半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法，涉及适合用作高频电子部件的半导体装置及其制造方法，本发明专利技术的目的在于得到一种利用封装树脂进行封装，具有针对电磁波的屏蔽功能，且能够实现小型化的半导体装置及其制造方法。本发明专利技术所涉及的半导体装置具有：引线框架，其具有第1端子和用于接地的第2端子；封装树脂，其将所述引线框架覆盖；露出部，其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出；以及导电性材料，其将所述封装树脂的表面覆盖，在所述露出部与所述第2端子接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法，涉及适合用作高频电子部件的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
在专利文献1中公开了利用封装树脂进行封装的半导体装置。就该半导体装置而言，通过利用导电性材料将封装树脂的表面覆盖，从而设置有针对电磁波的屏蔽功能。为了得到屏蔽功能，将导电性材料接地。专利文献1：日本特开2013－197209号公报在专利文献1所示的构造中，为了将导电性材料接地，在与半导体装置所具有的端子相比更靠外侧的区域配置有用于接地的导电体。在该构造中，为了对导电体进行配置，需要将芯片尺寸扩大。因此，妨碍半导体装置的小型化。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述的问题而提出的，第1目的在于得到一种半导体装置，该半导体装置由封装树脂进行封装，具有针对电磁波的屏蔽功能，且能够实现小型化。第2目的在于得到一种半导体装置的制造方法，该半导体装置由封装树脂进行封装，具有针对电磁波的屏蔽功能，且能够实现小型化。本专利技术所涉及的半导体装置具有：引线框架，其具有第1端子和用于接地的第2端子；封装树脂，其将所述引线框架覆盖；露出部，其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出；以及导电性材料，其将所述封装树脂的表面覆盖，在所述露出部与所述第2端子接触。本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：封装工序，利用封装树脂将具有第1端子和用于接地的第2端子的引线框架覆盖，在所述第2端子形成从所述封装树脂露出的露出部；以及导电性材料形成工序，在所述封装树脂的表面涂敷导电性材料，以在所述露出部使所述导电性材料与所述第2端子接触。专利技术的效果就本专利技术所涉及的半导体装置而言，引线框架由封装树脂覆盖。因此，第1端子由封装树脂覆盖。另外，在第2端子形成从封装树脂露出的露出部。因此，如果利用导电性材料将封装树脂的表面覆盖，则导电性材料在露出部与第2端子接触。另一方面，第1端子由封装树脂覆盖，因此不与导电性材料接触。因此，能够仅使得用于接地的第2端子与导电性材料接触。因此，能够将成为针对电磁波的屏蔽层的导电性材料接地，得到屏蔽功能。在这里，就本专利技术所涉及的半导体装置而言，能够在第2端子之上将导电性材料接地。因此，无需为了将导电性材料接地而在与端子相比更靠外侧的区域配置用于接地的导电体。因此，能够将半导体装置小型化。在本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法中，在封装工序中利用封装树脂将引线框架覆盖。因此，第1端子由封装树脂覆盖。另外，在第2端子形成从封装树脂露出的露出部。因此，如果利用导电性材料将封装树脂的表面覆盖，则导电性材料在露出部与第2端子接触。另一方面，第1端子由封装树脂覆盖，因此不与导电性材料接触。因此，能够仅使得用于接地的第2端子与导电性材料接触。因此，能够将成为针对电磁波的屏蔽层的导电性材料接地，得到屏蔽功能。在这里，就本专利技术所涉及的半导体装置而言，能够在第2端子之上将导电性材料接地。因此，无需为了将导电性材料接地而在与端子相比更靠外侧的区域配置用于接地的导电体。因此，能够将半导体装置小型化。附图说明图1是本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。图2是本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的俯视图。图3是对本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的制造方法进行说明的图。图4A表示实施半切割后的状态，是第1端子部分处的剖视图。图4B表示实施半切割后的状态，是第2端子部分处的剖视图。图4C表示形成导电性材料后的状态，是第1端子部分处的剖视图。图4D表示形成导电性材料后的状态，是第2端子部分处的剖视图。图5是本专利技术的实施方式2所涉及的半导体装置的剖视图。图6是本专利技术的实施方式2所涉及的半导体装置的俯视图。图7是本专利技术的实施方式3所涉及的半导体装置的剖视图。图8是本专利技术的实施方式4所涉及的半导体装置的剖视图。图9是本专利技术的实施方式4所涉及的引线框架的俯视图。图10是本专利技术的实施方式5所涉及的半导体装置的剖视图。图11是本专利技术的实施方式6所涉及的半导体装置的剖视图。标号的说明10、210、310、410、510、610封装件，100、200、300、400、500、600半导体装置，23第1端子，22、222、322、422、622第2端子，20、220、320、420、620引线框架，30、230、330、430、530、630封装树脂，24、224、324、624露出部，40、240、340、440、540、640、340导电性材料，11、211、511、611端部，50、250、550、650薄壁部，228第3端子，226、326导电性部件，12半导体芯片，21芯片焊盘，429、629引脚，14电路基板具体实施方式参照附图，对本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。