一种塑封光耦解剖方法技术

本发明专利技术公开了一种塑封光耦解剖方法，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作。使得光耦解剖后，框架完整、芯片粘接及键合完整，可有效扩展塑封光耦的分析能力，即立体结构的塑封光耦也可进行键合强度试验及芯片粘接分析。

An anatomic method for plastic coupled Optocoupler

The invention discloses a plastic optocoupler anatomical methods, through the internal structure of X ray plastic optocoupler, the plastic optical coupling to partial removal by laser opening machine, for light emitting and receiving optical plastic separation of parts, and then using sulfuric acid soaking method, remove the light guide rubber chip surface, analysis of failure analysis and DPA in bonding strength and bonding. After the optocoupler dissection, the frame is complete, chip bonding and bonding are complete. It can effectively expand the analysis ability of the plastic optocoupler, that is, the three-dimensional structure of the plastic sealed optocoupler can also carry out bonding strength test and chip bonding analysis.

【技术实现步骤摘要】
一种塑封光耦解剖方法
本专利技术属于元器件封装内部芯片分析
，具体涉及一种塑封光耦解剖方法。
技术介绍
随着半导体技术、光电子学的深入发展，光耦的应用越来越广泛，其发展也极其迅速。而塑封光耦是光耦比较典型的一种，其特点是结构比较特殊，种类多，内部还存在难以去除的导光胶。目前，GJB4027A-2006及GJB548B-2005中均无塑封光耦的解剖方法，塑封光耦的解剖一直是困扰我们最大的问题，对于立体结构的光耦，长期以来只能通过酸腐蚀的方法将塑封材料及导光胶去除，该方法会破坏塑封光耦的基本框架，同时使键合丝及芯片粘接也受到破坏而只剩下裸芯片，因发光二极管体积较小，其极易丢失，这样就使得对塑封光耦进行DPA中的键合强度试验变得不可能，同时也增加了对塑封光耦进行失效分析的难度。因此，如何完整地解剖芯片并保存光耦的键合系统和粘片结构，对正确地给出光耦的DPA结论或准确分析出失效原因就显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种塑封光耦解剖方法，解决立体结构的塑封光耦解剖后，无法进行键合强度试验及无法进行芯片粘接分析的问题，使得光耦解剖后，框架完整、芯片粘接及键合完整，可有效扩展塑封光耦的分析能力，即立体结构的塑封光耦也可进行键合强度试验及芯片粘接分析。本专利技术采用以下技术方案：一种塑封光耦解剖方法，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作。优选的，包括以下步骤：S1、对塑封光耦进行X射线检查；S2、对照步骤S1塑封光耦的X射线照片，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除；S3、采用手动方式将光耦发光部分和接收部分分离，并将隔离片揭开，露出发光管；S4、将分离后的光耦模块置于浓硫酸浸泡，至导光胶腐蚀完为止；S5、清洗解剖后的光耦，并判断是否符合要求，如果符合，则完成芯片解剖；S6、利用激光开封机对外键合点进行解剖，完整暴露出内外键合点，并判断是否符合要求，如果符合，则完成解剖。优选的，步骤S2中，去除掉所述塑封光耦的正面、背面及两个侧面，且正面及背面均要将包裹光耦隔离片的塑封材料去除。优选的，四个方向在解剖过程中，激光扫到塑封光耦框架时，所述激光的能量为30％。优选的，步骤S4中，浓硫酸浸泡的温度为常温，浸泡时间为6～10分钟。优选的，步骤S5中，将解剖后的光耦置于丙酮中进行超声清洗。优选的，步骤S5中，将解剖后的光耦置于酒精中进行超声清洗。与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：本专利技术塑封光耦解剖方法通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作，能够完整地保留塑封光耦框架、键合及粘片系统，不存在发光二极管丢失的情况，方法简单，操作方便，可进行键合强度试验、粘片系统分析及单芯片测试分析。进一步的，将分离后的光耦模块置于浓硫酸浸泡，至导光胶腐蚀完为止，不需要进行酸加热，相对于酸加热腐蚀器件塑封材料来说，比较安全，且不容易产生过腐蚀。进一步的，采用激光解剖，激光扫到塑封光耦框架时，激光能量为30％，能清楚的看见器件的解剖过程，控制比较方便。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术涉及的塑封光耦基本结构示意图；图2为本专利技术塑封光耦激光解剖过程第一步示意图；图3为本专利技术塑封光耦激光解剖过程第二步示意图。其中，1.光耦隔离片。具体实施方式本专利技术提供了一种塑封光耦解剖方法，通过对塑封光耦结构的研究，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，最终把塑封光耦的发光部分和接收部分成功分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，将芯片表面的导光胶去除，实现失效分析及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析等工作。请参阅图1，本专利技术塑封光耦解剖方法的具体步骤如下：S1、对塑封光耦进行X射线检查，充分了解塑封光耦的内部结构；S2、对照塑封光耦X射线照片，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除；其中，步骤S2中需去除塑封光耦的正面、背面及两个侧面，且正面及背面均要将包裹光耦隔离片1的塑封材料去除，四个方向解剖过程中，激光扫到塑封光耦框架时，注意把激光的能量调低；S3、手动将光耦发光部分和接收部分分离，并将隔离片揭开，露出发光管；S4、将分离后的光耦模块置于浓硫酸浸泡，至导光胶腐蚀完为止；步骤S4中浓硫酸浸泡是指在常温下，不需要加热，浸泡6分钟～10分钟，将导光胶去除；S5、清洗解剖后的光耦，并判断是否符合要求，如果符合，则完成芯片解剖；步骤S5中清洗解剖后的光耦是指将解剖后的光耦置于丙酮或酒精中进行超声清洗；S6、利用激光开封机对外键合点进行解剖，完整暴露出内外键合点，并判断是否符合要求，如果符合，则完成解剖。实施例请参阅图2和图3，以HCPL-0630-000E(立体结构)为例，将前后两个侧面的塑封材料剥离，暴露出光耦的管腿及隔离片，然后将正面及背面的塑封材料剥离，从这两个方向暴露出隔离片，了解清楚光耦的外部结构；通过X射线检查塑封光耦的形貌，了解清楚器件内部结构，为后续开封做准备；利用激光开封机将塑封光耦四个方向的塑封料局部去除后的形貌，将塑封光耦的发光部分与接收部分分离；将塑封光耦发光部分与接收部分的导光胶去除后的形貌，能清晰地检查光耦的芯片工艺、光耦芯片版图工艺及键合工艺。利用本专利技术解剖塑封光耦，方法简单，操作方便且比较安全，成本低，解剖成功率高且效果良好，能完整地保留塑封光耦的框架、键合及粘片系统。解剖后的光耦可进行内部目检、键合强度试验、粘片系统分析及单芯片测试分析，对塑封光耦的DPA及失效分析有很重要的意义。以上内容仅为说明本专利技术的技术思想，不能以此限定本专利技术的保护范围，凡是按照本专利技术提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本专利技术权利要求书的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作。

【技术特征摘要】
1.一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘接分析工作。2.根据权利要求1所述的一种塑封光耦解剖方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对塑封光耦进行X射线检查；S2、对照步骤S1塑封光耦的X射线照片，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除；S3、采用手动方式将光耦发光部分和接收部分分离，并将隔离片揭开，露出发光管；S4、将分离后的光耦模块置于浓硫酸浸泡，至导光胶腐蚀完为止；S5、清洗解剖后的光耦，并判断是否符合要求，如果符合，则完成芯片解剖；S6、利用激光开封机对外键合点进行解剖...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立刚，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61