显示装置制造方法及图纸

一种显示装置包括：基底基板，包括沿第一方向延伸的第一光阻挡区域、沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二光阻挡区域以及由第一光阻挡区域和第二光阻挡区域限定的透光区域；栅极线，位于第一光阻挡区域处的基底基板上；数据线，位于第二光阻挡区域处的基底基板上；薄膜晶体管，连接至栅极线和数据线；位于薄膜晶体管上的保护层；黑矩阵，位于第一光阻挡区域和第二光阻挡区域中的至少一个处的保护层上；以及像素电极，通过形成在保护层和黑矩阵中的接触孔连接至薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】
显示装置相关申请的交叉引用本申请要求2016年6月16日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2016-0075121号的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术构思的示例性实施例涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法，更具体地，涉及一种可以简化制造工艺的显示装置和制造该显示装置的方法。
技术介绍
显示装置可以基于其发光模式而分类为液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、等离子体显示面板(PDP)装置、电泳显示装置等。LCD装置包括其上形成有电极的显示基板、对基板以及布置在显示基板与对基板之间的液晶层。近年来，采用了阵列上滤色器(COA)结构，其中滤色器被布置在显示基板上以提高透射率。此外，为了基本上防止在将其上布置有滤色器的显示基板与其上布置有光阻挡构件的对基板耦接的过程中的未对准，采用了阵列上黑矩阵(BOA)结构，其中滤色器和光阻挡构件被布置在显示基板上。将理解的是，此
技术介绍
部分意在提供用于理解技术的有用背景，并且如本文所公开的那样，技术背景部分可以包括不构成在本文所公开的主题的对应有效申请日之前相关领域的技术人员已经知晓或理解的部分的想法、构思或认识。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例可以涉及可以简化制造工艺的一种显示装置及其制造方法。根据示例性实施例，一种显示装置包括：基底基板，包括沿第一方向延伸的第一光阻挡区域、沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二光阻挡区域以及由第一光阻挡区域和第二光阻挡区域限定的透光区域；栅极线，被布置在基底基板上、第一光阻挡区域处；数据线，被布置在基底基板上、第二光阻挡区域处；薄膜晶体管，连接至栅极线和数据线；保护层，被布置在薄膜晶体管上；黑矩阵，被布置在保护层上、第一光阻挡区域和第二光阻挡区域中的至少一个处；以及像素电极，被布置在黑矩阵上并且通过形成在保护层和黑矩阵中的接触孔连接至薄膜晶体管。该显示装置可以进一步包括被布置在基底基板上、薄膜晶体管和像素电极的接触区域下方的光阻挡图案。光阻挡图案可以与黑矩阵的至少一部分重叠。光阻挡图案在平面图中可以与接触孔完全地重叠。光阻挡图案可以与布置有栅极线的层布置在基本同一层中。光阻挡图案可以具有岛形状。光阻挡图案可以具有圆形或多边形形状。保护层可以包括位于透光区域处的第一保护层以及位于第一光阻挡区域和第二光阻挡区域处的第二保护层。第一保护层可以具有比第二保护层的高度小的高度。第一保护层和第二保护层在分界处可以具有台阶差。台阶差可以从约至约显示装置可以进一步包括从黑矩阵突出的柱状间隔件。根据另一示例性实施例，一种制造显示装置的方法包括：准备基底基板，基底基板包括沿第一方向延伸的第一光阻挡区域、沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二光阻挡区域以及由第一光阻挡区域和第二光阻挡区域限定的透光区域；在基底基板上、第一光阻挡区域处形成栅极线；在基底基板上、第二光阻挡区域处形成数据线；形成连接至栅极线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成保护层和黑矩阵；以及形成像素电极，像素电极通过形成在保护层和黑矩阵中的接触孔连接至薄膜晶体管。形成保护层和黑矩阵可以包括：顺序地形成保护层形成材料和黑矩阵形成材料；布置包括透光部分、半透光部分和光阻挡部分的掩模；使用掩模曝光黑矩阵形成材料；以及显影黑矩阵形成材料。该方法可以进一步包括在数据线上形成绝缘层，以及使用已显影的黑矩阵形成材料作为刻蚀掩模而刻蚀绝缘层，以暴露薄膜晶体管的漏电极。该方法可以进一步包括部分地移除第一光阻挡区域和第二光阻挡区域上的已显影黑矩阵形成材料，以及完全地移除透光区域上的已显影黑矩阵形成材料。该方法可以进一步包括部分地移除透光区域上的保护层。保护层可以包括位于透光区域处的第一保护层以及位于第一光阻挡区域和第二光阻挡区域处的第二保护层，并且第一保护层可以具有比第二保护层的高度小的高度。该方法可以进一步包括在基底基板上、薄膜晶体管和像素电极的接触区域下方形成光阻挡图案。光阻挡图案可以在与形成栅极线的工艺基本相同的工艺中形成。光阻挡图案在平面图中可以完全地覆盖薄膜晶体管的已暴露漏电极。上述仅仅是例示性的，而不旨在以任何方式进行限制。除了上面描述的例示性的方面、示例性实施例和特征之外，通过参考各图和下面的详细描述，进一步的方面、示例性实施例和特征将变得显而易见。