薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括基板、栅极层及绝缘层，栅极层形成于基板上，绝缘层覆盖于栅极层；半导体层，形成于绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在绝缘层上；源漏极层，形成在导体层和绝缘间隔层上；钝化层，形成于源漏极层和半导体层上；其中，绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间，可以解决薄膜晶体管存在漏电流过大的问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)广泛应用于液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，简称AMOLED)中，因此，薄膜晶体管影响到显示行业的发展。然而当前薄膜晶体管的制造方法中，形成的薄膜晶体管存在漏电流过大的问题，导致薄膜晶体管的特性受到影响。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板，以解决薄膜晶体管存在漏电流过大的问题。为解决上述技术问题，本专利技术实施例采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括基板、栅极层及绝缘层，栅极层形成于基板上，绝缘层覆盖于栅极层；半导体层，形成于绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在绝缘层上；源漏极层，形成在导体层和绝缘间隔层上；钝化层，形成于源漏极层和半导体层上；其中，绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间。为解决上述技术问题，本专利技术实施例采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括基板；在基板上设置栅极层及绝缘层，绝缘层覆盖于栅极层；在绝缘层上依次设置半导体层和导体层；在绝缘层上设置绝缘间隔层；在导体层和绝缘间隔层上设置源漏极层；其中绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间；在源漏极层和半导体层上设置钝化层。为解决上述技术问题，本专利技术实施例采用的又一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括如上述的薄膜晶体管。本专利技术的有益效果是：通过在基板上设置栅极层及绝缘层，绝缘层覆盖于栅极层；在绝缘层上依次设置半导体层和导体层；在绝缘层上设置绝缘间隔层；在导体层和绝缘间隔层上设置源漏极层；其中绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间；在源漏极层和半导体层之间设置绝缘间隔层，能够阻止源漏极层与半导体层直接接触，从而实现减小漏电流的情况，改善薄膜晶体管的特性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一实施例薄膜晶体管的结构示意图；图2是本专利技术另一实施例薄膜晶体管的结构示意图；图3是本专利技术一实施例薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图4是本专利技术另一实施例薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图5是图4所示薄膜晶体管的制造方法步骤S22中形成的玻璃基板的结构示意图；图6是图4所示薄膜晶体管的制造方法步骤S23中形成的玻璃基板的结构示意图；图7是图4所示薄膜晶体管的制造方法中绝缘间隔层第一种形成方式的流程示意图；图8是图7所示绝缘间隔层第一种形成方式中步骤S231-S251后形成的薄膜晶体管的结构示意图；图9是图4所示薄膜晶体管的制造方法中绝缘间隔层第二种形成方式的流程示意图；图10是图9所示绝缘间隔层第二种形成方式中步骤S242-S252后形成的薄膜晶体管的结构示意图；图11是本专利技术一实施例一种液晶显示面板的结构示意图；图12是本专利技术另一实施例一种液晶显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。请参阅图1和图2，图1是本专利技术一实施例薄膜晶体管的结构示意图，图2是本专利技术另一实施例薄膜晶体管的结构示意图。在图1和图2两实施例中，薄膜晶体管的区别仅仅在于绝缘间隔层形状的不同，因此图1和图2的两实施例均采用相同标号。薄膜晶体管100包括基板110、栅极层120、绝缘层130、半导体层140、导体层150、绝缘间隔层160、源漏极层170以及钝化层180。薄膜晶体管100为层叠结构，上述各层依次形成在基板110上，基板110可以为玻璃基板。其中，栅极层120形成于基板110上，绝缘层130覆盖于栅极层120，本实施例中薄膜晶体管100为底栅结构。半导体层140作为薄膜晶体管100的有源层，形成于绝缘层130上；导体层150形成于半导体层140上，用于连接半导体层140和源漏极层170，源漏极层170之间通过导体层150后经由半导体层140形成电流，相较于源漏极层170直接连接半导体层140，本实施例中导体层150电阻较小，能够减少源漏极层170与半导体层140之间的漏电流情况。本实施例中的绝缘层130上还形成有绝缘间隔层160，即该绝缘间隔层160与半导体层140同层设置；源漏极层170则形成在导体层150和绝缘间隔层160上，且绝缘间隔层160位于半导体层140和源漏极层170之间。在实施例中半导体层140和源漏极层170之间设置有导体层150和绝缘间隔层160，即半导体层140与源漏极层170之间没有直接接触连接，因而能够有效减少半导体层140与源漏极层170之间的漏电流。半导体层140具有一沟道区141，沟道区141将半导体层140分为左右部分，导体层150形成在半导体层140的左右部分上，形成两岛体结构。形成在导体层150两岛体结构上的源漏极层170也被区分为源极和漏极。钝化层180形成于源漏极层170和半导体层140上，具体形成于半导体140的沟道区141上，且形成于导体层150的两岛体结构之间。对于上述结构的薄膜晶体管100，其中绝缘层130、绝缘间隔层160以及钝化层180均为绝缘材料构，可以为氧化硅或氮化硅。栅极层120和源漏极层170则为金属材料，可以为钼、铝的等金属材料，还可为钼-铝-钼三层组合的金属材料。半导体层140可以为多晶硅，导体层150则可以为掺杂B离子的多晶硅所形成的P+导体层。此外，本实施例中绝缘间隔层160可以以多种方式形成在绝缘层130上，例如图1和图2所示的两种方式。图1中，绝缘间隔层160形成在绝缘层130上，且具有第一厚度h1和第二厚度h2，第二厚度h2小于第一厚度h1，并且第二厚度h2大于或等于半导体层140的厚度h3，图1中绝缘间隔层的第二厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板、栅极层及绝缘层，所述栅极层形成于所述基板上，所述绝缘层覆盖于所述栅极层；半导体层，形成于所述绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在所述绝缘层上；源漏极层，形成在所述导体层和所述绝缘间隔层上；钝化层，形成于所述源漏极层和所述半导体层上；其中，所述绝缘间隔层位于所述源漏极层和所述半导体层之间。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板、栅极层及绝缘层，所述栅极层形成于所述基板上，所述绝缘层覆盖于所述栅极层；半导体层，形成于所述绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在所述绝缘层上；源漏极层，形成在所述导体层和所述绝缘间隔层上；钝化层，形成于所述源漏极层和所述半导体层上；其中，所述绝缘间隔层位于所述源漏极层和所述半导体层之间。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极层进一步设置在所述绝缘层上，所述绝缘间隔层进一步位于所述导体层与所述源漏极层之间，所述钝化层进一步设置在所述绝缘层上。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘间隔层的厚度大于或等于所述半导体层的厚度。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层进一步设置在所述绝缘间隔层上，所述绝缘间隔层至少包括第一厚度和第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且所述第二厚度大于或等于所述半导体层的厚度。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘间隔层包括氧化硅或氮化硅。6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：基板；在所述基板上设置栅极层及绝缘层，所述绝缘层覆盖于所述栅极层；在所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42