一种扇出型封装方法技术

本发明专利技术公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：提供中介板、封装基板，所述中介板包括基底、位于基底一侧的布线区，其中，所述基底形成有孔洞，所述孔洞内包括导电层，所述布线区与所述孔洞内的所述导电层一端电连接；所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述中介板的所述布线区电连接，将所述封装基板与所述导电层的另一端电连接，以使得所述芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。通过上述方式，本发明专利技术所提供的实施方式能够提高扇形封装精度，防止芯片发生偏移。

A fan out encapsulation method

The invention discloses a fanout encapsulation method, the method includes: providing intermediary plate, packaging substrate, the intermediate plate comprises a substrate, located in the basal side of the wiring area, among them, the substrate is formed with holes, the hole comprises a conductive layer, the wiring area and the hole in the the conductive layer is electrically connected with the encapsulation substrate; including silicon wafer base, pads and first re wiring layer, the pad is arranged on one side of the silicon wafer level, on the other side, then the first wiring layer is arranged on the base of the silicon wafer, the pad and the first the re wiring layer is electrically connected; the chip and the intermediary plate of the wiring area is electrically connected to the substrate and the conductive layer is electrically connected to the other, so that the chip and the substrate electrically connected to the pad. Through the above methods, the implementation method provided by the invention can improve the sector packaging precision and prevent the chip from shifting.

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型封装方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种扇出型封装方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，芯片的尺寸越来越小，芯片表面的I/O(输入/输出)引脚密度也越来越高，扇出型封装应运而生，扇出型封装将芯片高密度的I/O引脚扇出为低密度的封装引脚。目前，现有的扇出型封装方法包括如下流程：提供载板，在载板上贴附一层双面胶膜，将芯片的正面贴附在胶膜上，将芯片进行塑封后，剥离胶膜和载板，在芯片的正面形成再布线层、植球、切割。本专利技术的专利技术人在长期研究过程中发现，上述扇出型封装方法将芯片直接连接在封装基板上，封装基板节点间距较大，不能契合高精度的芯片；其次，扇出型封装方法中由于采用了胶膜，在芯片塑封时温度变化使得胶膜发生伸缩、塑封时由于塑封材料、芯片和载板的热膨胀系数(CTE)不同发生翘曲等情况，导致芯片在塑封时产生偏移，芯片的偏移导致后续制程如光刻对位发生困难。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种扇出型封装方法及封装器件，能够提高扇形封装精度，防止芯片发生偏移。