感光性非电解镀基底剂制造技术

本申请的课题在于提供，一种作为非电解镀的前处理工序所使用的新的非电解镀基底剂，其考虑环境，能够以少的工序数简便地处理，并且通过光刻能够容易地形成宽度为几个μm这样微细的布线。作为解决本发明专利技术课题的方法为一种感光性基底剂，用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包含：(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物、(b)金属微粒、(c)分子内具有1个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物、(d)光聚合引发剂、(e)胺化合物以及(f)多官能硫醇。

Photosensitive non electrolytic plating base agent

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光性非电解镀基底剂
本专利技术涉及包含超支化聚合物、金属微粒、聚合性化合物和光聚合引发剂的感光性基底剂。
技术介绍
近年来，伴随着个人电脑、手机、可穿戴终端等器件的小型化，为了图案的高密度化、在透明基板上形成透射率、可见性高的布线，要求容易形成微细布线图案的方法。作为形成微细布线的方法之一，公开了通过光刻将非电解镀催化剂形成图案，然后实施非电解镀的方法(专利文献1)。具体而言，公开了下述方法：使用感光性树脂中混合有作为非电解镀催化剂的金属配位化合物、金属离子或金属胶体等的材料，通过隔着光掩模的UV曝光、显影，形成格子状等任意图案的基底，对其实施非电解镀，从而获得导电性图案的方法。此外，公开了下述例子：通过使用包含具有铵基的超支化聚合物和Pd微粒的组合物作为非电解镀基底剂，从而不经由涂布后活化工序而仅仅直接将其浸渍于非电解镀液来形成非电解镀(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-170421号公报专利文献2：国际公开第2012/141215号小册子
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在上述专利文献1中，作为金属胶体的稳定剂，使用PVP等保护胶体、十二烷基苯磺酸等表面活性剂等，但是不仅由保护胶体的分解、金属胶体的凝集等造成的清漆的稳定性令人担忧，而且在工艺中，显影时催化剂难以洗涤的情况多。此外，在非电解镀时，在目标部分以外镀层析出也成为问题。进而，由于使用水溶性的抗蚀剂、金属稳定剂，因此图案的模糊、线粗等图案形状的保持成为问题。在该专利文献中，仅仅对获得的透明导电膜的透射率和电阻值进行了议论，并没有详细地提及获得的图案的线宽(形状)。此外，对于在液晶显示元件等中使用的透明电极要求图像的可见性。然而，在通过非电解镀来形成金属布线的情况下，所形成的金属被膜具有金属光泽，其反射外部光，因此具有难以制造金属布线不明显、图像可见性高的清楚的显示装置这样的问题。因此，对于通过非电解镀来形成透明电极的技术，要求由所形成的金属镀敷被膜的背面(透明基材面)的黑色化对金属光泽抑制。因此本专利技术着眼于这样的课题，其目的在于提供一种作为非电解镀的前处理工序所使用的新的非电解镀基底剂，其考虑到环境保护，能够以少的工序数简便地进行处理，并且通过光刻能够容易地形成宽度为几个微米这样微细的布线。用于解决课题的方法本专利技术人等为了实现上述目的而进行了深入研究，结果发现，对于分子末端具有铵基的超支化聚合物和金属微粒，将特定的聚合性化合物、光聚合引发剂、胺化合物以及多官能硫醇组合于其中而获得感光性基底剂，将该基底剂涂布于基材上而获得的层能够通过光刻来形成图案，可获得图案化了的非电解金属镀的基底层；该基底层的镀敷性优异，是对于金属镀膜与被镀敷基材的密合性的提高而言有用的层。进一步发现，在玻璃等透明基材上形成该图案化了的非电解金属镀的基底层，在该基底层上形成金属镀敷被膜时，镀敷被膜形成部分的背面呈现黑色。特别是发现，在上述感光剂基底剂中，通过胺化合物和硫醇化合物的配合，能够提高金属微粒的分散性、反应性，并且能够高灵敏度地形成图案，由此完成本专利技术。即，在本专利技术中，作为第1观点，涉及一种感光性基底剂，用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包括：(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物，(b)金属微粒，(c)分子内具有1个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物，(d)光聚合引发剂，(e)胺化合物，以及(f)多官能硫醇。作为第2观点，涉及第1观点所述的感光性基底剂，上述(c)聚合性化合物为分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基的化合物。作为第3观点，涉及第1观点或第2观点所述的感光性基底剂，上述(c)聚合性化合物为分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基且具有氧亚烷基的化合物。作为第4观点，涉及第1观点～第3观点中的任一项所述的感光性基底剂，上述(f)多官能硫醇为4官能硫醇。作为第5观点，涉及第1观点～第4观点中的任一项所述的感光性基底剂，上述(e)胺化合物为具有烷氧基甲硅烷基的胺化合物。作为第6观点，涉及第1观点～第5观点中的任一项所述的感光性基底剂，上述(a)超支化聚合物为式[1]所示的超支化聚合物。(式[1]中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2～R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数7～20的芳基烷基或-(CH2CH2O)mR5(式中，R5表示氢原子或甲基，m表示2～100的整数。)(上述烷基和芳基烷基可以被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代。)