The invention discloses a data reading device and method for non - volatile memory. The device comprises a comparator for reading, according to the received read request, the unit voltage storage unit and reading reference voltage are compared, and the output result; check for unit voltage comparator, and check the reference voltage storage unit are compared, and the output results of calibration; the reference voltage is less than that of the check the read reference voltage offset address; a recording unit used to read the results and test results, in determining the unit voltage is higher than the set threshold value, determining the storage unit for offset storage unit, then shift unit directory offset storage unit; read the correct unit, for if the received read request from unit address offset. To determine the offset storage unit reads the set value, and inhibit output read comparator. The invention can reduce Misreading in the reading operation of non-volatile memory and improve the reliability.
【技术实现步骤摘要】
一种非易失性存储器的数据读取装置及方法
本专利技术涉及存储器
,尤其涉及一种非易失性存储器的数据读取装置及方法。
技术介绍
随着电子设备的不断普及,人们对于高密度和低功耗的非易失性存储器的需求与日俱增。可靠性是评价存储器的一个重要指标。可靠性是指产品在规定条件下和规定时间内完成规定的功能。数据保持力是评价非易失性存储器可靠性的重要参数。数据保持力是指非易失性存储器存储的数据经过一段时间后没有失真或丢失,仍可有效读出的能力。由于非易失性存储器具有掉电数据不丢失的特点,因此,其具有一定的数据保持力,并可通过读取操作读出其存储的数据。对存储单元而言,浮栅中存储的电荷量决定了存储单元的阈值电压,而存储单元的阈值电压则决定了存储单元是存储数据“0”,还是存储数据“1”。但由于一些外部因素影响,会造成浮栅中存储的电荷增加,从而引起存储单元阈值电压的升高,随着时间的推移,当阈值电压升高到一定值后,存储单元中的存储的数据会发生变化,当用户下次再对该存储单元进行读操作时,会造成误读,导致非易失性存储器的可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种非易失性存储器的数据读取装置及方法,以减少非易失性存储器读操作过程中的误读,提高非易失性存储器数据的可靠性。第一方面,本专利技术实施例提供了一种非易失性存储器的数据读取装置,该装置包括:读取比较器,所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连,用于根据接收到的读取请求,将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较,并输出读取结果;校验比较器,所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连,用于将所述存 ...
【技术保护点】
一种非易失性存储器的数据读取装置,其特征在于,包括:读取比较器,所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连,用于根据接收到的读取请求,将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较,并输出读取结果;校验比较器,所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连,用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较,并输出校验结果;其中,所述校验参考电压小于所述读取参考电压;偏移地址记录单元,与所述读取比较器和所述校验比较器相连,用于根据读取结果和校验结果,在确定单元电压高于设定门限值时,确定所述存储单元为偏移存储单元,则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址;读取纠正单元,与所述偏移地址记录单元相连,用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时,确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值,并抑制所述读取比较器的输出。
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的数据读取装置,其特征在于,包括:读取比较器,所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连,用于根据接收到的读取请求,将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较,并输出读取结果;校验比较器,所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连,用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较,并输出校验结果;其中,所述校验参考电压小于所述读取参考电压;偏移地址记录单元,与所述读取比较器和所述校验比较器相连,用于根据读取结果和校验结果,在确定单元电压高于设定门限值时,确定所述存储单元为偏移存储单元,则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址;读取纠正单元,与所述偏移地址记录单元相连,用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时,确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值,并抑制所述读取比较器的输出。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述偏移地址记录单元具体用于:如果所述单元电压大于校验参考电压,且小于读取参考电压,则确定所述存储单元为偏移存储单元;如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压,则确定所述存储单元为擦除存储单元;如果所述单元电压大于校验参考电压和读取参考电压,则确定所述存储单元为编程存储单元。3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述设定值为“1”。4.根据权利要求1-3任一所述的装置,其特征在于,所述读取比较器的输入端分别与存储单元的漏极和读取参考存储单元的漏极相连,所述校验比较器的输入端分别与存储单元的漏极和校验参考存储单元的漏极相连,其中,存储单元的漏极与第一电阻相连,第一电阻的另一端与电源相连,存储单元的...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛子恒,刘奎伟,潘荣华,
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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