一种阵列基板、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决由于漏极被氧化而导致的漏极与像素电极之间的接触电阻较大时产生的显示不良的问题。本申请实施例提供一种阵列基板，包括：设置在衬底基板之上具有源极和漏极的源漏极层，设置在所述源漏极层之上的平坦层，以及设置在所述平坦层之上的像素电极，所述平坦层设置有导通所述像素电极和所述漏极的第一过孔，所述阵列基板在所述第一过孔的所述漏极和所述像素电极之间还设置有第一金属保护电极，所述第一金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第一过孔暴露的所述漏极在所述衬底基板上的正投影，所述第一金属保护电极的还原性小于所述漏极的还原性。

An array substrate, display panel and display device

The application provides an array substrate, display panel and display device to solve the problem of poor display caused by the large contact resistance between the drain electrode and the pixel electrode due to the oxidation of the drain electrode. Including the embodiment of the application provides an array substrate: substrate disposed in a substrate with a source and drain source drain layer is arranged on the source drain layer above the flat layer and a pixel electrode arranged on the flat layer, the flat layer is provided with conducting the the pixel electrode and the drain of the first through hole, the array substrate between the drain electrode and the pixel electrode is provided with a first metal electrode protection in the first through hole of the protection of the first metal electrode in the substrate on the projection covering at least part of the first through hole the exposure of the drain is very projection on the substrate on the substrate, reducing leakage less than the reduction of the pole of the first metal electrode protection.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板以及显示装置
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
技术介绍
平面显示器己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(LiquidCrysta1Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittedDiode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asmaDisp1ayPane1，PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay，FED)等。图1为现有技术的一种平面显示器的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括：设置在衬底基板01之上的遮光层02、设置在遮光层02之上的缓冲层03(Buffer)、设置缓冲层03之上的有源层04、设置在有源层04之上的栅极绝缘层05(GateInsulator，GI)、设置在栅极绝缘层05之上的栅极06、设置在栅极06之上的层间介质层07(InterlayerDielectricFilm，ILD)、设置在层间介质层07之上的源漏极层、设置在源漏极层之上的平坦层011、设置在平坦层011之上的触控电极012(复用做公共电极)层、设置在触控电极012之上的钝化层013(Passivation，PVX)、以及设置在钝化层013之上的像素电极014，其中，源漏极层包括源极08、漏极09以及与源极08和漏极09同层设置的触控信号线010，像素电极014通过第一过孔015与漏极09连接，触控电极012通过第二过孔016与触控信号线010连接，有源层04包括沟道区041、位于沟道区041一侧的源区042、位于沟道区041另一侧的漏区043、位于沟道区041与源区042之间的第一轻掺杂漏区044、以及位于沟道区041与漏区043之间的第二轻掺杂漏区045，漏极09通过第三过孔018与漏区043连接，源极08通过第四过孔017与源区042连接。在阵列基板的制作过程中，在源漏极层上的平坦层011形成导通漏极09与像素电极014的第一过孔015后，通常需对平坦层011进行干刻处理(Descum)以加强平坦层011与其它膜层(例如，触控电极012)的粘附性。但在干刻处理的过程中，由于漏极09在第一过孔015处被暴露，会导致第一过孔015暴露出来的漏极09会被氧化，进而使漏极09与像素电极014之间的电阻较大，造成最终显示不良的问题。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决由于漏极被氧化而导致的漏极与像素电极之间的接触电阻较大时产生的显示不良的问题。本申请实施例提供一种阵列基板，包括：设置在衬底基板之上具有源极和漏极的源漏极层，设置在所述源漏极层之上的平坦层，以及设置在所述平坦层之上的像素电极，所述平坦层设置有导通所述像素电极和所述漏极的第一过孔，所述阵列基板在所述第一过孔的所述漏极和所述像素电极之间还设置有第一金属保护电极，所述第一金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第一过孔暴露的所述漏极在所述衬底基板上的正投影，所述第一金属保护电极的还原性小于所述漏极的还原性。