旋转局部加热式半导体元件镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体制造技术领域，公开了一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括用于固定长方体状半导体元件的固定架，固定架可转动，所述固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨和竖向滑轨，横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一；滑轨上滑动设置有若干个坩埚，每个坩埚内均固定设置有蒸发源；还包括L型的固定杆，固定杆沿滑轨设置，且固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上滑动设有若干个加热源。本实用新型专利技术解决了现有镀膜装置对于长方体状半导体元件镀膜时镀膜厚度不均的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
旋转局部加热式半导体元件镀膜装置
本技术属于半导体制造
，具体涉及一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置。
技术介绍
半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。半导体在制造的过程中，为了减小半导体在使用过程中的损耗，通常需要对半导体进行镀膜处理。半导体的镀膜方式包括蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜等，其中，蒸发镀膜是指通过加热蒸发镀膜物质，使其沉积在半导体元件的表面，形成一层保护膜。蒸发镀膜中膜的厚度决定于蒸发速率、镀膜时间，以及蒸发源与半导体元件之间的距离等。因此，为了保证镀膜的均匀性，必须地严格控制好上述影响因素。蒸发镀膜装置包括蒸发源、加热源和用于固定待镀膜半导体元件的固定装置，其中，若需要对半导体元件的多个侧面进行镀膜时，还需要将固定装置设置成可转动的，以便于将半导体元件的不同侧面转至朝向蒸发源。然而，对于长方体状的半导体元件，由于蒸发源是固定不动的，而长方体的长和宽大多都不相等，固定装置转动后，虽然可以实现下一个待镀膜侧面正面朝向蒸发源，但待镀膜侧面与蒸发源之间的距离会发生变化，这就导致半导体元件不同侧面的镀膜厚度不一致。
技术实现思路
本技术意在提供一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，以解决现有镀膜装置对于长方体状半导体元件镀膜时镀膜厚度不均的技术问题。本方案中的旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括用于固定长方体状半导体元件的固定架，固定架可转动，所述固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨和竖向滑轨，横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一；滑轨上滑动设置有若干个坩埚，每个坩埚内均固定设置有蒸发源；还包括L型的固定杆，固定杆沿滑轨设置，且固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上滑动设有若干个加热源。采用本技术的技术方案：固定架转动可将长方体状半导体元件的不同侧面转动至朝向蒸发源，便于对相应的侧面进行蒸发镀膜。横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一，即将长方体状半导体元件固定于固定架上，且使长方体状半导体元件的长边与横向滑轨平行，长方体状半导体元件的宽边与竖向滑轨平行时，横向滑轨与长方体状半导体元件长边之间的距离和竖向滑轨与长方体状半导体元件宽边之间的距离相等，因此，位于横杆上的坩埚内的蒸发源对长方体状半导体元件长边侧面的蒸发镀膜效果与位于竖杆上的坩埚内的蒸发源对长方体状半导体元件宽边侧面的蒸发镀膜效果是一致的。坩埚滑动设置于滑轨上，即蒸发源滑动设置于滑轨上，加热源滑动设置于固定杆上，因此，蒸发源和加热源可以根据蒸发镀膜的实际需求滑动至相对于长方体状半导体元件的不同位置处，且可以进行自由组合作用，实现对长方体半导体元件的蒸发镀膜。综上，本技术的技术效果在于：固定架转动，可以使蒸发源位于同一位置处时对长方体半导体元件的相对侧面进行同等程度的蒸发镀膜；而蒸发源和加热源围绕长方体状半导体元件滑动，可以对长方体半导体元件的相邻侧面进行同等程度的蒸发镀膜，保证了长方体状半导体元件四个侧面蒸发镀膜厚度的一致性，从而保证了半导体元件的质量。以下是基于上述方案的优选方案：优选方案一：所述横向滑轨和竖向滑轨的连接处弧形过渡。便于坩埚于滑轨拐角处的滑动。优选方案二：基于优选方案一，所述加热源和固定杆可拆卸连接。