一种阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，其中，阵列基板包括衬底基板、多个半导体压力传感器和偏置电压施加电路；偏置电压施加电路分别通过第一电源信号线和第二电源信号线与半导体压力传感器的第一电源信号输入端和第二电源信号输入端电连接，向半导体压力传感器施加偏置电压；靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器的离子掺杂剂量，保证靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器的电阻值小于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器的电阻值，保证距离偏置电压施加电路不同位置的半导体压力传感器得到的电压相同或者相近，提升半导体压力传感器压力检测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
目前，越来越多的电子设各配置有触控显示屏，例如，公共场所大厅的信息杳询机，用户在日常生活工作中使用的电脑、手机等。这样，用户只需用手指触摸触控显示屏上的标识就能够实现对该电子设备进行操作，摆脱了键盘和鼠标操作，使人机交互更为直截了当。为了更好地满足用户需求，通常在触控显示屏中设置有用于检测用户在触摸触控显示屏过程中触控压力的大小的压力传感器。电桥式应变传感器便是一种可以检测触控压力大小的压力传感器，电桥式应变传感器通过检测z方向应变引发的面内形变，测量传感器的电阻变化来计算触控压力大小。现有技术中，在显示面板上设置有多个电桥式应变传感器，每个应变传感器均需要通过走线接入输入电压，为了减少走线数目，应变传感器可以共用电压输入走线。但是由于走线上存在电阻，多个应变传感器共用电压输入走线会造成并联的应变传感器上得到的分压不同，尤其对于远离输入电压一端的应变传感器，其得到的输入电压远小于电压输入装置提供的输入电压，影响压力检测灵敏度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中多个半导体压力传感器共用电源信号线与电压输入装置连接时不同位置处的半导体压力传感器分压不均的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板一侧的多个半导体压力传感器和偏置电压施加电路；所述偏置电压施加电路通过第一电源信号线与所述半导体压力传感器的第一电源信号输入端电连接，所述偏置电压施加电路通过第二电源信号线与所述半导体压力传感器的第二电源信号输入端电连接，用于向所述半导体压力传感器施加偏置电压；其中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量，以使靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板对向设置的对置基板。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。本专利技术实施例提供的阵列基板、显示面案和显示装置，偏置电压施加电路通过第一电源信号线和第二电源信号线分别与半导体压力传感器的第一电源信号输入端和第二电源信号输入端连接端，并且，通过设置靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器的离子掺杂剂量，保证靠近偏置电压施加电路的所半导体压力传感器的电阻值小于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器的电阻值，保证距离偏置电压施加电路不同位置的半导体压力传感器上输入的电压相同或者相近，提升半导体压力传感器压力检测灵敏度。附图说明为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图4是图3中靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图5是图3中远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图6是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图7是图6中靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图8是图6中远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图9是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图10是图9中靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图11是图9中远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图12是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图15是图14中靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图16是图14中远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器及其对应的遮挡图案的放大示意图；图17是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图18是图17中阵列基板沿剖面线A-A’的剖面结构示意图；图19是本专利技术实施例提供的一种半导体压力传感器的等效电路图；图20是本专利技术实施例提供的半导体压力传感器的应变电压随第一电源信号输入端和第二电源信号输入端所在的直线与第一边缘的夹角的变化关系曲线图；图21是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图22是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本专利技术实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本专利技术的技术方案。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本专利技术的保护范围之内。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板一侧的多个半导体压力传感器和偏置电压施加电路；所述偏置电压施加电路通过第一电源信号线与所述半导体压力传感器的第一电源信号输入端电连接，所述偏置电压施加电路通过第二电源信号线与所述半导体压力传感器的第二电源信号输入端电连接，用于向所述半导体压力传感器施加偏置电压；其中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量，以使靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值。