优选的，所述阵列基板还包括：与所述源漏极层同层设置的触控信号线、设置在所述平坦层与所述像素电极之间的触控电极、以及设置在所述触控电极与所述像素电极之间的钝化层，所述平坦层设置有导通所述触控电极与所述触控信号线的第二过孔，所述阵列基板在所述第二过孔的所述触控电极与所述触控信号线之间还设置有第二金属保护电极，所述第二金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第二过孔暴露的所述触控信号线在所述衬底基板上的正投影，所述第二金属保护电极的还原性小于所述触控信号线的还原性。优选的，所述触控电极为触控感应电极，所述触控信号线为触控感应信号线；或者，所述触控电极为触控驱动电极，所述触控信号线为触控驱动信号线。优选的，所述触控信号线与所述源极和漏极材质相同，所述第一金属保护电极和所述第二金属保护电极的材质相同。优选的，所述源极、所述漏极以及所述触控信号线为钛/铝/钛，所述第一金属保护电极和所述第二金属保护电极为金属钼。优选的，所述衬底基板与所述源漏极层之间还依次设置有有源层、设置在所述有源层之上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层之上的栅极、以及设置在所述栅极之上的层间介质层，其中，所述有源层包括沟道区、位于所述沟道区一侧的源区以及位于在所述沟道区另一侧的漏区、所述源区与所述沟道区之间设置有第一轻掺杂漏区，所述漏区与所述沟道区之间还设置有第二轻掺杂漏区，所述源极通过第三过孔与所述源区连接，所述漏极通过第四过孔与所述漏区连接。优选的，所述阵列基板在所述有源层与所述衬底基板之间还设置有缓冲层。本申请实施例还提供一种显示装置，包括本申请实施例提供的所述阵列基板。本申请实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板之上形成具有源极和漏极的源漏极层；在所述源漏极层之上形成具有暴露所述漏极的第一过孔的平坦层；在所述第一过孔处形成与所述漏极连接的第一金属保护电极，所述第一金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第一过孔暴露的所述漏极在所述衬底基板上的正投影，所述第一金属保护电极的还原性小于所述漏极的还原性；形成像素电极，其中，所述像素电极通过第一过孔与所述第一金属保护电极连接。优选的，所述制作方法还包括：在形成所述源极和所述漏极的同时形成触控信号线；在形成暴露所述漏极的第一过孔的同时形成暴露所述触控信号线的第二过孔；在所述第一过孔处形成与所述漏极连接的第一金属保护电极的同时，在所述第二过孔处形成与所述触控信号线连接的第二金属保护电极，所述第二金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述触控信号线在所述第二过孔的暴露区域在所述衬底基板上的正投影，所述第二金属保护电极的还原性小于所述触控信号线的还原性；在形成像素电极之前，所述制作方法还包括：在所述平坦层之上形成触控电极，其中，所述触控电极通过第二过孔与所述第二金属保护电极连接；在所述触控电极之上形成钝化层，并去除所述钝化层的与所述第一过孔对应区域的膜层。本申请实施例有益效果如下：本申请通过在漏极与像素电极导通的第一过孔内设置第一金属保护电极，该第一金属保护电极的还原性小于漏极的还原性，即，相比于漏极，该第一金属保护电极不容易被氧化，且第一金属保护电极在衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第一过孔暴露的所述漏极在所述衬底基板上的正投影，进而在对平坦层进行干刻处理时，可以降低第一过孔暴露的漏极被氧化的几率，进而改善由于漏极被氧化而使漏极与像素电极的接触电阻较大发生显示不良的问题。附图说明图1为现有技术中的一种阵列基板的结构示意图；图2为本申请实施例提供的设置有第一金属保护电极的阵列基板的结构示意图；图3本申请实施例提供的设置有第二金属保护电极的阵列基板的结构示意图；图4本申请实施例提供的一种具体的阵列基板的结构示意图；图5本申请实施例提供的一种阵列基板的制作流程图；图6为本申请实施例中，制备完成层间介质层的阵列基板的结构示意图；图7为本申请实施例中，制备完成源漏极层的阵列基板的结构示意图；图8为本申请实施例中，制备完成平坦层的阵列基板的结构示意图；图9为本申请实施例中，制备完成第一金属保护电极和第二金属保护电极的阵列基板的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：设置在衬底基板之上具有源极和漏极的源漏极层，设置在所述源漏极层之上的平坦层，以及设置在所述平坦层之上的像素电极，所述平坦层设置有导通所述像素电极和所述漏极的第一过孔，其特征在于，所述阵列基板在所述第一过孔的所述漏极和所述像素电极之间还设置有第一金属保护电极，所述第一金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第一过孔暴露的所述漏极在所述衬底基板上的正投影，所述第一金属保护电极的还原性小于所述漏极的还原性。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：设置在衬底基板之上具有源极和漏极的源漏极层，设置在所述源漏极层之上的平坦层，以及设置在所述平坦层之上的像素电极，所述平坦层设置有导通所述像素电极和所述漏极的第一过孔，其特征在于，所述阵列基板在所述第一过孔的所述漏极和所述像素电极之间还设置有第一金属保护电极，所述第一金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第一过孔暴露的所述漏极在所述衬底基板上的正投影，所述第一金属保护电极的还原性小于所述漏极的还原性。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：与所述源漏极层同层设置的触控信号线、设置在所述平坦层与所述像素电极之间的触控电极、以及设置在所述触控电极与所述像素电极之间的钝化层，所述平坦层设置有导通所述触控电极与所述触控信号线的第二过孔，所述阵列基板在所述第二过孔的所述触控电极与所述触控信号线之间还设置有第二金属保护电极，所述第二金属保护电极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖部分所述第二过孔暴露的所述触控信号线在所述衬底基板上的正投影，所述第二金属保护电极的还原性小于所述触控信号线的还原性。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极为触控感应电极，所述触控信号线为触控感应信号线；或者，所述触控电极为触控驱动电极，所述触控信号线为触控驱动信号线。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘弘，王凤国，史大为，王子峰，武新国，李峰，王文涛，郭志轩，杨璐，李元博，马波，赵晶，段岑鸿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11