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种扇出型封装方法，所述方法包括：提供中介板、封装基板，所述中介板包括基底、位于基底一侧的布线区，其中，所述基底形成有孔洞，所述孔洞内包括导电层，所述布线区与所述孔洞内的所述导电层一端电连接；所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述中介板的所述布线区电连接，将所述封装基板与所述导电层的另一端电连接，以使得所述芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术所采用的扇出型封装方法中包括芯片、中介板和封装基板，芯片和封装基板之间通过一中介板连接，芯片与中介板的布线区连接，中介板的布线区节点间距较窄，可以提高封装精度；另一方面，芯片与中介板的布线区电连接，从而避免采用胶膜的封装方法导致的芯片在塑封时温度变化导致的胶膜伸缩、塑封时由于塑封材料、芯片和载板的热膨胀系数(CTE)不同发生翘曲等情况，导致芯片在塑封时产生偏移的情况；再一方面，封装基板包括硅晶圆基层，硅晶圆基层的导热性较好，从而有利于扇出型封装器件的散热。附图说明图1是本专利技术扇出型封装方法一实施方式的流程示意图；图2是图1中中介板一实施方式的结构示意图；图3是半导体封装领域晶圆一实施方式的俯视图；图4是图1中封装基板的硅晶圆基层形成硅通孔一实施方式的结构示意图；图5是图1中提供封装基板一实施方式的流程示意图；图6是图5中S201-S214对应的封装基板一实施方式的结构示意图；图7是图1中提供封装基板另一实施方式的流程示意图；图8是图7中S301-S307对应的封装基板一实施方式的结构示意图；图9是图1中提供封装基板另一实施方式的流程示意图；图10是图9中S407-S419对应的封装基板一实施方式的结构示意图；图11是本专利技术扇出型封装一实施方式的流程示意图；图12是图11中S502-S506对应的封装器件一实施方式的结构示意图；图13是图11中步骤S506对应的封装器件另一实施方式的结构示意图；图14是本专利技术扇出型封装方法一实施方式的结构示意图；图15是图14中步骤S602-5606对应的封装器件一实施方式的结构示意图；图16是图14中步骤S606对应的封装器件另一实施方式的结构示意图；图17是本专利技术扇出型封装器件一实施方式的结构示意图；图18是本专利技术扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图19是本专利技术扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图；图20为本专利技术扇出型封装器件另一实施方式的结构示意图。具体实施方式请参阅图1，图1为本专利技术扇出型封装方法一实施方式的流程示意图，该方法包括：S101：提供中介板、封装基板，中介板包括基底、位于基底一侧的布线区，其中，基底形成有孔洞，孔洞内包括导电层，布线区与孔洞内的导电层一端电连接；封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，焊盘设置于硅晶圆基层一侧，第一再布线层设置于硅晶圆基层的另一侧，其中，焊盘和第一再布线层电连接；在一个应用场景中，如图2所示，图2为图1中介板一实施方式的结构示意图。本专利技术所采用的中介板可为市面上直接售卖的。中介板1包括基底10和位于基底10一侧的布线区12；基底10的材质为为硅、玻璃、陶瓷等；基底10包括孔洞100，在本实施例中，孔洞100贯穿基底10(如图2a所示)，在其他实施例中，孔洞也可不贯穿基底(如图2b所示)；孔洞100内包括导电层1000，导电层1000的材质为金属，例如，金、铜、铂等，可通过化学气相沉积的方式形成；在其他实施例中，孔洞100内可能还包括一绝缘层1002和种子层1004，绝缘层1002的材质为氧化物、氮化物或者氮氧化物，种子层1004的材质为铝、金、铜、铂等；在另一个实施例中，孔洞100与布线区12接触的一端还包括第一金属垫1006，第一金属垫1006与孔洞100内的导电层1000电连接。布线区12包括绝缘层120和位于绝缘层120内的再布线层122；绝缘层12的材质为氧化物、氮化物或者氮氧化物；再布线层122的材质为金属，再布线层122与孔洞100内的导电层电连接，其材质为铜、钛等；在其他实施例中，布线区12还包括第二金属垫124，第二金属垫124可以比第一金属垫1006或孔洞100更密集的布置，第二金属垫124后期可以与芯片电连接，当芯片与第二金属垫124电连接时，可以提高其封装精度。在一个应用场景中，封装基板的硅晶圆基层可以直接设置有焊盘，如图3所示，图3为半导体封装领域晶圆一实施方式的俯视图。该晶圆20包括基层220和焊盘200，基层220设有正面及背面，焊盘200形成于基层220的正面，相对地，后续第一再布线层形成于基层120的背面；在本实施例中，基层120的材质为硅，由于硅的导热性较好，因此可以增强后续扇出型封装器件的散热性能。具体地，上述步骤S101中提供封装基板包括：提供设有焊盘的硅晶圆基层，即提供如图3中的晶圆20；在硅晶圆基层相对设置的两侧分别形成第一再布线层和第二再布线层，第二再布线层形成于焊盘之上且电连接焊盘，即在如图3所示的基层220的正面的焊盘200上形成第二再布线层，在基层220的背面形成第一再布线层。由于硅晶圆基层本身导电性较差，因此为达到焊盘与第一再布线层电连接的目的，在一个实施方式中，在形成第一再布线层之前包括设置硅晶圆基层的状态使其具有焊盘的一侧位于下方；在硅晶圆基层的背对焊盘的位置形成硅通孔。