一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构制造技术

本发明专利技术涉及单晶炉设备技术领域，具体是一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构，包括固定安装在单晶炉炉底盘与机架之间的四根导向柱以及设置在四根导向柱上并可沿导向柱上下运动的基板。本发明专利技术的有益效果是，热场的侧部加热器可以随坩埚位置变化而变化，热场温度更均衡，有利于晶体生长，提升生长晶棒的品质。第一主电极、第二主电极可以同时升降，实现与这两个主电极相连的侧部加热器可以升降。配有的辅助支撑，与侧部加热器相连，使侧部加热器稳定升降。主电极和辅助支撑都固定在同一基板上，共同实现同步升降。通过一个伺服马达同时驱动两个主电极和两个辅助支撑的升降，使整套单晶硅生长炉电极升降机构的成本降低。

A kind of one type single crystal silicon growth furnace electrode lifting mechanism

The present invention relates to the technical field of single crystal furnace equipment, in particular to a one-piece crystal growth furnace lifting mechanism comprises a fixed single crystal furnace installed between the chassis and frame four guiding columns and arranged in four guiding columns and can move under the substrate along the guide post. The beneficial effect of the invention is that the side heater of the thermal field can vary with the position of the crucible, and the temperature of the thermal field is more balanced, which is conducive to the growth of crystal and the quality of growing crystal bar. The first main electrode and the second main electrode can be lifted up and down simultaneously, and the side heater connected to the two main electrodes can be lifted and lifted. The auxiliary support is connected with the side heater to make the side heater rise and fall steadily. The main and auxiliary supports are fixed on the same substrate to achieve synchronous lifting and lifting. The cost of the electrode lifting mechanism of a single crystal silicon growth furnace is reduced by driving two main electrodes and two auxiliary supports simultaneously by a servo motor.

