一种扇出型封装方法技术

本发明专利技术公开了一种扇出型封装方法，所述方法包括：提供封装基板，所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。通过上述方式，本发明专利技术能够防止芯片发生偏移，同时使再布线层的线宽和线距更窄。

A fan out encapsulation method

The invention discloses a fanout encapsulation method, the method includes providing a substrate, wherein the package substrate includes a silicon wafer base, pads and first re wiring layer, the pad is arranged on one side of the silicon wafer level, on the other side, and then the first wiring layer is arranged on the silicon the wafer base, the pad and the first wiring layer is electrically connected to the chip; and the encapsulation substrate electrically connected to the pad. By the above method, the invention can prevent the chip from shifting, while the line width and the line distance of the rewiring layer are narrower.

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型封装方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种扇出型封装方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，芯片的尺寸越来越小，芯片表面的I/O(输入/输出)引脚密度也越来越高，扇出型封装应运而生，扇出型封装将芯片高密度的I/O引脚扇出为低密度的封装引脚。目前，现有的扇出型封装方法包括如下流程：提供载板，在载板上贴附一层双面胶膜，将芯片的正面贴附在胶膜上，将芯片进行塑封后，剥离胶膜和载板，在芯片的正面形成再布线层、植球、切割。本专利技术的专利技术人在长期研究过程中发现，上述扇出型封装方法中由于采用了胶膜，在芯片塑封时温度变化使得胶膜发生伸缩、塑封时由于塑封材料、芯片和载板的热膨胀系数(CTE)不同发生翘曲等情况，导致芯片在塑封时产生偏移。芯片的偏移导致后续制程如光刻对位发生困难。；另外，用上述扇出型封装方法制备的再布线层在窄线宽/线距上都受到一定限制。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种扇出型封装方法，能够防止芯片发生偏移；同时可使再布线层的线宽和线距更窄。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种扇出型封装方法，所述方法包括：提供封装基板，所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术所采用的扇出型封装方法中的封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，焊盘和第一再布线层分别位于硅晶圆基层的两侧，焊盘与第一再布线层电连接，芯片与焊盘电连接；一方面，封装基板包括焊盘，芯片与封装基板的焊盘电连接，从而避免采用胶膜的封装方法导致的芯片在塑封时温度变化导致的胶膜伸缩、塑封时由于塑封材料、芯片和载板的热膨胀系数(CTE)不同发生翘曲等情况，导致芯片在塑封时产生偏移的情况；另一方面，封装基板包括硅晶圆基层，硅晶圆基层的导热性较好，从而有利于扇出型封装器件的散热；再一方面，封装基板的焊盘与第一再布线层位于硅晶圆基层的相对两侧，为后续提供双面有焊球结构的扇出型封装结构提供技术支持；又一方面，本专利技术所提供的扇形封装方法为先做再布线层再在再布线层上制备芯片，该方法比先做芯片再在芯片上进行再布线的方法的再布线层的线宽和线距更窄。附图说明图1是本专利技术扇出型封装方法一实施方式的流程示意图；图2是半导体封装领域晶圆一实施方式的俯视图；图3是硅晶圆基层设置硅通孔一实施方式的结构示意图；图4是本专利技术扇出型封装方法一实施方式的流程示意图；图5是图4中步骤S201-S206对应的扇出型封装器件一实施方式的结构示意图；图6是图4中步骤S207-S217对应的扇出型封装器件一实施方式的结构示意图；图7是图4中步骤S207对应的扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图8是图4中步骤S217对应的扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图9是本专利技术扇出型封装方法另一实施方式的流程示意图；图10是图9中步骤S301-S309对应的扇出型封装器件一实施方式的结构示意图；图11是图9中步骤S307对应的扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图12是本专利技术扇出型封装方法另一实施方式的流程示意图；图13是图12中步骤S407-S422对应的扇出型封装器件一实施方式的结构示意图；图14是图12中步骤S412对应的扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图15是图12中步骤S422对应的扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图16是本专利技术扇出型封装方法另一实施方式的流程示意图；图17是图16中步骤S507-S519对应的扇出型封装器件一实施方式的结构示意图；图18是本专利技术扇出型封装器件一实施方式的结构示意图；图19是本专利技术扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图20是本专利技术扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图21是本专利技术扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图。