请参阅图4，硅晶圆基层30具有焊盘33的一面朝下，利用等离子刻蚀的方式在硅晶圆基层30背对焊盘33的一侧的对应焊盘33的位置形成硅通孔34，在其他实施例中，也可采用其他方式形成硅通孔或采用其他方式将焊盘与第一再布线层电连接；在一个应用场景中，硅通孔34的侧边a与硅晶圆基层30的一侧边b之间的夹角为60-80°(例如，60°、70°、80°等)，硅通孔34的深宽比小于10:1，即h/d＜10(例如，h/d＝0.5、3、5、8、9等)。S102：将芯片与中介板的布线区电连接，将封装基板与导电层的另一端电连接，以使得芯片与封装基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扇出型封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供中介板、封装基板，所述中介板包括基底、位于基底一侧的布线区，其中，所述基底形成有孔洞，所述孔洞内包括导电层，所述布线区与所述孔洞内的所述导电层一端电连接；所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述中介板的所述布线区电连接，将所述封装基板与所述导电层的另一端电连接，以使得所述芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供中介板、封装基板，所述中介板包括基底、位于基底一侧的布线区，其中，所述基底形成有孔洞，所述孔洞内包括导电层，所述布线区与所述孔洞内的所述导电层一端电连接；所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接；将芯片与所述中介板的所述布线区电连接，将所述封装基板与所述导电层的另一端电连接，以使得所述芯片与所述封装基板的所述焊盘电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供封装基板包括：提供设有所述焊盘的所述硅晶圆基层；在所述硅晶圆基层相对设置的两侧分别形成所述第一再布线层、第二再布线层，所述第二再布线层形成于所述焊盘之上且电连接所述焊盘。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将芯片与所述中介板的所述布线区电连接，将所述封装基板与所述导电层的另一端电连接，包括：所述芯片和所述封装基板位于所述中介板的相背两侧，将芯片与所述中介板的所述布线区电连接，将所述封装基板的所述第二再布线层与所述中介板的所述孔洞内的所述导电层的另一端电连接。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将芯片与所述中介板的布线区电连接包括：所述芯片表面设置有金属凸点，所述芯片通过所述金属凸点与所述布线区回流焊接。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述中介板的所述孔洞贯穿所述基底，所述将所述封装基板的所述第二再布线层与所述中介板的所述孔洞内的所述导电层电连接，包括：在所述孔洞背向所述布线区的一侧植第一焊球，将所述第一焊球与所述第二再布线层电连接。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将芯片与所述中介板的所述布线区电连接，将所述封装基板与所述导电层的另一端电连接，包括：将芯片与所述中介板的所述布线区电连接；将所述芯片和所述中介板形成有布线区一侧进行塑封，以使得所述芯片位于塑封层内；将所述封装基板的所述第二再布线层与所述中介板的所述孔洞内的所述导电层电连接；或者，将所述封装基板的所述第二再布线层与所述中介板的所述孔洞内的所述导电层电连接；将所述芯片与所述中介板的所述布线区电连接；将所述芯片和所述封装基板形成有所述第二再布线层一侧塑封，以使得所述芯片和所述中介板位于塑封层内。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一再布线层之前包括：设置所述硅晶圆基层的状态使其具有所述焊盘的一侧位于下方；在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔之前包括：研磨所述硅晶圆基层背对所述焊盘的一侧，以使得所述硅晶圆基层的厚度小于或等于预定厚度。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述提供封装基板包括：在所述硅晶圆基层背对所述焊盘的一侧贴合加强板；所述在在所述硅晶圆基层的背对所述焊盘的位置形成硅通孔之前包括：撤去所述加强板。10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述硅晶圆基层形成所述第二再布线层，包括：在所述硅晶圆基层设置有所述焊盘的一侧形成第一钝化层，并在所述第一钝化层对应所述焊盘的位置设置第一开口；在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞国庆，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32