显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：设置在衬底基板上的多条栅极走线，该多条栅极走线远离衬底基板的一侧设置有包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构，该膜层结构远离衬底基板的一侧设置有多条导电走线。本发明专利技术通过设置多条导电走线和栅极走线，并使得每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补，进而可以抵消栅极走线上传输的驱动信号在显示基板上产生的耦合噪音。本发明专利技术用于图像的显示。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
显示装置在显示图像时，需要利用栅极驱动电路对显示面板中的多行像素单元进行逐行扫描。其中，每个像素单元包括一驱动晶体管和一像素电极，位于同一行的像素单元中的驱动晶体管与一条栅线连接。当栅极驱动电路向一条栅线输出栅极驱动信号时，可以驱动与该条栅线连接的一行像素单元中的驱动晶体管开启，并为像素电极充电。相关技术中，栅极驱动电路向每条栅线输出的驱动信号一般为时钟信号，该时钟信号的高电平和低电平之间的压差较大，因此在时钟信号的电平跳变时，栅线电压变化较大，会在显示面板的表面产生耦合噪音。由于目前的显示面板一般为集成有触控功能的触控显示面板，该触控显示面板在检测触控信号时，可能会受到触控显示面板表面耦合噪音的干扰，进而影响该触控显示面板的触控精度。
技术实现思路
本专利技术提供了一种显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置，可以解决相关技术中显示面板的表面存在耦合噪音的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：设置在衬底基板上的多条栅极走线；所述多条栅极走线远离所述衬底基板的一侧设置有包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构；所述膜层结构远离所述衬底基板的一侧设置有多条导电走线；其中，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠，且每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补。可选的，所述显示基板还包括：多个反相器；每个所述反相器的输入端与一条栅极走线连接，每个所述反相器的输出端与一条导电走线连接；与同一个反相器连接的栅极走线和导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠。可选的，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重合。可选的，每个所述反相器，包括：N型晶体管和P型晶体管；所述N型晶体管的栅极和所述P型晶体管的栅极与一条栅极走线连接，所述N型晶体管的第二极和所述P型晶体管的第二极与一条导电走线连接；所述P型晶体管的第一极与第一电源线连接，所述N型晶体管的第一极与第二电源线连接；其中，所述第一电源线提供第一电位的第一电源信号，所述第二电源线提供第二电位的第二电源信号，所述第一电位相对于所述第二电位为高电位。可选的，所述N型晶体管和所述P型晶体管均为薄膜晶体管。可选的，每个所述反相器包括：依次设置在所述衬底基板上的栅极图层、栅绝缘层、有源层和源漏图层，所述栅极图层为所述N型晶体管和所述P型晶体管的栅极；所述有源层包括间隔设置的N型半导体图案和P型半导体图案，所述源漏图层包括间隔设置的第一源极图案、第二源极图案和漏极图案，所述第一源极图案为所述N型晶体管的第一极，所述第二源极图案为所述P型晶体管的第一极，所述漏极图案为所述N型晶体管和所述P型晶体管的第二极；所述栅极图层与一条栅极走线电连接，所述第一源极图案与所述第二电源线电连接，所述第二源极图案与所述第一电源线电连接，所述漏极图案与一条导电走线电连接；其中，所述第一源极图案与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述第二源极图案与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述漏极图案在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述栅极图层在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠。可选的，每个所述反相器设置在栅极走线与栅极驱动电路连接的一端。第二方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述制造方法包括：在衬底基板上形成多条栅极走线；在形成有所述多条栅极走线的衬底基板上形成包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构；在形成有所述膜层结构的衬底基板上形成多条导电走线；其中，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠，且每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补。可选的，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成多个反相器；其中，每个所述反相器的输入端与一条栅极走线连接，每个所述反相器的输出端与一条导电走线连接；与同一个反相器连接的栅极走线和导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠。可选的，所述在形成有所述膜层结构的衬底基板上形成多条导电走线，包括：采用用于形成所述多条栅极走线的掩膜板，在形成有所述膜层结构的衬底基板上形成多条导电走线。可选的，每个所述反相器，包括：N型晶体管和P型晶体管；所述在所述衬底基板上形成多个反相器，包括：在所述衬底基板上形成多组晶体管，其中每组晶体管包括一N型晶体管和一P型晶体管，每组晶体管中N型晶体管的栅极和P型晶体管的栅极与一条栅极走线连接，每组晶体管中N型晶体管的第二极和P型晶体管的第二极与一条导电走线连接；每组晶体管中P型晶体管的第一极与第一电源线连接，N型晶体管的第一极与第二电源线连接；其中，所述第一电源线提供第一电位的第一电源信号，所述二电源线提供第二电位的第二电源信号，所述第一电位相对于所述第二电位为高电位。可选的，所述N型晶体管和所述P型晶体管均为薄膜晶体管，所述在所述衬底基板上形成多组晶体管，包括：在形成所述驱动薄膜晶体管的过程中，同步形成所述多组晶体管。