数据检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种适用于检测储存器装置的读出数据的数据检测装置包括检测参考电压产生器、检测参考电流产生器以及检测放大器。检测参考电压产生器接收参考电压，根据参考电压及与控制信号产生参考电流，并根据参考电流产生检测参考电压。检测参考电流产生器接收检测参考电压，并根据检测参考电压与控制信号产生检测参考电流。检测放大器接收检测参考电流以及来自所选择的储存单元的读出电流，并根据所检测的检测参考电流与读出电流之间的电流差以产生读出数据。

【技术实现步骤摘要】
数据检测装置
本专利技术涉及一种适用于储存器装置的数据检测装置，且特别涉及一种用来提供可调式参考电压给储存器装置以检测读出数据的数据检测装置。
技术介绍
近年来，非易失性储存器装置在电子装置中变的更加重要。因此，推出了电阻式随机存取储存器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)。在现有的技术中，用于RRAM的检测数据装置提供了在固定电压准位的检测参考电压。检测参考电流可以根据检测参考电压而产生，且检测数据装置的检测放大器可以检测到检测参考电流以及来自所选择的电阻式随机存取储存单元(RRAMCell)的读出电流以获得读出数据。由于RRAM的读取边缘(MarginRead)准确率取决于检测参考电压的偏压状况，例如，通过使用固定电压准位的检测参考电压，读取边缘在读出电流位于第一个电流范围内时状况良好，但是在读出电流位于第二个电流范围内时却失效了。
技术实现思路
本专利技术是关于多种数据检测装置，这些装置提供动态的检测参考电压以箝住所选择的储存单元的读取电压。本专利技术提供一种适用于检测储存器装置的读出数据的数据检测装置。数据检测装置包括检测参考电压产生器、检测参考电流产生器以及检测放大器。检测参考电压产生器接收参考电压，根据参考电压及与控制信号产生参考电流，并根据参考电流产生检测参考电压。检测参考电流产生器耦接于检测参考电压产生器，接收检测参考电压，并根据检测参考电压与控制信号产生检测参考电流。检测放大器具有第一输入端及第二输入端，第一输入端耦接于检测参考电流产生器，第二输入端耦接于储存器装置中所选择的储存单元。检测放大器接收检测参考电流以及来自选中储存单元的读出电流，并根据所检测的参考电流与读出电流之间的电流差以产生读出数据。本专利技术提供另一种适用于检测储存器装置的读出数据的数据检测装置。数据检测装置包括运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、可变电阻、检测放大器以及第三晶体管。运算放大器具有第一输入端以接收参考电压，且具有输出端以提供检测参考电压。第一晶体管具有第一晶体管以接收电源电压，且具有第二端以耦接于第一晶体管的控制端。第二晶体管具有第一端以耦接于第一晶体管的第二端，且具有控制端以直接接收检测参考电压，且具有第二端以耦接于运算放大器的第二输入端。可变电阻耦接于第二晶体管的第二端与参考接地端之间，其中可变电阻的电阻值是根据控制信号决定，并根据检测参考电压与可变电阻的电阻值产生检测参考电流。检测放大器具有第一输入端以及输出端，第一输入端耦接于第一晶体管的第二端以检测检测参考电流，输出端用以产生读出数据。第三晶体管具有第一端以耦接于检测放大器的第二输入端，且具有控制端以直接接收检测参考电压，且具有第二端以耦接于选中储存单元。基于上述，检测参考电压可以被动态地调整，且检测参考电压可以针对储存器装置在进行读取边缘及设定验证/重设验证读取准位时，在一检测参考电流准位上，进行偏压的自调节。此外，在本专利技术中，参考电流以及检测参考电流是根据二个匹配电路而产生。如此，可以确保储存器装置的读取边缘准确率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1显示依据本专利技术的一实施例数据检测装置的电路图；图2显示依据本专利技术的另一实施例数据检测装置的电路图；图3显示依据本专利技术的另一实施例数据检测装置的电路图；图4显示依据本专利技术的另一实施例数据检测装置的电路图；图5显示依据本专利技术的另一实施例数据检测装置的电路图。