便于加热源的减少与增加，尤其是在从对长方体状半导体元件的长边侧面蒸发镀膜切换至对其宽边侧面蒸发镀膜时，由于面积长度的减小，无需那么多的蒸发源，此时可以将部分加热源拆卸，从而使部分蒸发源无法对元件进行镀膜操作，在保证镀膜效果的同时，节约蒸发源，也节约加热源。优选方案三：基于优选方案二，所述坩埚与滑轨可拆卸连接。便于坩埚及其内部蒸发源的更换。优选方案四：基于优选方案三，所述滑轨与固定杆之间通过拉簧连接，且拉簧处于自然状态时，坩埚可与加热源接触。从而在保证加热源对坩埚有较好加热效果的同时，拉动拉簧，使滑轨与固定杆分开，还能便于加热源和坩埚互不干扰地滑动。附图说明图1为本技术实施例旋转局部加热式半导体元件镀膜装置对长方体状半导体元件长边侧面蒸发镀膜的结构示意图；图2为本技术实施例旋转局部加热式半导体元件镀膜装置对长方体状半导体元件宽边侧面蒸发镀膜的结构示意图。具体实施方式下面通过具体实施方式对本技术作进一步详细的说明：说明书附图中的附图标记包括：竖向滑轨1、竖向固定杆2、横向滑轨3、横向固定杆4、长方体状半导体元件5、拉簧6、坩埚7、加热源8。如图1、图2所示，旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括固定架，固定架可转动，用于固定待蒸发镀膜的半导体元件。固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨3和竖向滑轨1，横向滑轨3和竖向滑轨1的连接处为圆弧过渡，横向滑轨3与固定架之间的距离和竖向滑轨1与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件5长宽之差的二分之一。滑轨上设置有若干个坩埚7，每个坩埚7的外壁上均设有可收缩的卡块，卡块滑动设于滑轨上，卡块收缩，可以将坩埚7从滑轨上取下。每个坩埚7内均固定设置有蒸发源。还包括L型的固定杆，固定杆亦包括横向固定杆4和竖向固定杆2，横向固定杆4与横向滑轨3平行设置，竖向固定杆2与竖向滑轨1平行设置，横向固定杆4与竖向固定杆2的连接处为圆弧过渡，整根固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上设有若干个加热源8，加热源8为连接有独立电源的加热丝，加热源8与固定杆的连接方式同坩埚7与滑轨的连接方式一致。滑轨与固定杆之间通过拉簧6连接，且拉簧6处于自然状态时，坩埚7可与加热源8接触。在具体实施过程中，将长方体状半导体元件5固定于固定架上，且使该半导体元件的长边侧面与横向滑轨3平行，宽边侧面与竖向滑轨1平行。将坩埚7和加热源8移动至靠近半导体长边侧面的竖向滑轨1和竖向固定杆2上，开启加热源8，对坩埚7内的蒸发源加热，从而对长边侧面进行蒸发镀膜，该侧面的蒸发镀膜结束后，将固定架转动180°，对半导体元件的另一长边侧面进行蒸发镀膜。待两个长边侧面均镀膜结束后，拉动固定杆，使固定杆和滑轨之间的距离增大，滑动坩埚7和加热源8，使其滑动至靠近半导体元件宽边侧面的一侧，根据宽边侧面的长度，拆卸下部分加热源8，使部分坩埚7内的蒸发源能被加热蒸发，从而对半导体元件的宽边侧面进行蒸发镀膜，待其一面宽边侧面镀膜结束后，将固定架转动180°，对半导体元件的另一宽边侧面进行蒸发镀膜。对于本领域的技术人员来说，在不脱离本技术结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本技术的保护范围，这些都不会影响本技术实施的效果和专利的实用性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括用于固定长方体状半导体元件的固定架，固定架可转动，其特征在于：所述固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨和竖向滑轨，横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一；滑轨上滑动设置有若干个坩埚，每个坩埚内均固定设置有蒸发源；还包括L型的固定杆，固定杆沿滑轨设置，且固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上滑动设有若干个加热源。

【技术特征摘要】
1.旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括用于固定长方体状半导体元件的固定架，固定架可转动，其特征在于：所述固定架外围设有L型的滑轨，滑轨包括相互垂直连接的横向滑轨和竖向滑轨，横向滑轨与固定架之间的距离和竖向滑轨与固定架之间的距离之差等于长方体状半导体元件长宽之差的二分之一；滑轨上滑动设置有若干个坩埚，每个坩埚内均固定设置有蒸发源；还包括L型的固定杆，固定杆沿滑轨设置，且固定杆位于滑轨远离固定架的一侧，固定杆上滑动设有若干个加热源。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶敏，
申请(专利权)人：象山铭业光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33