可选的，形成一组晶体管的过程包括：在所述衬底基板上形成栅极图层，使所述栅极图层与一条栅极走线电连接，所述栅极图层形成为所述N型晶体管和所述P型晶体管的栅极；在所述栅极图层远离所述衬底基板的一侧依次形成栅绝缘层和有源层，所述有源层包括：间隔形成的N型半导体图案和P型半导体图案；在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成源漏图层，所述源漏图层包括间隔形成的第一源极图案、第二源极图案和漏极图案，所述第一源极图案与所述第二电源线电连接，所述第二源极图案与所述第一电源线电连接，所述漏极图案与一条导电走线电连接，所述第一源极图案形成为所述N型晶体管的第一极，所述第二源极图案形成为所述P型晶体管的第一极，所述漏极图案形成为所述N型晶体管和所述P型晶体管的第二极；其中，所述第一源极图案与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述第二源极图案与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述漏极图案在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述栅极图层在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠。可选的，每个所述反相器形成在栅极走线与栅极驱动电路连接的一端。第三方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：如第一方面所述的显示基板。可选的，所述显示面板为触控显示面板。第四方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：如第三方面所述的显示面板。本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是：综上所述，本专利技术提供的显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置，通过在衬底基板上设置多条导电走线和多条栅极走线，并使得每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补，进而可以抵消栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：设置在衬底基板上的多条栅极走线；所述多条栅极走线远离所述衬底基板的一侧设置有包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构；所述膜层结构远离所述衬底基板的一侧设置有多条导电走线；其中，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠，且每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：设置在衬底基板上的多条栅极走线；所述多条栅极走线远离所述衬底基板的一侧设置有包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构；所述膜层结构远离所述衬底基板的一侧设置有多条导电走线；其中，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠，且每条导电走线上传输的信号与对应的一条栅极走线上传输的信号互补。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：多个反相器；每个所述反相器的输入端与一条栅极走线连接，每个所述反相器的输出端与一条导电走线连接；与同一个反相器连接的栅极走线和导电走线在所述衬底基板上的正投影重叠。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每条栅极走线在所述衬底基板上的正投影与对应的一条导电走线在所述衬底基板上的正投影重合。4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，每个所述反相器，包括：N型晶体管和P型晶体管；所述N型晶体管的栅极和所述P型晶体管的栅极与一条栅极走线连接，所述N型晶体管的第二极和所述P型晶体管的第二极与一条导电走线连接；所述P型晶体管的第一极与第一电源线连接，所述N型晶体管的第一极与第二电源线连接；其中，所述第一电源线提供第一电位的第一电源信号，所述第二电源线提供第二电位的第二电源信号，所述第一电位相对于所述第二电位为高电位。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述N型晶体管和所述P型晶体管均为薄膜晶体管。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，每个所述反相器包括：依次设置在所述衬底基板上的栅极图层、栅绝缘层、有源层和源漏图层，所述栅极图层为所述N型晶体管和所述P型晶体管的栅极；所述有源层包括间隔设置的N型半导体图案和P型半导体图案，所述源漏图层包括间隔设置的第一源极图案、第二源极图案和漏极图案，所述第一源极图案为所述N型晶体管的第一极，所述第二源极图案为所述P型晶体管的第一极，所述漏极图案为所述N型晶体管和所述P型晶体管的第二极；所述栅极图层与一条栅极走线电连接，所述第一源极图案与所述第二电源线电连接，所述第二源极图案与所述第一电源线电连接，所述漏极图案与一条导电走线电连接；其中，所述第一源极图案与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述第二源极图案与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述漏极图案在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，所述栅极图层在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠，且与所述P型半导体图案在所述衬底基板上的正投影重叠。7.根据权利要求2至6任一所述的显示基板，其特征在于，每个所述反相器设置在栅极走线与栅极驱动电路连接的一端。8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底基板上形成多条栅极走线；在形成有所述多条栅极走线的衬底基板上形成包括多个驱动薄膜晶体管的膜层结构；在形成有所述膜层结构的衬底基板上形成多条导电走线；其中，每条栅极走线在所述衬底基...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈灿，许志财，徐波，刘兴洪，侯帅，冉博，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11