[附图标记说明]100、200、300、400、500：数据检测装置；110、210、310、410：检测参考电压产生器；120、220、320、420：检测参考电流产生器；211、221、311、321、510：可变电阻；411、421：可变电流产生器；430：输入电流产生器；SA：检测放大器；VREF：参考电压；OPT：控制信号；VSAREF：检测参考电压；ISAREF：检测参考电流；SMC：选中储存单元；SAOUT：读出数据；TN1、TN2、TP1、TC1、M21-M23、M24-M26、M41-M43、ET1、ET2、M51-M53：晶体管；OP1、OP2、OP3：运算放大器；D1、D2：二极管；YMUX：选择信号；VDD：电源电压；WL：字符线信号；DYMUX：虚拟选择信号；SW11-SW14、SW41-SW43、SWA1-SWA4：开关；R1、R11-R14、R21-R24、R31-R34、R41-R44、R51-R54：电阻；OPT<0>-OPT<3>：控制信号的二进制位；GND：参考接地端；IREF：参考电流；CS41-CS43、ECS1、CS51-CS53：电流源；RU：单元电阻。具体实施方式参考图1，图1显示依据本专利技术的一实施例数据检测装置的电路图。数据检测装置100是用来检测储存器装置的读出数据。数据检测装置100包括检测参考电压产生器110、检测参考电流产生器120以及检测放大器SA。检测参考电压产生器110接收参考电压VREF，根据参考电压VREF与控制信号OPT产生参考电流，并根据参考电流产生检测参考电压VSAREF。检测参考电流产生器120耦接于检测参考电压产生器110。检测参考电流产生器120接收检测参考电压VSAREF，并根据检测参考电压VSAREF与所述控制信号OPT产生检测参考电流ISAREF。检测放大器SA具有第一输入端及第二输入端，第一输入端耦接于检测参考电流产生器120以接收检测参考电流ISAREF，且第二输入端耦接于选中储存单元SMC以接收来自选中储存单元SMC的读出电流，检测放大器SA接收检测参考电流ISAREF以及来自选中储存单元SMC的读出电流。检测放大器SA根据检测检测参考电流ISAREF与读出电流之间的电流差产生读出数据SAOUT。需注意的是，此实施例中，检测参考电压VSAREF的电压准位并非固定的。检测参考电压VSAREF的电压准位是根据由检测参考电压产生器110所产生的参考电流而决定，且检测参考电压产生器110所产生的参考电流的电流准位可根据控制信号OPT而决定。此外，检测参考电压VSAREF被传输到检测参考电流产生器120，且检测参考电流产生器120通过检测参考电压VSAREF进行偏压，并根据控制信号OPT产生检测参考电流ISAREF。提供给检测参考电压产生器110与检测参考电流产生器120的控制信号OPT是一样的，且产生参考电流与检测参考电流ISAREF的电路结构是一样的。也就是说，检测参考电压VSAREF是可自我调节的，且检测参考电流ISAREF可良好追踪读取边缘参考电流。横跨所有的读出电流范围中可以获得较佳的读取边缘。此外，检测放大器SA可经由晶体管TN1及TN2耦接至选中储存单元SMC。晶体管TN1耦接于检测放大器SA的第二输入端与晶体管TN2之间，且晶体管TN1是由检测参考电压VSAREF所控制。晶体管TN2耦接于晶体管TN1与选中储存单元SMC之间，且是由选择信号YMUX所控制。当选中储存单元SMC被选择以进行数据读取操作时，选择信号YMUX导通晶体管TN2，且读出电流可被传输至检测放大器SA的第二输入端。此外，晶体管TP1耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据检测装置，适用于检测储存器装置的读出数据，其特征在于，包括：检测参考电压产生器，接收参考电压，根据所述参考电压与控制信号产生参考电流，并根据所述参考电流产生检测参考电压；检测参考电流产生器，耦接于所述检测参考电压产生器，接收所述检测参考电压，并根据所述检测参考电压与所述控制信号产生检测参考电流；以及检测放大器，具有第一输入端及第二输入端，所述检测放大器的第一输入端耦接于所述检测参考电流产生器，所述检测放大器的第二输入端耦接所述储存器装置所选择的储存单元，所述检测放大器接收所述检测参考电流以及来自所选择的储存单元的读出电流，并根据检测所述检测参考电流与所述读出电流之间的电流差以产生所述读出数据，所述检测参考电压产生器包括：运算放大器，具有第一输入端以接收所述参考电压；第一晶体管，具有第一端以接收电源电压，且具有耦接于所述运算放大器的输出端的控制端；二极管，具有阳极及阴极，其中所述二极管的阳极耦接于所述第一晶体管的第二端，所述二极管的阴极耦接于所述运算放大器的第二端，其中所述检测参考电压产生于所述二极管的阳极；以及第一可变电阻，耦接于所述二极管的阴极与参考接地端之间，其中所述第一可变电阻的电阻值根据所述控制信号来决定。...

