【技术实现步骤摘要】
功率放大器冷却系统及电源
本专利技术涉及冷却系统,具体涉及功率放大器冷却系统及电源。
技术介绍
自1974年,美国的Plessey公司用GaAsFET作为有源器件,GaAs半绝缘衬底作为载体,研制成功世界上第一块MMIC放大器以来,在军事应用(包括智能武器、雷达、通信和电子战等方面)的推动下,MMIC的发展十分迅速。80年代,随着分子束外延、金属有机物化学汽相淀积技术(MOCVD)和深亚微米加工技术的发展和进步,MMIC发展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu两公司实验室研制出高电子迁移率晶体管(HEMT),在材料结构上得到了不断的突破和创新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs沟道制成的赝配HEMT(PHEMT),使HEMT向更调频率更低噪声方向发展。继HEMT之后,1984年用GaAlAs/GaAs异质结取代硅双极晶体管中的P-N结,研制成功了频率特性和速度特性更优异的异质结双极晶体管(HBT)和HBTMMIC。由于InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场、良好的热导率、InP基的晶格匹配HEMT,其性能比GaAs基更为优越,近年来随着InP单晶的制备取得进展,InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波,即交流信号电流,三极管的集电极电流永远是基极电流的β倍,β是三极管的交流放大倍数,应用这一点,若将小信号注入基极,则集电极流过的电流会等于基极电流的β倍,然后将这个信号用隔直电 ...
【技术保护点】
功率放大器冷却系统及电源,包括负载电路,所述负载电路中有功率放大器,其特征在于,还包括温度检测电路(7)、阀(6)、水冷循环管(4)、泵机(5)、变压器(1)、全桥整流电路(2)、稳压电路(3);所述变压器(1)、全桥整流电路(2)、稳压电路(3)依次电连接,最终由稳压电路输出稳定电压到所述负载电路;所述温度检测电路(7)包括温度传感器,该温度传感器用于检测所述功率放大器的温度;所述阀(6)为电磁阀,该阀(6)与温度检测电路(7)电连接,并且该阀(6)与水冷循环管(4)连接;所述泵机(5)与水冷循环管(4)连接;所述水冷循环管(4)环绕在功率放大器周围。
【技术特征摘要】
1.功率放大器冷却系统及电源,包括负载电路,所述负载电路中有功率放大器,其特征在于,还包括温度检测电路(7)、阀(6)、水冷循环管(4)、泵机(5)、变压器(1)、全桥整流电路(2)、稳压电路(3);所述变压器(1)、全桥整流电路(2)、稳压电路(3)依次电连接,最终由稳压电路输出稳定电压到所述负载电路;所述温度检测电路(7)包括温度传感器,该温度传感器用于检测所述功率放大器的温度;所述阀(6)为电磁阀,该阀(6)与温度检测电路(7)电连...
【专利技术属性】
技术研发人员:李正军,
申请(专利权)人:成都西井科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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