通过与偏置电压施加电路的位置关系设置半导体压力传感器中离子的掺杂剂量，靠近偏置电压施加电路的半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器的离子掺杂剂量，保证靠近偏置电压施加电路的所半导体压力传感器的电阻值小于远离偏置电压施加电路的半导体压力传感器的电阻值，因此距离偏置电压施加电路不同位置的半导体压力传感器上输入的电压相同或者相近，提升半导体压力传感器压力检测灵敏度。以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图1所示，本专利技术实施例提供的阵列基板可以包括衬底基板10、设置在衬底基板10一侧的多个半导体压力传感器20和偏置电压施加电路31；偏置电压施加电路31通过第一电源信号线41与半导体压力传感器20的第一电源信号输入端21电连接，偏置电压施加电路31通过第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板一侧的多个半导体压力传感器和偏置电压施加电路；所述偏置电压施加电路通过第一电源信号线与所述半导体压力传感器的第一电源信号输入端电连接，所述偏置电压施加电路通过第二电源信号线与所述半导体压力传感器的第二电源信号输入端电连接，用于向所述半导体压力传感器施加偏置电压；其中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量，以使靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板一侧的多个半导体压力传感器和偏置电压施加电路；所述偏置电压施加电路通过第一电源信号线与所述半导体压力传感器的第一电源信号输入端电连接，所述偏置电压施加电路通过第二电源信号线与所述半导体压力传感器的第二电源信号输入端电连接，用于向所述半导体压力传感器施加偏置电压；其中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量，以使靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的电阻值。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述半导体压力传感器远离所述衬底基板一侧的遮挡图案层，所述遮挡图案层在所述衬底基板上的垂直投影与所述半导体压力传感器在所述衬底基板上的垂直投影存在交叠区域；所述遮挡图案层包括遮挡区域和非遮挡区域；其中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的遮挡图案层上的非遮挡区域的面积大于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的遮挡图案层上的非遮挡区域的面积，通过所述非遮挡区域向所述半导体压力传感器进行离子掺杂，以使靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量大于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器的离子掺杂剂量。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡图案层的遮挡区域包括遮挡图案；其中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述遮挡图案层上的遮挡图案的分布密度小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述遮挡图案层上的遮挡图案的分布密度。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡图案为多个与所述半导体压力传感器形状相同且同心分布的环形图案，且每个所述环形图案由多个间断的点状图案构成；同一半导体压力传感器对应的多个环形图案中，任意相邻的两个环形图案之间的间距相等；靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的任意相邻的两个环形图案之间的间距大于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的任意相邻的两个环形图案之间的间距。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡图案为多个阵列排列的点状图案，所述点状图案在所述衬底基板上的垂直投影均匀分布在所述半导体压力传感器在所述衬底基板上的垂直投影内；靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述点状图案的数量小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述点状图案的数量。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡图案包括第一遮挡图案、第二遮挡图案、第三遮挡图案和第四遮挡图案，所述第一遮挡图案、第二遮挡图案、第三遮挡图案和第四遮挡图案在所述衬底基板上的垂直投影均匀分布在所述半导体压力传感器在所述衬底基板上的垂直投影内，所述第一遮挡图案、第二遮挡图案、第三遮挡图案和第四遮挡图案均包括多个平行排列的条状图案，且任意相邻的两个遮挡图案中条状图案的延伸方向相互垂直；在每个所述遮挡图案中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述遮挡图案中条状图案的数量小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述遮挡图案中条状图案的数量。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡图案层的遮挡区域包括遮挡图案；其中，靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述遮挡图案层上的遮挡图案的遮挡面积小于远离所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述遮挡图案层上的遮挡图案的遮挡面积。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述遮挡图案为与所述半导体压力传感器形状相同的环形图案，所述环形图案由多个与所述半导体压力传感器的边平行的条状图案首尾相接组成，所述环形图案在所述衬底基板上的垂直投影位于所述半导体压力传感器在所述衬底基板上的垂直投影内且所述环形图案在所述衬底基板上的垂直投影中心与所述半导体压力传感器在所述衬底基板上的垂直投影中心重合；靠近所述偏置电压施加电路的所述半导体压力传感器对应的所述环形图案的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李燕梅，蓝学新，伍黄尧，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35