实施方式1.图1是本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的剖视图。图2是本专利技术的实施方式1所涉及的半导体装置的俯视图。本实施方式所涉及的半导体装置100具有引线框架20。引线框架20具有第1端子23及第2端子22。第1端子23及第2端子22配置于半导体装置100的端部11。第2端子22的高度比第1端子23高。第2端子是用于接地的接地端子。此外，如图2所示，在本实施方式中，第1端子23和第2端子22交替地配置，但第1端子23及第2端子22也可以是其他配置及数量。引线框架20在中央具有用于搭载半导体芯片12的芯片焊盘21。在芯片焊盘21的表面通过接合剂16而固定有半导体芯片12及电路基板14。半导体芯片12及电路基板14通过导线18连接。另外，半导体芯片12及电路基板14通过导线18而与第1端子23连接。电路基板14例如是在陶瓷或者环氧玻璃等电介体基板之上形成有金属配线的基板。另外，电路基板14也可以是在砷化镓、玻璃基板或者硅等半导体基板之上形成有金属配线的基板等。特别是在使用半导体基板的情况下，能够将在半导体芯片12形成的有源元件以外的有源元件集成化在电路基板14之上。引线框架20由封装树脂30覆盖。封装树脂30的表面由导电性材料40覆盖。此外，在图2中为了方便起见，将封装树脂30及导电性材料40省略。引线框架20、封装树脂30、导电性材料40形成封装件10。在本实施方式中，封装件10是QFN(QuadFlatNo－Lead)封装件。另外，在第2端子22的端部11设置有切口。因此，第2端子22在端部11具有厚度薄的部分。另外，在端部11的厚度薄的部分，第2端子22也比第1端子23高。封装树脂30在端部11具有薄壁部50。在端部11，薄壁部50的高度与第2端子22的高度相等，比第1端子23的高度高。因此，第1端子23成为由封装树脂30包覆的状态。另外，在端部11，形成第2端子22的一部分从封装树脂30露出的露出部24。露出部24及薄壁部50以围绕芯片焊盘21的方式形成在端部11。在端部11，导电性材料40形成为将薄壁部50的表面及露出部24覆盖。此时，在露出部24，第2端子22和导电性材料40接触。接下来，对半导体装置100的制造方法进行说明。首先，实施端子形成工序。端子形成工序是下述工序，即，将第1端子23及第2端子22形成为第2端子22的高度比第1端子23高。在端子形成工序中，对第1端子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：引线框架，其具有第1端子和用于接地的第2端子；封装树脂，其将所述引线框架覆盖；露出部，其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出；以及导电性材料，其将所述封装树脂的表面覆盖，在所述露出部与所述第2端子接触。

【技术特征摘要】
2016.06.29 JP 2016-1289771.一种半导体装置，其特征在于，具有：引线框架，其具有第1端子和用于接地的第2端子；封装树脂，其将所述引线框架覆盖；露出部，其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出；以及导电性材料，其将所述封装树脂的表面覆盖，在所述露出部与所述第2端子接触。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1端子及所述第2端子配置在所述半导体装置的端部，在该端部，所述第2端子比所述第1端子高，所述封装树脂在所述端部具有所述端部处的高度与所述第2端子相等的薄壁部。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第2端子具有：第3端子，其高度与所述引线框架所具有的所述第1端子相同；以及导电性部件，其配置在所述第3端子的表面。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述引线框架具有用于搭载半导体芯片的芯片焊盘，所述第2端子与所述芯片焊盘导通。5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述露出部和所述薄壁部形成为将半导体芯片围绕，所述导电性材料将围绕所述半导体芯片的所述露出部及所述薄壁部的表面覆盖。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第2端子比所述第1端子高，所述第2端子和所述封装树脂的高度对齐，所述露出部从所述封装树脂的表面露出。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述引线框架具有：芯片焊盘，其用于搭载半导体芯片；以及引脚，其比所述第1端子高，一端与所述芯片焊盘成为一体，所述第2端子由所述引脚形成，所述露出部是通过将所述引脚的另一端从所述封装树脂的表面露出而形成的。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述封装树脂以围绕所述半导体芯片的方式具有高度比所述第1端子的高度高的薄壁部，所述导电性材料将所述薄壁部的表面覆盖。9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：封装工序，利用封装树脂将具有第1端子和用于接地的第2端子的引线框架覆盖，在所述第2端子形成从所述封装树脂露出的露出部；以及导电性材料形成工序，在所述封装树脂的表面涂敷导电性材料，以在所述露出部使所述导电性材料与所述第2端子接触。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩井裕次，宫胁胜巳，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP