清洗半导体装置的磷酸组合物水溶液制造方法及图纸

半导体清洗水溶液，其特征在于含有：　　　　至少７５ｗｔ．％的水；　　　　０．５ｗｔ．％至１０ｗｔ．％的磷酸；　　　　至少一种碱性化合物，所述碱性化合物选自：季铵氢氧化物；具有以下结构式的羟胺衍生物：　　　　＊＊＊　　　　其中Ｒ↓［３］是氢或含有１至７个碳原子的直链、支链或环状烃；而其中Ｘ和Ｙ独立地是氢或含有１至７个碳原子的直链、支链或环状烃，或其中Ｘ与Ｙ连接在一起形成含氮杂环Ｃ↓［４］－Ｃ↓［７］环；和其混合物；和　　　　任选地一种或多种其它酸化合物，一种或多种含氟化合物，和／或一种或多种具有以下结构通式的链烷醇胺：　　　　＊＊＊　　　　其中Ｒ↓［１］、Ｒ↓［１］’、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［２］’和Ｒ↓［３］每个均独立地为氢或含有１至７个碳原子的直链、支链或环状烃；其中Ｚ是具有通式－（－Ｑ－ＣＲ↓［１］Ｒ↓［１］’－ＣＲ↓［２］Ｒ↓［２］’－）↓［ｍ］－的基团，该通式中ｍ是从０至３的整数，即当ｍ＝０时，在上式中－ＣＲ↓［２］Ｒ↓［２］’－基团与－ＯＲ↓［３］基团之间没有原子，如果ｍ＞１，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［１］’、Ｒ↓［２］和Ｒ↓［２］’可以独立地在每个重复单元内根据上面这些部分列出的参量范围定义，并且如果ｍ＞１，Ｑ可以独立地在每个重复单元内定义，每个Ｑ独立地为－Ｏ－或－ＮＲ↓［３］－；而其中Ｘ和Ｙ均独立地是氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［７］直链、支链或环状烃，或具有通式－ＣＲ↓［１］Ｒ↓［１］’－ＣＲ↓［２］Ｒ↓［２］’－Ｚ－Ｆ的基团，该通式中Ｆ是－Ｏ－Ｒ↓［３］或－ＮＲ↓［３］Ｒ↓［４］，Ｒ↓［４］与以上Ｒ↓［１］、Ｒ↓［１］’、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［２］’和Ｒ↓［３］的定义相似，并且Ｚ、Ｒ↓［１］、Ｒ↓［１］’、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［２］’和Ｒ↓［３］与上面定义相同，或者其中Ｘ与Ｙ连接在一起形成含氮杂环Ｃ↓［４］－Ｃ↓［７］环。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：J·达维奥，C·里德，D·霍姆斯，
申请(专利权)人：EKC技术公司，
类型：发明
国别省市：