The utility model discloses a through hole of a high density HDI multi-layer circuit board copper deposition device, which belongs to the field of single fiber measuring device, through the pump body to sink the injected gas, copper in the cabinet to form a high pressure, the electroplating liquid into the hole, and slowly flow continuously into the electroplating bath the through hole, and the plating liquid out the old, so as to ensure the uniformity of the through hole plating of electrical protection, multi-layer circuit board connection stability.
【技术实现步骤摘要】
一种高密度HDI多层线路板的通孔沉铜装置
本技术涉及高密度HDI多层线路板制作领域,更具体的,涉及一种高密度HDI多层线路板的通孔沉铜装置。
技术介绍
多层线路板需要将各层间的电路进行电性连接,它们之间的电气连接通常是通过电路板横断面上进行镀通孔实现的。为了增加精密性,电路板的厚度逐渐增加、通孔的直径逐渐减小,在通孔内镀铜的工艺越来越难,容易造成通孔内无法镀到铜,或者镀的不均匀,影响多层线路板内部电气连接的稳定性,从而影响产品质量。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷,本技术所要解决的技术问题在于提出一种高密度HDI多层线路板的通孔沉铜装置,可以实现多层线路板上通孔的完全镀铜,防止个别通孔的孔径过小,使电镀液无法进入通孔内部,造成空洞或电镀不均匀现象。为达此目的,本技术采用以下技术方案:本技术提供了一种高密度HDI多层线路板的通孔沉铜装置,包括将多层线路板的通孔进行金属化的沉铜装置;所述沉铜装置包括沉铜柜及储液柜,所述沉铜柜沿内壁面设置有至少一个环形支撑件,所述环形支撑件水平,所述沉铜柜的侧壁包括固定部及与所述固定部枢接的枢接部,所述环形支撑件部分位于所述枢接部内壁上,所述枢接部具有敞开位置、第一密封位置以及第二密封位置,当所述枢接部处于敞开位置时,所述枢接部与所述固定部仅枢接位置接触,所述环形支撑件裸露,当所述枢接部处于第一密封位置时,所述枢接部与所述固定部密封,所述环形支撑件断开,当所述枢接部处于第二密封位置时,所述枢接部与所述固定部密封,所述环形支撑件连续;所述沉铜柜顶部与所述储液柜顶部通过第一管道相通,所述第一管道上设置有泵体、且所述第一管道延伸进入所述 ...
【技术保护点】
一种高密度HDI多层线路板的通孔沉铜装置,其特征在于:包括将多层线路板的通孔进行金属化的沉铜装置;所述沉铜装置包括沉铜柜(100)及储液柜(200),所述沉铜柜(100)沿内壁面设置有至少一个环形支撑件(130),所述环形支撑件(130)水平,所述沉铜柜(100)的侧壁包括固定部(110)及与所述固定部(110)枢接的枢接部(120),所述环形支撑件(130)部分位于所述枢接部(120)内壁上,所述枢接部(120)具有敞开位置、第一密封位置以及第二密封位置,当所述枢接部(120)处于敞开位置时,所述枢接部(120)与所述固定部(110)仅枢接位置接触,所述环形支撑件(130)裸露,当所述枢接部(120)处于第一密封位置时,所述枢接部(120)与所述固定部(110)密封,所述环形支撑件(130)断开,当所述枢接部(120)处于第二密封位置时,所述枢接部(120)与所述固定部(110)密封,所述环形支撑件(130)连续;所述沉铜柜(100)顶部与所述储液柜(200)顶部通过第一管道相通(140),所述第一管道上设置有泵体(141)、且所述第一管道延伸进入所述储液柜(200)底部,所述第一管 ...
【技术特征摘要】
1.一种高密度HDI多层线路板的通孔沉铜装置,其特征在于:包括将多层线路板的通孔进行金属化的沉铜装置;所述沉铜装置包括沉铜柜(100)及储液柜(200),所述沉铜柜(100)沿内壁面设置有至少一个环形支撑件(130),所述环形支撑件(130)水平,所述沉铜柜(100)的侧壁包括固定部(110)及与所述固定部(110)枢接的枢接部(120),所述环形支撑件(130)部分位于所述枢接部(120)内壁上,所述枢接部(120)具有敞开位置、第一密封位置以及第二密封位置,当所述枢接部(120)处于敞开位置时,所述枢接部(120)与所述固定部(110)仅枢接位置接触,所述环形支撑件(130)裸露,当所述枢接部(120)处于第一密封位置时,所述枢接部(120)与所述固定部(110)密封,所述环形支撑件(130)断开,当所述枢接部(120)处于第二密封位置时,所述枢接部(120)与所述固定部(110)密封,所述环形支撑件(130)连续;所述沉铜柜(100)顶部与所述储液柜(200)顶部通过第一管道相通(140),所述第一管道上设置有泵体(141)、且所述第一管道延伸进入所述储液柜(200)底部,所述第一管道在所述泵体(141)与所述储液柜(200)之间设置有第一电动阀(142),所述第一管道在所述泵体(141)与所述第一电动阀(142)之间连通有进气管(150),所述进气管(150)上设置有第二电动阀(151);所述沉铜柜(100)底部与所述储液柜(200)底部通过第二管道相通(160),所述第二管道上设置有第三电动阀(161),所述泵体(141)、所述第一电动阀(142)、所述第二电动阀(151)及所述第三电动阀(161)均与控制器(400)电联接。2.根据权利要求1所述的高密度HDI多层线路板的通孔沉铜装置,其特征在于:所述沉...
【专利技术属性】
技术研发人员:马卓,乔志刚,
申请(专利权)人:信丰迅捷兴电路科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江西,36
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。