一种液晶显示面板及其控制方法技术

本发明专利技术提供一种液晶显示面板及其控制方法，该液晶显示面板包括：上基板、下基板、液晶层；液晶层封存于上基板与下基板之间；下基板由下至上依次包括TFT基板、薄膜晶体管、像素电极；上基板的表面设置有第一公共电极以及第二公共电极，其中，第一公共电极与薄膜晶体管相对，第二公共电极与所述像素电极相对，且第一公共电极与薄膜晶体管的栅极具有相同电位。本发明专利技术提供的液晶显示面板及其控制方法，可以控制液晶显示面板栅极边缘的液晶分子不出现漏光。

A liquid crystal display panel and its control method

The invention provides a liquid crystal display panel and control method thereof, the liquid crystal display panel includes upper and lower substrates, a liquid crystal layer; the liquid crystal layer in between the upper substrate and the lower substrate; a lower substrate followed from TFT substrate, thin film transistor, a pixel electrode; on the surface of substrate is provided with a first electrode and the public the second common electrode, the first common electrode and a thin film transistor, second common electrode and the pixel electrode, and gate of the first common electrode of the thin film transistor has the same potential. The invention provides a liquid crystal display panel and its control method, can control the liquid crystal molecules of the liquid crystal display panel gate edge does not appear light.

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板及其控制方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种液晶显示面板及其控制方法。
技术介绍
VA(垂直取向型)显示面板加电时，VA显示面板的上基板与下基板之间的液晶分子会在垂直电场方向排列旋转，通过上基板与下基板之间的电压调整液晶分子的旋转大小，进而控制显示面板的背光穿透率，以达到L0～L255不同灰阶亮度控制。然而VA显示面板在L0等低灰阶(即黑阶)时，像素电极无电压，显示面板不透光，但是薄膜晶体管(TFT)的栅极仍然还在通电中，因而会出现栅极驱动产生电场，控制液晶旋转，背光会通过栅极边缘，出现漏光的情形。为了解决漏光的情形，会在上基板上增加一个BM(BlackMatrix，黑色矩阵)制程进行遮光，从而VA显示面板在L0等低灰阶时，其边缘不会漏光，但是BM制程会影响显示面板在L0等低灰阶时的暗态表现。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种液晶显示面板及其控制方法，可以控制液晶显示面板栅极边缘的液晶分子不出现漏光。本专利技术提供的一种液晶显示面板，包括：上基板、下基板、液晶层；所述液晶层封存于所述上基板与所述下基板之间；所述下基板由下至上依次包括TFT基板、薄膜晶体管、像素电极；所述上基板的表面设置有第一公共电极以及第二公共电极，其中，所述第一公共电极与所述薄膜晶体管相对，所述第二公共电极与所述像素电极相对，且所述第一公共电极与所述薄膜晶体管的栅极具有相同电位。优选地，所述第一公共电极与所述第二公共电极之间的距离范围为2～4微米；所述第一公共电极和所述第二公共电极在所述下基板上的投影与所述像素电极之间的距离范围均为2～4微米，且所述第一公共电极在所述下基板上的投影与所述像素电极不重合。。优选地，所述第一公共电极的电位是根据栅极电压的固定频率来控制而使其与所述栅极具有相同电位。优选地，所述下基板还包括位于所述薄膜晶体管上方的彩色滤光层，在所述薄膜晶体管与所述彩色滤光层之间设置有第一钝化层，在所述彩色滤光层上设置有第二钝化层，所述像素电极位于所述第二钝化层上方；所述薄膜晶体管由下至上依次包括：栅极、绝缘层、非晶硅层、半导体导电层，所述半导体导电层上还包括有源极和漏极。优选地，所述TFT基板和所述上基板均为玻璃板；所述第一公共电极、所述第二公共电极及所述像素电极均为半导体透明导电薄膜材料制成。优选地，所述TFT基板上方还设置有数条栅极扫描线及数条数据线，所述数条栅极扫描线与所述数条数据线上下绝缘交错，划出阵列排布的像素区域，每一像素区域对应的所述彩色滤光层的红、绿、蓝色滤光单元下端均对应设置有一个所述薄膜晶体管。优选地，所述第二钝化层上方设置有柱状隔垫物。优选地，所述第一公共电极的线宽大于所述栅极的线宽至少3微米。本专利技术还提供一种液晶显示面板控制方法，包括下述步骤：提供一上基板，在所述上基板的表面制备第一公共电极及第二公共电极；提供一TFT基板，在所述TFT基板上制备薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上制备彩色滤光层，在所述彩色滤光层上制备像素电极，形成下基板；在所述上基板与所述下基板之间封存液晶层，得到液晶显示面板，并为所述第一公共电极和所述薄膜晶体管的栅极提供相同电位。优选地，所述在所述上基板的表面设置第一公共电极及第二公共电极，具体包括：在所述上基板表面镀上半导体透明导电薄膜材料；在所述半导体透明导电薄膜材料表面涂布光阻材料；对所述半导体透明导电薄膜材料表面进行曝光、显影及蚀刻处理，得到所述第一公共电极及所述第二公共电极。实施本专利技术，具有如下有益效果：通过在上基板上制备第一公共电极和第二公共电极，第一公共电极与薄膜晶体管相对，且第一公共电极与薄膜晶体管的栅极之间具有相同电位，用于控制液晶显示面板栅极边缘的液晶分子位于垂直上基板和下基板的方向，不发生偏转，防止在L0灰阶状态时，栅极边缘的液晶分子出现漏光。减少了一道BM制程，增加一道公共电极的图形定义制程，因此也不会影响显示面板在L0低灰阶时的暗态表现。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术提供的液晶显示面板的结构图。图2是本专利技术提供的薄膜晶体管的结构图。具体实施方式本专利技术提供一种液晶显示面板，如图1所示，该液晶显示面板包括：上基板1、下基板、液晶层3。液晶层3封存于上基板1与下基板之间。下基板由下至上依次包括TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)基板2、薄膜晶体管4、像素电极6。如图2所示，薄膜晶体管4包括栅极41。上基板1的表面设置有第一公共电极7以及第二公共电极8，其中，第一公共电极7与薄膜晶体管4相对，第二公共电极8与像素电极6相对，且第一公共电极7与薄膜晶体管4的栅极41具有相同电位。第一公共电极7与薄膜晶体管4之间形成电场，以控制第一公共电极7与薄膜晶体管4之间的液晶分子偏转，阻止液晶层3漏光。第二公共电极8与像素电极6形成电场，控制第二公共电极8与像素电极6之间的液晶分子偏转，以控制液晶显示面板的灰阶显示。一般而言，第一公共电极7与薄膜晶体管4的栅极41之间形成的电场为垂直方向的电场，且控制第一公共电极7与薄膜晶体管4的栅极41之间的电位相同，从而控制第一公共电极7与栅极41之间液晶分子的方向为垂直方向，当上基板1与下基板之间的液晶分子处于L0灰阶(即黑阶)状态时，可以通过控制第一公共电极7与栅极41的电位，进而控制液晶显示面板栅极41边缘的液晶分子不漏光。其中，上基板1与下基板之间通过封框胶进行密封粘接，该封框胶为导电封框胶。具体而言，控制第一公共电极7的电位与薄膜晶体管4栅极41的电位相同，例如，上基板1与下基板之间通过导电的封框胶连接，可以将第一公共电极7与封框胶电性连接，且将薄膜晶体管4的栅极41与该封框胶电性连接，从而保证第一公共电极7与栅极41之间电性连接，实现电位相同。优选地，下基板上还包括有公共电压信号线(图中未示出)，第二公共电极8通过导电的封框胶与公共电压信号线相连接。进一步地，第一公共电极7与第二公共电极8之间的距离D1范围为2～4微米。第一公共电极7在下基板上的投影与像素电极6之间的距离D2范围为2～4微米，第二公共电极8在下基板上的投影与像素电极6的距离D3范围也为2～4微米，其中，第一公共电极7在下基板上的投影与像素电极6不重合，第二公共电极8在下基板上的投影与像素电极6可以部分重合。第二公共电极8的投影与像素电极6之间的距离，为该投影与像素电极6相对的两条边之间的距离；第二公共电极8的投影与像素电极6之间的距离，为该投影与像素电极6同一边的距离，例如第二公共电极8投影的左边与像素电极6的左边之间的距离。进一步地，第一公共电极7的电位是根据栅极电压的固定频率来控制而使其与薄膜晶体管4的栅极41具有相同电位。栅极电压即是栅极41的电压。例如，栅极电压的固定频率可以为60赫兹或者120赫兹，在该固定频率下进行VGH和VGL的开关切换，可以根据该固定频率来控制第一公共电极7的电位，使其与薄膜晶体管4的栅极41具有相同电位。进一步地，下基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板，其特征在于，包括：上基板(1)、下基板、液晶层(3)；所述液晶层(3)封存于所述上基板(1)与所述下基板之间；所述下基板由下至上依次包括TFT基板(2)、薄膜晶体管(4)、像素电极(6)；所述上基板(1)的表面设置有第一公共电极(7)以及第二公共电极(8)，其中，所述第一公共电极(7)与所述薄膜晶体管(4)相对，所述第二公共电极(8)与所述像素电极(6)相对，且所述第一公共电极(7)与所述薄膜晶体管(4)的栅极(41)具有相同电位。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：上基板(1)、下基板、液晶层(3)；所述液晶层(3)封存于所述上基板(1)与所述下基板之间；所述下基板由下至上依次包括TFT基板(2)、薄膜晶体管(4)、像素电极(6)；所述上基板(1)的表面设置有第一公共电极(7)以及第二公共电极(8)，其中，所述第一公共电极(7)与所述薄膜晶体管(4)相对，所述第二公共电极(8)与所述像素电极(6)相对，且所述第一公共电极(7)与所述薄膜晶体管(4)的栅极(41)具有相同电位。2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一公共电极(7)与所述第二公共电极(8)之间的距离范围为2~4微米；所述第一公共电极(7)和所述第二公共电极(8)在所述下基板上的投影与所述像素电极(6)之间的距离范围均为2~4微米，且所述第一公共电极(7)在所述下基板上的投影与所述像素电极(6)不重合。3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一公共电极(7)的电位是根据栅极电压的固定频率来控制而使其与所述栅极(41)具有相同电位。4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述下基板还包括位于所述薄膜晶体管（4）上方的彩色滤光层（5），在所述薄膜晶体管(4)与所述彩色滤光层(5)之间设置有第一钝化层(9)，在所述彩色滤光层(5)上设置有第二钝化层(10)，所述像素电极(6)位于所述第二钝化层(10)上方；所述薄膜晶体管(4)由下至上依次包括：栅极(41)、绝缘层(42)、非晶硅层(43)、半导体导电层(44)，所述半导体导电层(44)上还包括有源极(45)和漏极。5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述TFT基...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨一峰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44