【技术实现步骤摘要】
一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构
本专利技术涉及单晶炉设备
，具体是一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构。
技术介绍
现有主流单晶硅生长炉的主电极都是固定在炉底盘上，无法升降。因此与主电极相连的侧部加热器是固定的。在长晶时，坩埚位置会逐渐上升，与侧部加热器位置发生变化，导致热场不均衡，影响长晶和生产晶棒品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种具有主电极可进行升降的单晶硅生长炉。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构，包括固定安装在单晶炉炉底盘与机架之间的四根导向柱以及设置在四根导向柱上并可沿导向柱上下运动的基板，所述的四根导向柱以左前侧、右前侧、右后侧、左后侧呈四个对角方位分布在所述基板的四个角处，所述基板的四个角上分别安装直线轴承，每个直线轴承与各自相对应的导向柱滑动连接；所述基板的左前侧与右后侧上分别设有第一主电极及第二主电极，基板的右前侧与左后侧上分别设有第一辅助支撑与第二辅助支撑；所述第一辅助支撑与第二主电极之间的基板上安装第一副电极，所述第二辅助支撑与第二主电极之间的基板上安装第二副电极，所述第一副电极与第二副电极的顶部均固定安装在所述单晶炉炉底盘上；所述第一主电极、第二主电极、第一辅助支撑及第二辅助支撑的外侧均安装焊接波纹管，这四根焊接波纹管的顶端分别连接在所述单晶炉炉底盘上、底端分别连接在基板上；在所述基板左后侧处的单晶炉炉底盘向下伸出固定座，所述固定座内安装第一齿轮箱，该第一齿轮箱向下依次连接变速箱及伺服马达，该齿轮箱将伺服马达的动力依次传动至第一传动轴、第二齿轮箱、升降机、第三齿轮箱、动力轴、第四齿轮箱及升降机，其中的第二齿轮箱、升降机、第三齿轮箱及第四齿轮箱均固定在安装板上，所述安装板固定在所述单晶炉炉底盘上。优选地，所述的每个导向柱的一端固定在所述单晶炉炉底盘上、另一端固定在所述机架上。优选地，所述的第一传动轴由基板的左后方向伸至基板的右后方；所述动力轴位于所述基板的中心位置处。优选地，所述的第二齿轮箱、升降机、第三齿轮箱、第四齿轮箱均位于所述基板的右后方。优选地，所述的安装板通过六角棒固定在所述单晶炉炉底盘上。本专利技术的有益效果是，热场的侧部加热器可以随坩埚位置变化而变化，热场温度更均衡，有利于晶体生长，提升生长晶棒的品质。第一主电极、第二主电极可以同时升降，实现与这两个主电极相连的侧部加热器可以升降。配有的辅助支撑，与侧部加热器相连，使侧部加热器稳定升降。主电极和辅助支撑都固定在同一基板上，共同实现同步升降。通过一个伺服马达同时驱动两个主电极和两个辅助支撑的升降，使整套单晶硅生长炉电极升降机构的成本降低。两个主电极和两个辅助支撑均安装在基板上，随基板同步运动，基板的四个角上安装有四个直线轴承，可沿导向柱上下移动。导向柱固定在单晶炉炉底盘与机架之间。所述的伺服马达和变速箱连接，一起安装在固定座上，固定座安装在单晶炉炉底盘，伺服马达经过传动路径，将动力传动到升降机和升降机，驱动基板上下移动，动力传动路径为：伺服马达→变速箱→第一齿轮箱→传动轴→第二齿轮箱→升降机→第三齿轮箱→动力轴→第四齿轮箱→升降机。所述的第二齿轮箱、升降机、第三齿轮箱、第四齿轮箱和升降机都固定在安装板上，安装板通过六角棒固定在单晶炉炉底盘上；两个主电极和两个辅助支撑的外围，都安装焊接波纹管，焊接波纹管一端连接单晶炉炉底盘，另一端连接基板，保证升降过程中真空密封；两个副电极固定在炉底盘上，固定不升降。附图说明图1为本专利技术的结构示意图；图2为本专利技术去除单晶炉炉底盘及机架后的结构示意图。其中：101-单晶炉炉底盘202-机架303-第一主电极404-第二主电极505-第一辅助支撑606-第二辅助支撑707-第一副电极808-第二副电极21-伺服马达22-变速箱23-第一齿轮箱24-固定座25-第一传动轴26-第二齿轮箱27-升降机28-第三齿轮箱29-动力轴30-第四齿轮箱31-升降机32-六角棒33-安装板34-焊接波纹管35-基板36-直线轴承37-导向柱具体实施方式以下结合附图和具体实施例，对本专利技术做进一步说明。实施例1：如图1、2所示的一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构，包括固定安装在单晶炉炉底盘101与机架202之间的四根导向柱37以及设置在四根导向柱上并可沿导向柱上下运动的基板35，所述的四根导向柱37以左前侧、右前侧、右后侧、左后侧呈四个对角方位分布在所述基板35的四个角处，所述基板35的四个角上分别安装直线轴承36，每个直线轴承36与各自相对应的导向柱37滑动连接；所述基板35的左前侧与右后侧上分别设有第一主电极303及第二主电极404，基板35的右前侧与左后侧上分别设有第一辅助支撑505与第二辅助支撑606；所述第一辅助支撑505与第二主电极404之间的基板35上安装第一副电极707，所述第二辅助支撑606与第二主电极404之间的基板35上安装第二副电极808，所述第一副电极707与第二副电极808的顶部均固定安装在所述单晶炉炉底盘101上；所述第一主电极303、第二主电极404、第一辅助支撑505及第二辅助支撑606的外侧均安装焊接波纹管34，这四根焊接波纹管34的顶端分别连接在所述单晶炉炉底盘101上、底端分别连接在基板35上；在所述基板35左后侧处的单晶炉炉底盘101向下伸出固定座24，所述固定座24内安装第一齿轮箱23，该第一齿轮箱23向下依次连接变速箱22及伺服马达21，该齿轮箱23将伺服马达的动力依次传动至第一传动轴25、第二齿轮箱26、升降机27、第三齿轮箱28、动力轴29、第四齿轮箱30及升降机31，其中的第二齿轮箱26、升降机27、第三齿轮箱28及第四齿轮箱30均固定在安装板33上，所述安装板33固定在所述单晶炉炉底盘101上。所述的每个导向柱37的一端固定在所述单晶炉炉底盘101上、另一端固定在所述机架202上。所述的第一传动轴25由基板35的左后方向伸至基板35的右后方；所述动力轴29位于所述基板35的中心位置处。所述的第二齿轮箱26、升降机27、第三齿轮箱28、第四齿轮箱30均位于所述基板35的右后方。所述的安装板33通过六角棒32固定在所述单晶炉炉底盘101上。以上已对本专利技术创造的较佳实施例进行了具体说明，但本专利技术创造并不限于所述的实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本专利技术创造精神的前提下还可以作出种种的等同的变型或替换，这些等同变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构，其特征在于，包括固定安装在单晶炉炉底盘(101)与机架(202)之间的四根导向柱(37)以及设置在四根导向柱上并可沿导向柱上下运动的基板(35)，所述的四根导向柱(37)以左前侧、右前侧、右后侧、左后侧呈四个对角方位分布在所述基板(35)的四个角处，所述基板(35)的四个角上分别安装直线轴承(36)，每个直线轴承(36)与各自相对应的导向柱(37)滑动连接；所述基板(35)的左前侧与右后侧上分别设有第一主电极(303)及第二主电极(404)，基板(35)的右前侧与左后侧上分别设有第一辅助支撑(505)与第二辅助支撑(606)；所述第一辅助支撑(505)与第二主电极(404)之间的基板(35)上安装第一副电极(707)，所述第二辅助支撑(606)与第二主电极(404)之间的基板(35)上安装第二副电极(808)，所述第一副电极(707)与第二副电极(808)的顶部均固定安装在所述单晶炉炉底盘(101)上；所述第一主电极(303)、第二主电极(404)、第一辅助支撑(505)及第二辅助支撑(606)的外侧均安装焊接波纹管(34)，这四根焊接波纹管(34)的顶端分别连接在所述单晶炉炉底盘(101)上、底端分别连接在基板(35)上；在所述基板(35)左后侧处的单晶炉炉底盘(101)向下伸出固定座(24)，所述固定座(24)内安装第一齿轮箱(23)，该第一齿轮箱(23)向下依次连接变速箱(22)及伺服马达(21)，该齿轮箱(23)将伺服马达的动力依次传动至第一传动轴(25)、第二齿轮箱(26)、升降机(27)、第三齿轮箱(28)、动力轴(29)、第四齿轮箱(30)及升降机(31)，其中的第二齿轮箱(26)、升降机(27)、第三齿轮箱(28)及第四齿轮箱(30)均固定在安装板(33)上，所述安装板(33)固定在所述单晶炉炉底盘(101)上。...