附图说明通过参考附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例，将使得本专利技术构思的更完整理解变得更明显，其中：图1是示出了根据示例性实施例的显示装置的示意性平面图；图2是沿图1的线I-I’截取的剖视图；图3A是示出了图1所示的像素的栅极布线的平面图；图3B是示出了图1所示的像素的数据布线的平面图；图3C是示出了图1所示的像素的像素电极的平面图；以及图4A、图4B、图4C、图4D、图4E以及图4F是示出了根据示例性实施例的制造显示装置的方法的剖视图。具体实施方式现在将参照附图更充分地描述示例性实施例。尽管本专利技术构思可以以各种方式修改并且具有若干示例性实施例，在附图中示出并且在说明书中主要地描述了示例性实施例。然而，本专利技术构思的范围不限于示例性实施例并且应被解释为包括在本专利技术构思的精神和范围中所包括的所有改变、等价形式和替代物。在图中，为了清楚和易于理解，以放大的方式图示了多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称为在另一层、区域或板“上”时，其可直接在另一层、区域或板上，或者中间层、区域或板可存在于它们之间。相反地，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，它们之间可不存在中间层、区域或板。进一步，当层、区域或板被称为在另一层、区域或板“下”时，其可直接在另一层、区域或板下，或者中间层、区域或板可存在于它们之间。相反地，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下”时，它们之间可不存在中间层、区域或板。为了易于描述，在本文中可使用空间相对术语“在……下面”、“在……下方”、“下方的”、“在……上面”、“上方的”等来描述如图中所示的在一个元件或组件和另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，在图中所示的设备被翻转的情况下，放置在另一设备“下面”或“下方”的设备可被放置在另一设备“上面”。因此，例示性术语“在……下面”可包括下方的位置和上方的位置两者。设备还可被定位在其他方向，并且因此空间相对术语根据方位可被不同地解释。在整个说明书中，当一元件被提及为“连接”到另一元件时，该元件“直接连接”到另一元件，或者“电连接”到另一元件，在其间插入有一个或多个中间元件。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”及其变体在本说明书中使用时指明存在所列举的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。将理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分。因此，在不脱离本文教导的情况下，下面讨论的“第一元件”可称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可被同样地称呼。考虑到讨论中的测量以及与特定量的测量关联的误差(即测量系统的限制)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：基底基板，包括沿第一方向延伸的第一光阻挡区域、沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二光阻挡区域以及由所述第一光阻挡区域和所述第二光阻挡区域限定的透光区域；栅极线，被布置在所述基底基板上、所述第一光阻挡区域处；数据线，被布置在所述基底基板上、所述第二光阻挡区域处；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线；保护层，被布置在所述薄膜晶体管上；黑矩阵，被布置所述保护层上、所述第一光阻挡区域和所述第二光阻挡区域中的至少一个处；以及像素电极，被布置在所述黑矩阵上并且通过在所述保护层和所述黑矩阵中限定的接触孔连接至所述薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
2016.06.16 KR 10-2016-00751211.一种显示装置，包括：基底基板，包括沿第一方向延伸的第一光阻挡区域、沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二光阻挡区域以及由所述第一光阻挡区域和所述第二光阻挡区域限定的透光区域；栅极线，被布置在所述基底基板上、所述第一光阻挡区域处；数据线，被布置在所述基底基板上、所述第二光阻挡区域处；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线；保护层，被布置在所述薄膜晶体管上；黑矩阵，被布置所述保护层上、所述第一光阻挡区域和所述第二光阻挡区域中的至少一个处；以及像素电极，被布置在所述黑矩阵上并且通过在所述保护层和所述黑矩阵中限定的接触孔连接至所述薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括被布置在所述基底基板上、所述薄膜晶体管与所述像素电极的接触区域下方的光阻挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：金暲镒，禹修完，朴根佑，尹汝建，林兑暻，黄宗鹤，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR