溅射靶材组装体制造技术

本发明专利技术为一种溅射靶材组装体，其含有多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。

Sputtering target assembly

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射靶材组装体
本专利技术例如涉及一种利用溅射法将氧化物薄膜成膜时所用的溅射靶材组装体，所述氧化物薄膜可用作液晶显示器及有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示器那样的显示装置等中所用的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的半导体层(活性层)。更详细而言，本专利技术涉及一种具备于底板(backingplate)上经由接合材料(bondingmaterial)而配置的多个溅射靶材构件的溅射靶材组装体。
技术介绍
TFT的半导体层中所用的非晶氧化物薄膜(以下有时称为氧化物半导体薄膜)具有与通用的非晶硅(a-Si)相比更高的载体迁移率，光学带隙(opticalbandgap)大，且可在低温下成膜，故期待将其应用于要求大型、高分辨率、高速驱动的新一代显示器及耐热性低的树脂基板等。氧化物半导体薄膜代表性地可列举：含有铟(In)，进而含有选自镓(Ga)、锌(Zn)及锡(Sn)中的至少一种以上的氧化物半导体薄膜。例如包含In、Ga、Zn及O的非晶氧化物半导体(In-Ga-Zn-O，以下有时称为“IGZO”)薄膜具有高的载体迁移率，故可优选地使用。在形成氧化物半导体薄膜时，可适宜地使用溅射法，所述溅射法对具有与欲形成的薄膜相同的组成的溅射靶材进行溅射。利用溅射法所形成的薄膜具有以下优点：薄膜面内的成分组成或膜厚等的面内均匀性优异，能可靠地形成与溅射靶材为相同的成分组成的薄膜。溅射法中所用的溅射靶材通常是使用在金属制的底板(支撑体)上使用接合材料接合有溅射靶材构件的形态，此种形态也被称为溅射靶材组装体。关于底板，广泛使用耐热性、导电性、热传导性优异的铜(Cu)基材料，使用纯Cu或Cu合金。接合材料广泛使用热传导性及导电性良好的低熔点焊接材料(例如In基材料、Sn基材料)。近年来，利用溅射法对大型基板进行成膜的需要增加，溅射靶材的大小也随之而不断大型化。视溅射靶材构件不同，有时也难以大型化。因此，例如使用如下溅射靶材组装体，所述溅射靶材组装体是在多个底板各自的上表面、或设于一个底板上的多个凸部各自的上表面那样的多个载置部(经由接合材料而载置接合溅射靶材构件的部分)上，配置有使用接合材料而接合的一个或为多个小片的溅射靶材构件，且多个载置部是彼此空开间隔而配置。对于此种溅射靶材组装体而言，为了不使底板彼此接触而产生异常放电等问题，相邻的载置部间的间隙部是以在室温时具有例如大致0.1mm～2.0mm的间隔(间隙)的方式形成。关于此种溅射靶材组装体，例如专利文献1中揭示的溅射靶材组装体已为人所知。专利文献1中揭示了如下溅射靶材组装体，所述溅射靶材组装体是将相向的溅射靶材构件的侧面相对于底板的侧面而设定为同一平面、或使其退后，由此即便在溅射过程中产生热膨胀等，构件片(tile)彼此也不接触，可防止由构件片的剥落、破损或剥离所致的异常放电。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本专利特开2004-143548号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]如上文所述，通常在溅射靶材组装体中，相邻的载置部间的间隙部(间隙)在室温时具有大致0.1mm～2.0mm的间隔(宽度)。自间隙部中露出的底板的Cu基材料也被溅射，Cu混入至所形成的氧化物半导体薄膜中。有时因所述Cu的混入而导致氧化物半导体薄膜的特性降低，TFT特性劣化。TFT特性的劣化成为显示装置的图像不均的主要因素。尝试解决所述问题的现有技术几乎不存在。专利文献1的溅射靶材组装体是将多个底板彼此空开间隔排列而成，但关于Cu自间隙部中所露出的底板的混入这一问题及其解决技术手段，并无揭示。另外，关于防止来自底板的Cu基材料的Cu混入的现有技术，日本专利特开2014-19930号公报揭示：在配置于同一垫板(同一载置部)上的相邻的溅射靶材构件间的间隙中，在溅射靶材构件与底板之间配置衬垫构件。然而，难以在溅射靶材组装体的相邻的载置部之间的间隙部中配置此种衬垫构件，无法将此种衬垫构件应用于相邻的载置部之间的间隙部中。