具体实施方式请参阅图1，图1为本专利技术扇出型封装方法一实施方式的流程示意图，该方法包括：S101：提供封装基板，封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，焊盘设置于硅晶圆基层一侧，第一再布线层设置于硅晶圆基层的另一侧，其中，焊盘和第一再布线层电连接。在一个应用场景中，硅晶圆基层可以直接设置有焊盘，如图2所示，图2为半导体封装领域晶圆一实施方式的俯视图。该晶圆10包括基层120和焊盘100，基层120设有正面及背面，焊盘100形成于基层120的正面，相对地，后续第一再布线层形成于基层120的背面；在本实施例中，基层120的材质为硅，由于硅的导热性较好，因此可以增强后续扇出型封装器件的散热性能。具体地，上述步骤S101包括：提供设有焊盘的硅晶圆基层，即提供如图2中的晶圆10；在硅晶圆基层相对设置的两侧分别形成第一再布线层、第二再布线层，第二再布线层形成于焊盘之上且电连接焊盘，即在如图2所示的基层120的正面的焊盘100上形成第二再布线层，在基层120的背面形成第一再布线层。由于硅晶圆基层本身导电性较差，因此为达到焊盘与第一再布线层电连接的目的，在一个实施方式中，在形成第一再布线层之前包括设置硅晶圆基层的状态使其具有焊盘的一侧位于下方；在硅晶圆基层的背对焊盘的位置形成硅通孔。请参阅图3，硅晶圆基层20具有焊盘22的一面朝下，利用等离子刻蚀的方式在硅晶圆基层20背对焊盘22的一侧的对应焊盘22的位置形成硅通孔24，在其他实施例中，也可采用其他方式形成硅通孔或采用其他方式将焊盘与第一再布线层电连接；在一个应用场景中，硅通孔24的侧边a与硅晶圆基层20的一侧边b之间的夹角为60-80°(例如，60°、70°、80°等)，硅通孔24的深宽比小于10:1，即h/d＜10(例如，h/d＝0.5、2、5、8、9等)。S102：将芯片与封装基板的焊盘电连接。具体地，当硅晶圆基层的正面的焊盘上形成有第二再布线层时，上述步骤S102具体为：将芯片与第二再布线层电连接，并通过第二再布线层与焊盘电连接；在一个应用场景中，芯片上设置有金属凸点，通过金属凸点与第二再布线层回流焊接的方式，实现芯片与第二再布线层电连接，该方式可以避免在后续芯片塑封过程中由于胶膜受热软化等导致的芯片位置发生偏移的情况。下面，将以几个具体的实施例就上述封装方法作进一步详细描述。在第一个实施例中，请参阅图4，图4为本专利技术扇出型封装方法一实施方式的流程示意图；该方法包括：S201：提供设置有焊盘的硅晶圆基层；具体地，请结合图5a，在一个应用场景中，封装基板包括直接设置有焊盘32的硅晶圆基层30，即一般封测厂直接可以拿到的晶圆；S202：在硅晶圆基层设置有焊盘的一侧形成第一钝化层，并在第一钝化层对应焊盘的位置设置第一开口；具体地，请结合图5b，在一个实施方式中，首先在硅晶圆基层30的表面涂覆一层第一钝化层34，接着通过曝光显影或者其他手段将第一钝化层34对应焊盘32的位置形成第一开口340，使得焊盘32露出；在另一个实施方式中，在第一钝化层34背对硅晶圆基层30的表面还可形成一介电层(图未示)，介电层上对应焊盘34的位置也设置有开口(图未示)，以使得焊盘32露出。S203：在第一钝化层背对硅晶圆基层的表面形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扇出型封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供封装基板，所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供封装基板，所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供封装基板包括：提供设有所述焊盘的所述硅晶圆基层；在所述硅晶圆基层相对设置的两侧分别形成所述第一再布线层、第二再布线层，所述第二再布线层形成于所述焊盘之上且电连接所述焊盘。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一再布线层之前包括：设置所述硅晶圆基层的状态使其具有所述焊盘的一侧位于下方；在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔之前包括：研磨所述硅晶圆基层背对所述焊盘的一侧，以使得所述硅晶圆基层的厚度小于或等于预定厚度。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述提供封装基板包括：在所述硅晶圆基层背对所述焊盘的一侧贴合加强板；所述在在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔之前包括：撤去所述加强板。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接包括：所述芯片表面设置有金属凸点，将所述芯片的所述金属凸点与所述第二再布线层回流焊接，以使得所述芯片与所述第二再布线层电连接，并通过所述第二再布线层与所述焊盘电连接。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述第二再布线层电连接之后包括：将所述芯片和所述硅晶圆基层的形成有所述第二再布线层一侧进行塑封。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述第二再布线层电连接之前包括：提供载板，将所述硅晶圆基层的形成有所述第一再布线层的一侧与所述载板连接；所述将所述芯片和所述硅晶圆基层的形成有所述第二再布线层一侧进行塑封之后还包括：去除所述载板。9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述硅晶圆基层形成所述第二再布线层，包括：在所述硅晶圆基层设置有所述焊盘的一侧形成第一钝化层，并在所述第一钝化层对应所述焊盘的位置设置第一开口；在所述第一钝化层背对所述硅晶圆基层的表面形成第一种子层；在所述第一种子层背对所述硅晶圆基层的表面形成第一掩膜层，并在所述第一掩膜层对应所述焊盘的位置设置第二开口；在所述第二开口内形成所述第二再布线层；去除所述第一掩膜层以及所述第二再布线层以外的第一种子层；其中，所述焊盘、所述第一种子层、所述第二再布线层电连接。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述硅晶圆基层形成所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞国庆，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32