≥75；所述病情指数的统计分析公式为：DI＝Σ(s×n)×100/N×S，其中，DI表示病情指数，s表示各病情级别的代表数值，n表示各病情级别病叶数，N表示调查总叶数，S表示最高级别代表值。作为本专利技术的优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将抗炭疽病的植株系B与农艺性状优良的纯合二倍体A杂交，得到杂交F1；(2)选取抗炭疽病且农艺性状优良的F1单株自交，获得自交F2，在苗期利用炭疽病离体带叶茎条鉴定法进行抗炭疽病鉴定，再与优良纯合二倍体A回交，得到回交一代BC1F1；(3)选取高抗炭疽病且农艺性状优良的BC1F1，将其花粉单倍体加倍至获得纯合二倍体，并选育出具备高抗炭疽病且农艺性状优良的二倍体株系，即为所育品系。

【技术特征摘要】
1.一种抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将抗炭疽病的植株系B与农艺性状优良的纯合二倍体A杂交，得到杂交F1；(2)选取抗炭疽病且农艺性状优良的F1单株自交，获得自交F2，在苗期利用炭疽病离体带叶茎条鉴定法进行抗炭疽病鉴定，再与优良纯合二倍体A回交，得到回交一代BC1F1；(3)选取高抗炭疽病且农艺性状优良的BC1F1，将其花粉单倍体加倍至获得纯合二倍体，并选育出具备高抗炭疽病且农艺性状优良的二倍体株系，即为所育品系。2.根据权利要求1所述的抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，其特征在于，所述农艺性状优良指植株具有高产、优质、抗逆性好的育种目标性状中的一种或几种的状态。3.根据权利要求1所述的抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，其特征在于，所述选取的抗炭疽病且农艺性状优良的霍山石斛苗进行自交和回交时，选择的株数占总株数的10-15％。4.根据权利要求3所述的抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，其特征在于，所述总株数不少于50株。5.根据权利要求1所述的抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，其特征在于，所述炭疽病离体带叶茎条鉴定法具体为：在苗期取同根系带叶茎条，用清水冲洗8-12min，用2-4％的次氯酸钠消毒6-10min，最后用无菌水冲冼3-5次，正面朝上放入灭菌消毒的铺有双层湿润滤纸的培养皿中，表面喷入浓度为(0.5-1.5)×105个/ml疫病孢子悬浮液，封口后置于22℃/12h、18℃/12h的培养箱中光暗交替培养2-4d，再进行抗炭疽病鉴定和病情指数的统计分析。6.根据权利要求5所述的抗炭疽病霍山石斛的纯合体株系培育方法，其特征在于，所述抗炭疽病鉴定的病害分级标准为：0级，无症状；1级，叶片上出现少量黑褐色病斑且病斑模糊不清，病斑面积占总面积的5％以下；2级，叶片上出现明显病斑，但分散不连片，病斑面积占总面积的6％-25％；3级，叶片上产生中等数量的黑褐色病斑且病斑连成片，病斑面积占总面积的26％-50％；4级，叶片的疫病病斑数...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈乃富，邓辉，韩邦兴，陈乃东，韩冬，方旭东，
申请(专利权)人：皖西学院，
类型：发明
国别省市：安徽,34