阵列基板的制造方法技术

一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在衬底(110)上形成信号传输线(120)以及栅极(130)；所述信号传输线(120)和所述栅极(130)之间设有间隙；在所述信号传输线(120)以及所述栅极(130)上形成栅极绝缘层(140)以及有源层(150)；在所述栅极绝缘层(140)及所述有源层(150)上形成有机绝缘层(160)；图案化所述有机绝缘层(160)，形成对应所述信号传输线(120)的贯孔(1601)；以图案化的有机绝缘层(160)为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层(140)以露出所述信号传输线(120)；在所述贯孔(1601)上形成第一导电层(170)导通所述信号传输线(120)，该方法只通过四次光罩就可以完成阵列基板的制备，相对于现有技术减少了一道光罩，简化生产工艺，降低制作成本。

Manufacturing method of array substrate

\u4e00\u79cd\u9635\u5217\u57fa\u677f\u7684\u5236\u9020\u65b9\u6cd5\uff0c\u6240\u8ff0\u65b9\u6cd5\u5305\u62ec\uff1a\u5728\u886c\u5e95(110)\u4e0a\u5f62\u6210\u4fe1\u53f7\u4f20\u8f93\u7ebf(120)\u4ee5\u53ca\u6805\u6781(130)\uff1b\u6240\u8ff0\u4fe1\u53f7\u4f20\u8f93\u7ebf(120)\u548c\u6240\u8ff0\u6805\u6781(130)\u4e4b\u95f4\u8bbe\u6709\u95f4\u9699\uff1b\u5728\u6240\u8ff0\u4fe1\u53f7\u4f20\u8f93\u7ebf(120)\u4ee5\u53ca\u6240\u8ff0\u6805\u6781(130)\u4e0a\u5f62\u6210\u6805\u6781\u7edd\u7f18\u5c42(140)\u4ee5\u53ca\u6709\u6e90\u5c42(150)\uff1b\u5728\u6240\u8ff0\u6805\u6781\u7edd\u7f18\u5c42(140)\u53ca\u6240\u8ff0\u6709\u6e90\u5c42(150)\u4e0a\u5f62\u6210\u6709\u673a\u7edd\u7f18\u5c42(160)\uff1b\u56fe\u6848\u5316\u6240\u8ff0\u6709\u673a\u7edd\u7f18\u5c42(160)\uff0c\u5f62\u6210\u5bf9\u5e94\u6240\u8ff0\u4fe1\u53f7\u4f20\u8f93\u7ebf(120)\u7684\u8d2f\u5b54(1601)\uff1b\u4ee5\u56fe\u6848\u5316\u7684\u6709\u673a\u7edd\u7f18\u5c42(160)\u4e3a\u63a9\u819c\uff0c\u523b\u8680\u6240\u8ff0\u6805\u6781\u7edd\u7f18\u5c42(140)\u4ee5\u9732\u51fa\u6240\u8ff0\u4fe1\u53f7\u4f20\u8f93\u7ebf(120)\uff1b\u5728\u6240\u8ff0\u8d2f\u5b54(1601)\u4e0a\u5f62\u6210\u7b2c\u4e00\u5bfc\u7535\u5c42(170)\u5bfc\u901a\u6240\u8ff0\u4fe1\u53f7\u4f20\u8f93\u7ebf(120)\uff0c\u8be5\u65b9\u6cd5\u53ea\u901a\u8fc7\u56db\u6b21\u5149\u7f69\u5c31\u53ef\u4ee5\u5b8c\u6210\u9635\u5217\u57fa\u677f\u7684\u5236\u5907\uff0c\u76f8\u5bf9\u4e8e The existing technology reduces a light mask, simplifies the production process and reduces production costs.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板的制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法。
技术介绍
随着薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为一种开关元件广泛应用于液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机电激光显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)等电子显示器件中，薄膜晶体管一般包含栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极等部分，其中，有源层是实现薄膜晶体管开关功能关键结构，有源层的电稳定性对于应用薄膜晶体管的电子显示器件尤为重要，然而，当半导体材料制备的有源层置于等离子体环境中，会降低其电稳定性，因此，在制备连接数据线或扫描电压线的过孔时，通常需要蚀刻阻挡层来保护有源层避免其与等离子体的接触。但是，添加蚀刻阻挡层会增加生产工艺步骤，而且标准的TFT制造工艺至少五道光罩，导致整体的设备投入过大，生产工艺要复杂，制作成本相应增加。另外，无机材料的刻蚀阻挡层还会降低电子显示器件的柔韧性。
技术实现思路
第一方面，本专利技术提供了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括:在衬底上形成信号传输线以及栅极；所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；在所述所述信号传输线以及所述栅极上形成栅极绝缘层以及有源层；在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层；图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔；以图案化的有机绝缘层为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层以露出所述信号传输线；在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线。结合第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔还包括：形成对应所述有源层的盲孔；所述方法还包括：去除预设厚度的有机绝缘层，以使所述盲孔变为通孔以露出所述有源层；所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：在所述通孔上形成第二导电层导通所述有源层；图案化所述第二导电层，形成漏极和源极。结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：导通所述第一导电层与所述第二导电层。结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，所述第一导电层和/或所述第二导电层为金属材料。结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔，以及形成对应所述有源层的盲孔具体为：在所述有机绝缘层上制备灰度掩模；以制备的灰度掩模为掩膜对所述有机绝缘层进行蚀刻，形成所述贯孔以及所述盲孔；剥离所述灰度掩模。