本专利技术是鉴于所述情况而成，其目的在于提供一种可抑制自相邻的载置部之间的间隙部中溅射Cu的溅射靶材组装体。[解决问题的技术手段]可解决所述问题的本专利技术的溅射靶材组装体含有多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层(coating)。在本专利技术的优选实施方式中，将相邻的所述载置部配置于不同的底板上。在本专利技术的优选实施方式中，将相邻的所述载置部配置于同一底板上。在本专利技术的优选实施方式中，所述Ni基材料的涂层为电解电镀膜或无电解电镀膜。在本专利技术的优选实施方式中，所述Ni基材料的涂层包含纯Ni或Ni-P合金。在本专利技术的优选实施方式中，所述底板包含纯Cu或Cu合金。在本专利技术的优选实施方式中，所述溅射靶材构件含有选自由In、Ga、Zn及Sn所组成的组群中的一种或两种以上的元素。在本专利技术的优选实施方式中，所述涂层的膜厚为5μm～30μm。[专利技术的效果]在本专利技术的溅射靶材组装体中，通过在相邻的载置部间的间隙部中具有Ni基材料的涂层，可抑制自所述间隙部溅射底板所含的Cu的情况。附图说明图1A为表示本专利技术的溅射靶材组装体100的概略平面图。图1B为表示图1A的Ib-Ib线剖面的概略剖面图。图2A为表示作为溅射靶材组装体100的变形例的溅射靶材组装体100A的概略平面图。图2B为表示图2A的IIb-IIb线剖面的概略剖面图。图3A为表示作为溅射靶材组装体100的另一变形例的溅射靶材组装体100B的概略平面图。图3B为表示图3A的IIIb-IIIb线剖面的概略剖面图。具体实施方式以下，根据附图对本专利技术的实施方式加以详细说明。再者，以下的说明中，视需要而使用表示特定的方向或位置的用语(例如“上”、“下”、“右”、“左”及包含这些用语的其它用语)，但这些用语的使用是为了易于参照附图理解专利技术，且本专利技术的技术范围不受这些用语的含意的限制。另外，多个附图中所表示的符号相同的部分表示同一部分或构件。进而，以下所示的实施方式例示了用以使本专利技术的技术思想具体化的溅射靶材组装体，且并非将本专利技术限定于以下内容。另外，实施方式中记载的构成零件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要无特定的记载，则并非将本专利技术的范围仅限定于此，而是指例示。各附图所示的构件的大小或位置关系等有时也为了使理解容易等而夸张表示。本专利技术人等人为了抑制自相邻的载置部(为底板的部分，且为经由接合材料而载置接合有溅射靶材构件的部分)间的间隙部中溅射底板所含的Cu，而对间隙部(自间隙部中露出的底板的部分)中的涂层反复进行了研究。结果发现Ni基材料的涂层有效，从而完成了本专利技术。对达成本专利技术的经过进行说明。对形成于相邻的载置部之间的间隙部中、且可抑制自间隙部中露出的底板所含的Cu被溅射的涂层进行了研究。此外，也对即便所形成的涂层材料被溅射而混入至所得的氧化物半导体薄膜中也抑制所述氧化物半导体薄膜的特性劣化、因此抑制含有氧化物半导体薄膜的TFT的特性劣化的涂层进行了研究。结果发现使用Ni基材料的涂层有效，以至完成了本专利技术。图1A为表示本专利技术的溅射靶材组装体100的概略平面图，图1B为表示图1A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶材组装体，其特征在于，包括：多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各所述载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.30 JP 2015-1309691.一种溅射靶材组装体，其特征在于，包括：多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各所述载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。2.根据权利要求1所述的溅射靶材靶材组装体，其特征在于将相邻的所述载置部配置于不同的底板上。3.根据权利要求1所述的溅射靶材靶材组装体，其特征在于将相邻的所述载置部配置于同一底板...

【专利技术属性】
技术研发人员：高木胜寿，金丸守贺，广瀬研太，岩崎祐纪，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：发明
国别省市：日本,JP