非易失性随机存取存储器中的复位电流递送制造技术

本公开的实施例描述用于向非易失性随机存取存储器（NVRAM）（诸如，相变存储器（PCM）设备）提供复位电流的技术和配置。在实施例中，装置可以：包括NVRAM设备；选择镜电路，其与NVRAM设备耦合以向NVRAM设备施加选择镜电压以选择NVRAM设备的存储器单元；以及复位镜电路，其与NVRAM设备耦合以在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压，以复位存储器单元。复位镜电压可以低于选择镜电压，以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。可以描述和/或要求保护其它实施例。

Reset current delivery in nonvolatile random access memory

The embodiment of the present disclosure describes the technology and configuration for providing reset current to non-volatile random access memory (NVRAM), such as phase change memory (PCM) device. In an embodiment, device can include: NVRAM equipment; select mirror circuit with NVRAM device coupled to the NVRAM device applied to select a memory unit for NVRAM equipment selection and mirror voltage; reset mirror circuit and NVRAM device coupled to the mirror in the choice of voltage is applied after the memory cell to a NVRAM device applied to reset mirror voltage to reset the memory unit. The reset mirror voltage can be lower than the selection mirror voltage to facilitate the delivery of the reset current to the memory unit which is higher than the current threshold. Other embodiments may be described and / or required to be protected.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性随机存取存储器中的复位电流递送对相关申请的交叉引用本申请要求2015年6月4日提交并且题为“RESETCURRENTDELIVERYINNON-VLATILERANDOMACCESSMEMORY”的美国申请号14/731,212的优先权，其特此为了所有目的通过引用以其整体并入本文。
本公开的实施例一般涉及集成电路的领域，并且更具体地涉及非易失性随机存取存储器（NVRAM）设备（诸如，相变存储器设备）的置位（set）和复位（reset）操作。
技术介绍
相变存储器（PCM）技术（诸如，多栈交叉点PCM）是对通常称为非易失性随机存取存储器（NVRAM）的其它非易失性（NV）存储器技术的有希望的替代。目前，复位电流递送已经由于高单元电流要求以及高字线和位线路径电阻而成为PCM存储器技术中的挑战。用于复位电流递送的电流镜架构具有有限复位电流递送能力，这是因为复位电流镜的负功率供应通常可以被设置成交叉点阵列的抑制电压，以便避免交叉点阵列中的存储器单元的误选择。附图说明将通过以下详细描述结合附图而容易地理解实施例。为了促进该描述，相同的附图标记标示相同的结构元素。通过示例的方式而不是通过限制的方式在附图的各图中图示实施例。图1是根据一些实施例的NVRAM设备（诸如，PCM设备）的示例电路。图2是图示根据一些实施例的NVRAM（例如，PCM）设备的复位操作的示例图。图3是根据一些实施例的用于执行NVRAM（例如，PCM）设备的复位操作的方法300的示例过程流程图。图4是根据本文所描述的各种实施例的包括NVRAM（例如，PCM）设备的示例系统。具体实施方式在以下详细描述中，对形成本文一部分的附图做出参考，其中相同的标号贯穿全文标示相同的部分，并且其中通过图示的方式示出可以实践的实施例。要理解的是，可以利用其它实施例，并且可以在不背离本公开的范围的情况下做出结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不以限制性含义来理解，并且实施例的范围由随附权利要求及其等同物来限定。本文讨论了用于向NVRAM设备（诸如，PCM设备）提供复位电流的技术。在一个实例中，装置可以包括NVRAM（例如，PCM）设备；选择镜电路，其与NVRAM设备耦合以向NVRAM设备施加选择镜电压以选择NVRAM设备的存储器单元；以及复位镜电路，其与NVRAM设备耦合以在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压以复位存储器单元。复位镜电压可以低于选择镜电压，以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。各种操作以最有助于理解要求保护的主题的方式被描述为相继的多个分立操作。然而，描述的次序不应被解释为暗示这些操作一定是次序相关的。特别地，这些操作可以不以呈现的次序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的次序执行。可以执行各种附加操作以及/或者在附加实施例中可以省略所描述的操作。为了本公开的目的，短语“A和/或B”意为（A）、(B)、或（A和B）。为了本公开的目的，短语“A、B和/或C”意为（A）、(B)、(C)、（A和B）、（A和C）、（B和C）或（A、B和C）。本描述可以使用短语“在实施例中”，或“在多个实施例中”，其均可以指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，如关于本公开的实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。术语“耦合”可以指代直接连接、间接连接或间接通信。