，或者R2～R4中的2个基团一起表示直链状、支链状或环状的亚烷基，或者R2～R4与它们所结合的氮原子一起形成环，X-表示阴离子，n为重复单元结构的数目，表示5～100,000的整数，A1表示式[2]所示的结构。)(式[2]中，A2表示可以包含醚键或酯键的碳原子数1～30的直链状、支链状或环状的亚烷基，Y1～Y4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、硝基、羟基、氨基、羧基或氰基。)作为第7观点，涉及第6观点所述的感光性基底剂，上述(a)超支化聚合物为式[3]所示的超支化聚合物。(式[3]中，R1～R4和n分别与上述R1～R4和n表示相同含义。)作为第8观点，涉及第1观点～第7观点中的任一项所述的感光性基底剂，上述(b)金属微粒为选自铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、锡(Sn)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种金属的微粒。作为第9观点，涉及第8观点所述的感光性基底剂，上述(b)金属微粒为钯微粒。作为第10观点，涉及第1观点～第9观点中的任一项所述的感光性基底剂，上述(b)金属微粒为平均粒径1～100nm的微粒。作为第11观点，涉及第1观点～第10观点中的任一项所述的感光性基底剂，其能够通过光刻来进行图案形成。作为第12观点，涉及一种非电解镀基底层，是利用光刻得到的图案化层，由第1观点～第11观点中的任一项所述的感光性基底剂形成。作为第13观点，涉及一种金属镀膜，其由第12观点所述的非电解镀基底层以及在该非电解镀基底层上形成的非电解镀层构成。作为第14观点，涉及一种金属被膜基材，其具备：基材、在该基材上形成的第12观点所述的非电解镀基底层、以及在该非电解镀基底层上形成的第13观点所述的金属镀膜。作为第15观点，涉及一种金属被膜基材的制造方法，其包括下述A工序～C工序。A工序：将第1观点～第11观点中的任一项所述的感光性基底剂涂布于基材上，使其具备基底层的工序B工序：通过光刻形成具有所期望图案的基底层的工序C工序：将具备形成图案了的基底层的基材浸渍于非电解镀浴，形成金属镀膜的工序。专利技术效果通过将本专利技术的感光性基底剂涂布于基材上，隔着掩模实施光刻，从而能够容易地形成图案化了的非电解金属镀的基底层。此外，本专利技术的感光性基底剂即使不形成以往为了提高与金属镀膜的密合性而在基材上形成的底涂层，也能够形成与基材的密合性优异的基底层。进而，本专利技术的感光性基底剂能够形成μm级的图案化了的镀敷基底层，还可以适合用于各种布线技术。特别是本专利技术的感光性基底剂通过配合能够与钯等金属微粒配位结合而形成胺配位化合物的胺化合物，从而能够提高基底剂中的金属微粒的分散稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光性基底剂，用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包括：(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物，(b)金属微粒，(c)分子内具有1个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物，(d)光聚合引发剂，(e)胺化合物，以及(f)多官能硫醇。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 JP 2015-0727271.一种感光性基底剂，用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包括：(a)分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物，(b)金属微粒，(c)分子内具有1个以上(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物，(d)光聚合引发剂，(e)胺化合物，以及(f)多官能硫醇。2.根据权利要求1所述的感光性基底剂，所述(c)聚合性化合物为分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基的化合物。3.根据权利要求1或2所述的感光性基底剂，所述(c)聚合性化合物为分子内具有3个以上(甲基)丙烯酰基且具有氧亚烷基的化合物。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的感光性基底剂，所述(f)多官能硫醇为4官能硫醇。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的感光性基底剂，所述(e)胺化合物为具有烷氧基甲硅烷基的胺化合物。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的感光性基底剂，所述(a)超支化聚合物为式[1]所示的超支化聚合物，式[1]中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2～R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数7～20的芳基烷基或-(CH2CH2O)mR5，或者R2～R4中的2个基团一起表示直链状、支链状或环状的亚烷基，或者R2～R4与它们所结合的氮原子一起形成环，上述式-(CH2CH2O)mR5中，R5表示氢原子或甲基，m表示2～100的整数，上述烷基和芳基烷基可以被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代，X-表示阴离子，n为重复单元结构的数目，表示5～100,000的整数，A1表示式[2]所示的结构，式[...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛圭介，畑中真，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP