一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法技术

技术编号:16913555 阅读:70 留言:0更新日期:2017-12-30 20:54
本发明专利技术涉及微电子封装用键合银丝,特别涉及一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法,包括如下主要步骤:步骤S6:将氧化石墨烯水溶液倒入第一长条形水槽中,施加第一阶段超声波震荡,将键合银丝连续经过溶液制得表面附着有氧化石墨烯的键合银丝;步骤S7:配置抗坏血酸水溶液,放入第二长条形水槽中,施加第二阶段超声波震荡,将表面具有氧化石墨烯薄膜的键合银丝连续经过抗坏血酸水溶液还原制得表面附着有石墨烯的键合银丝。与现有技术相比,本发明专利技术的具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法可以在键合银丝表面均匀附着超薄石墨烯薄膜,提高键合银丝抗氧化性能,节约成本。

A graphene film bonding method for preparation of silver

The present invention relates to a microelectronic package together with the silver key, particularly relates to a preparation method of a graphene film bonding of silver, mainly includes the following steps: step S6: water solution of graphene oxide into the first elongated sink in the first stage, applying ultrasonic vibration, the bonding of silver was prepared through continuous surface attachment of graphene oxide bonded silver; step S7: configuration of ascorbic acid aqueous solution, into second long strip flume, applying second stage ultrasonic oscillation, the surface has a graphene oxide film bonding silver after continuous aqueous ascorbic acid reduction system is attached to the surface of graphene silver bonding. Compared with the existing technology, preparation method of key with graphene film of the invention can be combined in silver bonding silver surface evenly attached ultra-thin graphene film, improve bonding silver antioxidant properties, cost savings.

