一种用于氘灯的防高压击穿电路制造技术

如本实用新型专利技术公开了一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K‑1，继电器K的触点K‑1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1。本实用新型专利技术用于氘灯的防高压击穿电路能够对电网中的尖峰电压进行抑制，保护氘灯免受尖峰电压的影响，并且在电路中设置了谐波干扰抑制模块和过压保护模块，同时还设置了电压检测模块与过压自动切换电路，遇到过压情况时不会断开电路，只是通过增加回路电阻的方式降低再加氘灯上的电压，从而既不影响其使用，又防止了过压毁损，因此具有抗干扰性强、功能多样和使用方便的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于氘灯的防高压击穿电路
本技术涉及一种保护电路，具体是一种用于氘灯的防高压击穿电路。
技术介绍
氘灯是紫外可见分光光度计的紫外线光源，它发出的光的波长范围一般为190~400nm的连续光谱带。氘灯的使用波长范围一般为190~360nm。氘灯广泛应用于液相色谱仪的UV检测器，UV－VIS分光光度计,电泳仪,SOx/NOx分析仪,血液检查等多种分析测试仪器中。氘灯在使用过程中容易受到过压以及尖峰电压的影响，现有的氘灯电源只能进行单一保护，且保护的方式是断开电路，影响其正常的使用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于氘灯的防高压击穿电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K-1，继电器K的触点K-1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1，瞬态电压抑制二极管DW并联在变压器T的次级绕组N2的两端，变压器T的次级绕组N2还连接整流桥D的电压输入端，整流桥D的电压输出端连接电容C2和电感L1，变压器T的初级绕组N1连接220V市电电压，电容C2的另一端连接电感L2和整流桥D的端口4，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和三极管V1的集电极，三极管V1的发射极连接继电器K，继电器K的另一端连接电容C3的另一端、电感L2的另一端、电位器RP1的一个固定端和氘灯W，电位器RP1的另一个固定端连接电阻R3，电阻R3的另一端连接MOS管Q1的源极和氘灯W的另一端，电阻R1的另一端连接MOS管Q1的源极。作为本技术的优选方案：所述电容C2、电容C3、电感L1和电感L2组成π型滤波器。作为本技术的优选方案：所述继电器K为常开触点继电器。作为本技术的优选方案：所述瞬态电压抑制二极管DW的型号为SMAJ9.0A。作为本技术的优选方案：所述三极管V1为N型三极管，其型号为9013。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术用于氘灯的防高压击穿电路能够对电网中的尖峰电压进行抑制，保护氘灯免受尖峰电压的影响，并且在电路中设置了谐波干扰抑制模块和过压保护模块，同时还设置了电压检测模块与过压自动切换电路，遇到过压情况时不会断开电路，只是通过增加回路电阻的方式降低再加氘灯上的电压，从而既不影响其使用，又防止了过压毁损，因此具有抗干扰性强、功能多样和使用方便的优点。附图说明图1为用于氘灯的防高压击穿电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K-1，继电器K的触点K-1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1，瞬态电压抑制二极管DW并联在变压器T的次级绕组N2的两端，变压器T的次级绕组N2还连接整流桥D的电压输入端，整流桥D的电压输出端连接电容C2和电感L1，变压器T的初级绕组N1连接220V市电电压，电容C2的另一端连接电感L2和整流桥D的端口4，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和三极管V1的集电极，三极管V1的发射极连接继电器K，继电器K的另一端连接电容C3的另一端、电感L2的另一端、电位器RP1的一个固定端和氘灯W，电位器RP1的另一个固定端连接电阻R3，电阻R3的另一端连接MOS管Q1的源极和氘灯W的另一端，电阻R1的另一端连接MOS管Q1的源极。电容C2、电容C3、电感L1和电感L2组成π型滤波器。继电器K为常开触点继电器。瞬态电压抑制二极管DW的型号为SMAJ9.0A。三极管V1为N型三极管，其型号为9013。本技术的工作原理是：220V市电电压经过由变压器T降压后，再进入整流桥D中进行整流，在此期间经过瞬态电压抑制二极管DW，瞬态电压抑制二极管DW是反向连接的两个稳压二极管，当电压超出一定值时，其内部导通，保护后面的负载，能够有效抑制尖峰电压，从整流桥D的端口2输出的电压进入由电容C2、电容C3、电感L1和电感L2组成的π型滤波器中进行滤波，消除谐波干扰，从π型滤波器输出的电压加在MOS管Q1上，使用时，MOS管Q1的栅极通过电阻R2得电导通，氘灯W得电，电路中的电阻R3、电位器RP1组成分压电路，电压正常的情况下，经过分压后的电压不足以使三极管V1导通，遇到过压情况时，三极管V1导通，从而旁路Q1的栅极电压，Q1因此而截止，继电器K的电气回路接通，此时其触点K-1吸合，氘灯W与电阻R1串联后组成电气回路，此时即使电压较高，也因为电阻R1的分压作用不会造成氘灯的毁损，达到过压保护的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，其特征在于，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K‑1，继电器K的触点K‑1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1，瞬态电压抑制二极管DW并联在变压器T的次级绕组N2的两端，变压器T的次级绕组N2还连接整流桥D的电压输入端，整流桥D的电压输出端连接电容C2和电感L1，变压器T的初级绕组N1连接220V市电电压，电容C2的另一端连接电感L2和整流桥D的端口4，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和三极管V1的集电极，三极管V1的发射极连接继电器K，继电器K的另一端连接电容C3的另一端、电感L2的另一端、电位器RP1的一个固定端和氘灯W，电位器RP1的另一个固定端连接电阻R3，电阻R3的另一端连接MOS管Q1的源极和氘灯W的另一端，电阻R1的另一端连接MOS管Q1的源极。

【技术特征摘要】
1.一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，其特征在于，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K-1，继电器K的触点K-1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1，瞬态电压抑制二极管DW并联在变压器T的次级绕组N2的两端，变压器T的次级绕组N2还连接整流桥D的电压输入端，整流桥D的电压输出端连接电容C2和电感L1，变压器T的初级绕组N1连接220V市电电压，电容C2的另一端连接电感L2和整流桥D的端口4，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和三极管V1的集电极，三极管V1的发射极连接继电器K，继电器K的另一端连接电容C3的另一端、电感L2的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：田阔，高强，齐智，
申请(专利权)人：北京波尔通达电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11