【技术特征摘要】
1.一种一体式单晶硅生长炉电极升降机构，其特征在于，包括固定安装在单晶炉炉底盘(101)与机架(202)之间的四根导向柱(37)以及设置在四根导向柱上并可沿导向柱上下运动的基板(35)，所述的四根导向柱(37)以左前侧、右前侧、右后侧、左后侧呈四个对角方位分布在所述基板(35)的四个角处，所述基板(35)的四个角上分别安装直线轴承(36)，每个直线轴承(36)与各自相对应的导向柱(37)滑动连接；所述基板(35)的左前侧与右后侧上分别设有第一主电极(303)及第二主电极(404)，基板(35)的右前侧与左后侧上分别设有第一辅助支撑(505)与第二辅助支撑(606)；所述第一辅助支撑(505)与第二主电极(404)之间的基板(35)上安装第一副电极(707)，所述第二辅助支撑(606)与第二主电极(404)之间的基板(35)上安装第二副电极(808)，所述第一副电极(707)与第二副电极(808)的顶部均固定安装在所述单晶炉炉底盘(101)上；所述第一主电极(303)、第二主电极(404)、第一辅助支撑(505)及第二辅助支撑(606)的外侧均安装焊接波纹管(34)，这四根焊接波纹管(34)的顶端分别连接在所述单晶炉炉底盘(101)上、底端分别连接在基板(35)上；在所述基板(35)左后侧处的单晶炉炉底盘(101)向下伸出...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海，贺贤汉，郡司拓，
申请(专利权)人：上海汉虹精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31