如本文使用的，术语“模块”可以指代以下、是以下的部分或者包括以下：专用集成电路（ASIC）、电子电路、执行一个或多个软件或固件程序的处理器（共享的、专用的或群组的）和/或存储器（共享的、专用的或群组的）、组合逻辑电路、状态机和/或提供所描述的功能的其它合适的组件。图1示意性地图示根据一些实施例的NVRAM设备（诸如，PCM设备）的示例装置100。根据各种实施例，装置100可以包括一个或多个存储器单元（后文的“存储器单元102”），其可以如所示那样配置在阵列中。存储器单元102可以包括例如相变材料，诸如硫族化合物玻璃，其可以在施加通过电流产生的热的情况下在结晶和非晶状态之间切换。相变材料的状态（例如，结晶/非晶）可以与存储器单元102的逻辑值（例如，1或0）相对应。在一些实施例中，装置100可以是相变存储器和开关（PCMS）设备的部分。存储器单元102可以包括开关，诸如例如被配置用于在存储器单元102的选择/编程操作中使用的双向阈值开关（OTS）。在其它实施例中，装置100可以是其它合适类型的存储器设备的部分。无论如何，如以下将更详细地描述的，装置100可以与本公开的复位电流递送技术合并以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。装置100还可以包括耦合到存储器单元102的一个或多个位线（后文的“位线104”）和一个或多个字线（后文的“字线106”），如可以看到的那样。位线104和字线106可以被配置成使得存储器单元102中的每一个被布置在每一个单独的位线和字线的相交处。电压或偏置可以使用字线106和位线104被施加到存储器单元102的目标存储器单元以选择用于读取或写入操作的目标单元。位线驱动器128可以耦合到位线104，并且字线驱动器126可以耦合到字线106以促进一个或多个存储器单元102的解码/选择，如所示出的那样。在实施例中，单元102、字线106和位线106可以被组织成形成交叉点存储器阵列。例如，装置100可以包括一个或多个拼片（tile）124。一个或多个拼片124可以包括被视为在目标存储器单元的选择操作期间的分立单位的一个或多个字线106、位线104和存储器单元102的阵列的一部分。也就是说，在一些实施例中，一个或多个拼片124中的每一个是阵列的单位，其被偏置成选择阵列中的目标存储器单元（例如，位）。在所描绘的实施例中，一个或多个拼片组（tiledeck）124包括四字线乘四位线（4WLX4BL）的阵列；然而，在其它实施例中可以使用其它拼片组大小，包括例如一千字线乘一千位线（1000WLX1000BL）的拼片组大小。在一些实施例中，一个或多个拼片组124可以是堆叠存储器配置的任何存储器层的部分。例如，在一些实施例中，一个或多个组124可以是另一个存储器层上形成的存储器层的部分。位线104可以耦合到位线电极（全局位线）108，位线电极（全局位线）108可以进一步耦合到位线供应132，位线供应132被配置成提供用于位线104的电供应。字线106可以耦合到字线电极（全局字线）110，字线电极（全局字线）110可以进一步耦合到字线电压供应134，字线电压供应134被配置成提供用于字线106的电供应（电压HNVNN）。位线电极108和字线电极110可以均是到存储器单元102的电流路径。根据各种实施例，字线驱动器126和位线驱动器128可以均包括每个电极单个或多个晶体管。在实施例中，装置100可以包括感测电路112，其耦合到位线电极108。感测电路112可以使用位线电极108作为用于执行存储器单元102的读取操作（诸如感测操作）的电节点。装置100还可以包括写入电路116，其耦合到位线电极108。写入电路116可以使用位线电极108作为用于执行存储器单元102的写入操作（诸如置位或复位操作）的电节点。装置100还可以包括耦合到字线电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：非易失性随机存取存储器（NVRAM）设备；选择镜电路，其与NVRAM设备耦合以向NVRAM设备施加选择镜电压，以选择NVRAM设备的存储器单元；以及复位镜电路，其与NVRAM设备耦合以在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压，以复位存储器单元，其中复位镜电压低于选择镜电压，以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.04 US 14/7312121.一种装置，包括：非易失性随机存取存储器（NVRAM）设备；选择镜电路，其与NVRAM设备耦合以向NVRAM设备施加选择镜电压，以选择NVRAM设备的存储器单元；以及复位镜电路，其与NVRAM设备耦合以在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压，以复位存储器单元，其中复位镜电压低于选择镜电压，以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。2.根据权利要求1所述的装置，其中选择镜电路施加选择镜电压包括施加近似等于与NVRAM设备关联的抑制电压的电压值。3.根据权利要求1所述的装置，其中NVRAM设备是PCM设备，并且其中存储器单元包括与双向阈值开关（OTS）耦合的相变材料，并且其中施加到存储器单元的复位镜电压要将相变材料从结晶状态转换到非晶状态。4.根据权利要求1所述的装置，其中选择镜电压大约为-3.5V，其中复位镜电压大约为-4.25V。5.根据权利要求1所述的装置，其中复位镜电路在选择镜电压的施加之后向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压包括在存储器单元的突变回事件之后施加复位镜电压，其中突变回事件响应于向NVRAM设备施加选择镜电压而发生。6.根据权利要求5所述的装置，其中存储器单元与NVRAM设备的字线耦合，并且其中选择镜电路和复位镜电路选择性地与字线连接，以向存储器单元施加选择镜电压和复位镜电压。7.根据权利要求6所述的装置，其中突变回事件响应于向字线施加选择镜电压在存储器单元两端的电压超过阈值电压时发生。8.根据权利要求1所述的装置，其中NVRAM设备包括交叉点存储器阵列。9.根据权利要求1到8中任一项所述的装置，其中所述装置被布置在集成电路上。10.一种方法，包括：向非易失性随机存取存储器（NVRAM）设备施加选择镜电压，以选择NVRAM设备的存储器单元；以及在施加选择镜电压之后，向NVRAM设备的存储器单元施加复位镜电压，以复位存储器单元，其中复位镜电压低于选择镜电压，以促进向存储器单元递送高于电流阈值的复位电流。11.根据权利要求10所述的方法，其中施加选择镜电压包括施加近似等于与NV...

【专利技术属性】
技术研发人员：SK古利安尼，V普拉格彦，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US