【技术实现步骤摘要】
一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法
本专利技术涉及微电子封装用键合银丝,特别涉及一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法。
技术介绍
键合丝作为将半导体元件上的电极与外部端子之间进行接合的电性连接线,主要采用线径为20μm-50μm左右的4N系(纯度>99.99%(重量))黄金及其它微量元素合金化制成的金线,然而由于黄金价格昂贵且近年来价格持续上涨,寻找替代金线的材料一直是电子封装领域的研究热点。银以其优异的热学、电学性能以及较低的价格,被认为是取代金的合适键合丝材料,然而银线相比金线具有一些列的缺点:线材表面易氧化导致键合强度降低,在进行树脂封装时易引起线材表面腐蚀,较高的硬度易造成打线时对基板造成损伤等等。为了解决上述问题,银线的研发思路主要有两种:表面涂层和合金化。表面涂层,目前较多采用的是银线表面镀金。中国专利文献CN104377185A公布了镀金银钯合金单晶键合丝及其制造方法,本专利技术所述镀金银钯合金单晶键合丝是一种具有黄金类键合丝的优点、又具有银基类键合丝的优点、且价格相对低廉的一种新型键合丝。该表面镀钯键合银丝镀钯层表面均匀,致密完整,有利于焊接键合时充分变形,提高拉断力和可靠性。合金化,即通过添加合金元素改善银线性能。中国专利CN101626005B公开了一种键合银丝及其制备方法,由以下组分组成:Cu0.30%-0.80%,Ce0.20%-0.50%,Pd0.05%-0.09%,余量为Ag。本专利技术在高纯银材料的基础上,采取多元掺杂合金,加入其他成分,减少金属化合物的形成,同时阻止了界面氧化物和裂纹的产生,降低了结合性能的退化,使结合性能和金丝一样稳定,从而提高了结合性能、导电性和抗氧化性。近年来受到下游半导体行业的影响,键合丝的发展趋势是尽量减少贵金属用量并且保持性能不变,这就对技术提出了更高的要求。表面镀金都需要用到昂贵的黄金,合金化由于需要保证银的导电性不能添加过多,对银的抗氧化性提高不是很显著。
技术实现思路
为了克服上述传统键合丝应用中存在的问题,本专利技术提出一种节约贵金属、降低成本、抗氧化性好、导电性能好的具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法。本专利技术解决上述技术问题提供的一种技术方案是:提供一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法,包括如下步骤:步骤S1:将高纯度银添加微量金属元素进行真空熔炼,连铸成直径为6mm-10mm的银合金棒材;步骤S2:对银合金棒材进行拉拔,得到直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝;步骤S3:对步骤S2得到的直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝进行中间退火,中间退火的退火温度为400℃~800℃,退火时间为2h-6h,保护气氛为95%N2+5%H2;步骤S4:将中间退火后的银合金丝继续拉拔,得到直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝;步骤S5:对直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝进行成品退火,成品退火在管式在线退火炉内进行,退火温度为400℃~600℃,退火时间为0.2S-0.6S,保护气氛为95%N2+5%H2,退火完成后,得到微电子封装用键合银丝;步骤S6:配置1.0mg/mL~10.0mg/mL的氧化石墨烯水溶液,将氧化石墨烯水溶液倒入第一长条形水槽中,施加第一阶段超声波震荡,将键合银丝连续经过氧化石墨烯水溶液制得表面附着有氧化石墨烯的键合银丝,材料干燥,得表面具有氧化石墨烯薄膜的键合银丝;步骤S7:配置抗坏血酸水溶液,放入第二长条形水槽中,施加第二阶段超声波震荡,将表面具有氧化石墨烯薄膜的键合银丝连续经过抗坏血酸水溶液还原制得表面附着有石墨烯的键合银丝,材料干燥,得表面具有石墨烯薄膜的键合银丝。优选地,所述步骤S6中第一阶段超声波震荡的工作温度为30℃~80℃,超声波的频率为40KHz-60KHz,反复超声静止,超声10min-30min,静止1min-5min,总计超声静止时间1h~5h。优选地,所述步骤S6中材料干燥的条件为:升温至400℃~500℃,保温2h,升温速率为3℃/min~5℃/min。优选地,所述步骤S7中第二阶段超声波震荡的工作温度为30℃~60℃,时间为2h~4h。经过第二阶段超声波震荡,键合银丝表面的氧化石墨烯被均匀还原为石墨烯,使得键合银丝表面均匀附着一层石墨烯薄膜。优选地,所述步骤S7中抗坏血酸水溶液的浓度为3mg/mL~8mg/mL。优选地,所述步骤S7中材料干燥的条件为:温度300℃~600℃,保温2h。与现有技术相比,本专利技术的一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法,该方法在制备表面具有氧化石墨烯薄膜的键合银丝材料的过程中,利用超声浸泡手段,自组装了三维氧化石墨烯,使氧化石墨烯均匀地附着在键合丝表面,有效的减缓了后续还原石墨烯的层叠、不可逆团聚问题,极大的提高石墨烯的比表面积,同时采用抗坏血酸对氧化石墨烯进行还原制得包含还原氧化石墨稀的薄膜,避免了水合肼、对苯二胺、对苯二酚等还原剂对人和环境造成损害的物质的使用。该方法工艺简单、成本低、适用于各类铜合金,生产周期短,可直接在键合丝成品退火后进行涂覆,具备较高的实用价值。石墨烯是一种由纯碳原子组成的二维材料,有着所有材料中最高的载流子传输速度,超强的耐大电流能力,同时由于其致密的分子结构,除了氢原子以外的物质均不能透过石墨烯材料。将石墨烯结合金属材料,形成表面具有石墨烯薄膜的键合银丝,能够增强铜等金属材料的导电能力,还能增强金属材料的抗腐蚀能力,从而节约镀钯银丝、镀金银丝等材料对贵金属的消耗,有效的解约了成本。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施实例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用于解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。另外,在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。本专利技术的一种具有石墨烯薄膜的键合银丝以银添加微量金属元素构成银合金丝为基础材料,键合银丝表面附着一层超薄石墨烯薄膜。其中,键合银丝为超细圆形银丝,直径为0.01mm-0.03mm,超薄石墨烯薄膜的厚度为0.1μm-2.5μm。本专利技术的具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法包括以下步骤:步骤S1:将高纯度银添加微量金属元素进行真空熔炼,连铸成直径为6mm-10mm的银合金棒材;步骤S2:对银合金棒材棒材进行拉拔,得到直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝;步骤S3:对步骤S2得到的直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝进行中间退火,中间退火的退火温度为400℃~800℃,退火时间为2h-6h,保护气氛为95%N2+5%H2;步骤S4:将中间退火后的银合金丝继续拉拔,得到直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝;步骤S5:对直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝进行成品退火,成品退火在管式在线退火炉内进行,退火温度为400℃~600℃,退火时间为0.2S-0.6S,保护气氛为95%N2+5%H2,退火完成后,得到微电子封装用键合银丝;步骤本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:步骤S1:将高纯度银添加微量金属元素进行真空熔炼,连铸成直径为6mm-10mm的银合金棒材;步骤S2:对银合金棒材进行拉拔,得到直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝;步骤S3:对步骤S2得到的直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝进行中间退火,中间退火的退火温度为400℃~800℃,退火时间为2h-6h,保护气氛为95%N2+5%H2;步骤S4:将中间退火后的银合金丝继续拉拔,得到直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝;步骤S5:对直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝进行成品退火,成品退火在管式在线退火炉内进行,退火温度为400℃~600℃,退火时间为0.2S-0.6S,保护气氛为95%N2+5%H2,退火完成后,得到微电子封装用键合银丝;步骤S6:配置1.0mg/mL~10.0mg/mL的氧化石墨烯水溶液,将氧化石墨烯水溶液倒入第一长条形水槽中,施加第一阶段超声波震荡,将键合银丝连续经过氧化石墨烯水溶液制得表面附着有氧化石墨烯的键合银丝,材料干燥,得表面具有氧化石墨烯薄膜的键合银丝;步骤S7:配置抗坏血酸水溶液,放入第二长条形水槽中,施加第二阶段超声波震荡,将表面具有氧化石墨烯薄膜的键合银丝连续经过抗坏血酸水溶液还原制得表面附着有石墨烯的键合银丝,材料干燥,得表面具有石墨烯薄膜的键合银丝。...