【技术特征摘要】
2016.06.17 US 15/185,0371.一种数据检测装置，适用于检测储存器装置的读出数据，其特征在于，包括：检测参考电压产生器，接收参考电压，根据所述参考电压与控制信号产生参考电流，并根据所述参考电流产生检测参考电压；检测参考电流产生器，耦接于所述检测参考电压产生器，接收所述检测参考电压，并根据所述检测参考电压与所述控制信号产生检测参考电流；以及检测放大器，具有第一输入端及第二输入端，所述检测放大器的第一输入端耦接于所述检测参考电流产生器，所述检测放大器的第二输入端耦接所述储存器装置所选择的储存单元，所述检测放大器接收所述检测参考电流以及来自所选择的储存单元的读出电流，并根据检测所述检测参考电流与所述读出电流之间的电流差以产生所述读出数据，所述检测参考电压产生器包括：运算放大器，具有第一输入端以接收所述参考电压；第一晶体管，具有第一端以接收电源电压，且具有耦接于所述运算放大器的输出端的控制端；二极管，具有阳极及阴极，其中所述二极管的阳极耦接于所述第一晶体管的第二端，所述二极管的阴极耦接于所述运算放大器的第二端，其中所述检测参考电压产生于所述二极管的阳极；以及第一可变电阻，耦接于所述二极管的阴极与参考接地端之间，其中所述第一可变电阻的电阻值根据所述控制信号来决定。2.根据权利要求1所述的数据检测装置，其特征在于，所述第一可变电阻包括：多个开关及多个电阻，其中所述多个开关串联于所述二极管的所述阴极与所述参考接地端之间，所述多个电阻串联于所述二极管的所述阴极与所述参考接地端之间，且所述多个开关分别与所述多个电阻并联，其中，所述多个开关分别由所述控制信号的多个二进制位所控制。3.根据权利要求1所述的数据检测装置，其特征在于，所述检测参考电流产生器包括：第二晶体管，具有第一端以接收所述电源电压，且所述第二晶体管的第二端耦接于所述第二晶体管的控制端；第三晶体管，具有第一端以耦接于所述第二晶体管的第二端，所述第三晶体管的控制端接收所述检测参考电压；以及第二可变电阻，耦接于所述第三晶体管的第二端与所述参考接地端之间，其中所述第二可变电阻的电阻值根据所述控制信号决定，且所述第一可变电阻与所述第二可变电阻的电阻值实质上相等。4.根据权利要求3所述的数据检测装置，其特征在于，所述第二可变电阻包括：多个开关及多个电阻，其中所述多个开关串联于所述第三晶体管的第二端与所述参考接地端之间，所述多个电阻串联于所述第三晶体管的第二端与所述参考接地端之间，且所述多个开关分别与所述多个电阻并联，其中，所述多个开关分别受控于所述控制信号的多个二进制位。5.根据权利要求1所述的数据检测装置，其特征在于，所述检测参考电压产生器包括：运算放大器，具有第一输入端以接收所述参考电压；第一晶体管，具有第一端以接收电源电压，且具有耦接于所述运算放大器的输出端的控制端；二极管，具有阳极及阴极，其中所述二极管的阳极耦接于所述第一晶体管的第二端，所述二极管的阴极耦接于所述运算放大器的第二输入端，其中所述检测参考电压产生于所述二极管的阳极；以及第一可变电流产生器，耦接于所述二极管的阴极与参考接地端之间，其中所述第一可变电流产生器根据所述控制信号及输入电流以产生所述参考电流。6.根据权利要求5所述的数据检测装置，其特征在于，所述第一可变电流产生器包括：多个开关；以及多个电流源，其中所述多个开关分别与所述多个电流源串联于所述二极管的阴极与所述参考接地端之间，所述多个电流源通过映射所述输入电流分别产生多条电流，且所述多个开关分别受控于所述控制信号的多个二进制位。7.根据权利要求5所述的数据检测装置，其特征在于，所述检测参考电流产生器包括：第二晶体管，具有第一端以接收电源电压，且所述第二晶体管的第二端耦接于所述第二晶体管的控制端；第三晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纪舜，张雅廸，柳德铉，林小峰，黄科颕，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71