结合第一方面，在第一方面的第五种实施方式中，所述在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层包括：在所述有源层上形成第三导电层；图案化所述第三导电层，形成源极和漏极；在所述栅极绝缘层以及所述第三导电层上形成有机绝缘层。结合第一方面的第五种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔还包括：形成对应所述源极或所述漏极的盲孔；所述方法还包括：对图案化后的有机绝缘层整体去除预设厚度，以使所述盲孔变为通孔以露出所述源极或所述漏极；所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：在所述通孔上形成第四导电层导通所述源极或所述漏极。结合第一方面的第六种实施方式，在第一方面的第七种实施方式中，所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：导通所述第一导电层与所述第四导电层，所述第一导电层的材料和/或所述第四导电层的材料为透明导电材料。结合第一方面的第五种实施方式，在第一方面的第八种实施方式中，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔，以及形成对应所述源极或所述漏极的盲孔具体为：在所述有机绝缘层上制备灰度掩模；以制备的灰度掩模为掩膜对所述有机绝缘层进行蚀刻，形成所述贯孔以及所述盲孔；剥离所述灰度掩模。结合第一方面以及第一方面的第一至八种实施方式，在第一方面的第九种实施方式中，其特征在于，所述在衬底上形成信号传输线和栅极包括：在衬底上沉积缓冲层，在所述缓冲层上形成所述信号传输线和所述栅极。相较于现有技术，本专利技术的阵列基板的制造方法中在衬底上形成信号传输线以及栅极；所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；在所述所述信号传输线以及所述栅极上形成栅极绝缘层以及有源层；在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层；图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔；以图案化的有机绝缘层为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层以露出所述信号传输线；在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线，该方法只通过需要通过四次光罩就可以完成阵列基板的的制备，相对于现有技术减少了一道光罩，简化生产工艺，降低制作成本，且以有机绝缘层作为刻蚀阻挡层可提高阵列基板的柔韧性。而且，该方法利用灰度光刻工艺图案化有机绝缘层，形成对应信号传输线的贯孔，以及对应有源层或源极的盲孔，再以图案化的有机绝缘层为掩膜对栅极绝缘层刻蚀以露出信号传输线，进一步整体去除预设厚度的有机绝缘层，使得盲孔变通孔，该方法只通过需要一次光罩就可以完成贯孔与通孔的制备，工艺简单，且可以避免刻蚀时等离子体与有源层或源极的接触造成的有源层结构的破坏，提高像素电极与源极或漏极之间的导电性，从而提高了所制备出的阵列基板的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施方式的阵列基板的制造方法的流程图；图2A-图2F为本专利技术一较佳实施方式的阵列基板的制造方法中部分制备步骤的示意图；图3A-图3D为本专利技术另一较佳实施方式的阵列基板的制造方法中部分制备步骤的示意图；图4A-图4F为本专利技术又一较佳实施方式的阵列基板的制造方法中部分制备步骤的示意图；图5为本专利技术另一较佳实施方式的阵列基板的制造方法的流程图；图6A-图6F为图5提供阵列基板的制造方法中各制备步骤的示意图；图7为本专利技术又一较佳实施方式的阵列基板的制造方法的流程图；图8A-图8F为为图7提供阵列基板的制造方法中各制备步骤的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1为本专利技术一较佳实施方式的阵列基板的制造方法的流程图，所述阵列基板的制造方法包括如下步骤：步骤S110，在衬底上形成信号传输线以及栅极；所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙。具体地，请一并参阅图2A，提供一衬底110，在衬底的表面沉积第一金属层图案化该金属层形成信号传输线120和栅极130。其中，第一金属层的材质可以包括Pt、Au、Al、Cu、Ti、Ag、Sc、Y、Cr、Ni、Mo、Al、ITO等材料中的任意一种或者多种。步骤S120，在所述信号传输线120以及所述栅极130上形成栅极绝缘层以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括:在衬底上形成信号传输线以及栅极；所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；在所述信号传输线以及所述栅极上形成栅极绝缘层以及有源层；在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层；图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔；以图案化的有机绝缘层为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层以露出所述信号传输线；在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括:在衬底上形成信号传输线以及栅极；所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；在所述信号传输线以及所述栅极上形成栅极绝缘层以及有源层；在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层；图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔；以图案化的有机绝缘层为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层以露出所述信号传输线；在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔还包括：形成对应所述有源层的盲孔；所述方法还包括：去除预设厚度的有机绝缘层，以使所述盲孔变为通孔以露出所述有源层；所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：在所述通孔上形成第二导电层导通所述有源层；图案化所述第二导电层，形成源极和漏极。3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线，以及在所述通孔上形成第二导电层导通所述有源层，还包括：导通所述第一导电层与所述第二导电层。4.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，所述第一导电层和/或所述第二导电层为金属材料。5.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔，以及形成对应所述有源层的盲孔具体为：在所述有机绝缘层上制备灰度掩模；以制备的灰度掩模为掩膜对所述有机绝缘层进行蚀刻，形成所...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁泽，余晓军，古普塔阿米特，魏鹏，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44