【技术特征摘要】
1.一种具有石墨烯薄膜的键合银丝的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:步骤S1:将高纯度银添加微量金属元素进行真空熔炼,连铸成直径为6mm-10mm的银合金棒材;步骤S2:对银合金棒材进行拉拔,得到直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝;步骤S3:对步骤S2得到的直径为0.5mm-1.0mm的银合金丝进行中间退火,中间退火的退火温度为400℃~800℃,退火时间为2h-6h,保护气氛为95%N2+5%H2;步骤S4:将中间退火后的银合金丝继续拉拔,得到直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝;步骤S5:对直径为0.01mm-0.03mm的超细银合金丝进行成品退火,成品退火在管式在线退火炉内进行,退火温度为400℃~600℃,退火时间为0.2S-0.6S,保护气氛为95%N2+5%H2,退火完成后,得到微电子封装用键合银丝;步骤S6:配置1.0mg/mL~10.0mg/mL的氧化石墨烯水溶液,将氧化石墨烯水溶液倒入第一长条形水槽中,施加第一阶段超声波震荡,将键合银丝连续经过氧化石墨烯水溶液制得表面附着有氧化石墨烯的键合银丝,材料干燥,得表面具有氧化石墨烯薄膜的键合银丝;步骤S7:配置抗坏血酸水溶液,放入第二长条形水槽中,施加第二阶段超声波震荡,将表面具有氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员:金鹏卢卓田首夫
申请(专利权)人:深圳市远思达成科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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