一种直流主备电源切换电路制造技术

一种直流主备电源切换电路，包括主电源开关电路和备用电源开关电路；所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与主电源输入正极V1+和备用电源输入正极V2+电连接，且所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与电源切换死区延时电路电连接；电源切换触发电路的输入端与所述主电源输入正极电连接，输出端分别与所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路电连接。本申请的有益效果是：死区延时功能不仅能够实现无缝隙的主备电源切换，还能够对负载进行保护，延长使用寿命；采用MOSFET作为开关元件，其体积小、导通电阻小、功率损耗低，利于电路的集成和节能；可广泛应用于需要不间断供电的医疗器械、工业设备中。

A switching circuit for DC main power supply

A DC standby power supply switching circuit, including the main power switch circuit and the standby power supply switch circuit; the main power switch circuit and the standby power switch circuit is connected with the main power input cathode V1+ and standby power input V2+ is electrically connected with the cathode, and the main power switch circuit and the standby power supply switch circuit respectively. Connected with the power supply switching dead time delay circuit; switching power supply input end of the trigger circuit and the main power input cathode electrically connected output terminals are respectively connected with the main power switch circuit and the standby power switch circuit is electrically connected. The utility model has the advantages that the dead time delay function can not only realize the main power supply switch without a gap, but also can protect the load, prolong the service life; using MOSFET as a switching element, its small size, small resistance, low power consumption, for integrated circuits and medical equipment, energy saving; can be widely applied to the need for uninterrupted power supply for industrial equipment.

【技术实现步骤摘要】
一种直流主备电源切换电路
本申请属于供电电源
，具体地说，涉及一种直流主备电源切换电路。
技术介绍
在电气领域，尤其是设备运行过程中，经常会因为各种人为或非人为的原因需要中断电源。但正在运行的设备若中断电源可能会造成比较严重的损失。这就需要给设备配备备用的电源，并且在中断主电源时进行主备电源的切换。一般的电源切换是采用继电器、接触器等器件来实现这种切换方式切换装置的体积大、切换速度慢，有些特殊情况的电源切换，这种方法还可能没法实现。这就需要研发一种新的切换技术，来满足诸如无缝切换、体积小、应用广等特点。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种直流主备电源切换电路，不仅切换设备体积小，还能够满足无缝切换的要求。为了解决上述技术问题，本申请公开了一种直流主备电源切换电路，并采用以下技术方案来实现。一种直流主备电源切换电路，包括主电源开关电路、备用电源开关电路、电源切换触发电路和电源切换死区延时电路；所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与主电源输入正极V1+和备用电源输入正极V2+电连接，且所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与所述电源切换死区延时电路电连接；所述电源切换触发电路的输入端与所述主电源输入正极电连接，输出端分别与所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路电连接。进一步的，所述主电源开关电路包括MOS管Q1和MOS管Q2；所述主电源输入正极V1+与所述MOS管Q1的S极电连接，所述主电源输入正极V1+串联电阻R1后与所述MOS管Q1的G极电连接；所述MOS管Q1的G极串联电阻R5后与三极管Q5的集电极电连接；所述MOS管Q1的D极与所述MOS管Q2的D极电连接；所述MOS管Q2的G极串联电阻R6后与三极管Q6的集电极电连接；所述三极管Q5和所述三极管Q6的基极均与主电源开关控制信号SW_DC电连接，所述三极管Q5和所述三极管Q6的发射极均与GND电连接；所述主电源开关控制信号SW_DC连接上拉电阻R11后与DC电源电连接；所述MOS管Q2的S极和G极之间连接电阻R2；所述MOS管Q2的S极输出电源输出正极Vout。进一步的，所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均为P沟道MOSFET；所述三极管Q5和所述三极管Q6均为NPN型三极管。进一步的，所述备用电源开关电路包括MOS管Q3和MOS管Q4；所述备用电源输入正极V2+与所述MOS管Q3的S极电连接，所述备用电源输入正极V2+串联电阻R3后与所述MOS管Q3的G极电连接；所述MOS管Q3的G极串联电阻R7后与三极管Q7的集电极电连接；所述MOS管Q3的D极与所述MOS管Q4的D极电连接；所述MOS管Q4的G极串联电阻R8后与三极管Q8的集电极电连接；所述三极管Q7和所述三极管Q8的基极均与备用电源开关控制信号SW_BAT电连接，所述三极管Q7和所述三极管Q8的发射极均与GND电连接；所述备用电源开关控制信号SW_BAT连接上拉电阻R12后与DC电源电连接；所述MOS管Q4的S极和G极之间连接电阻R4；所述MOS管Q4的S极输出电源输出正极Vout。进一步的，所述MOS管Q3和所述MOS管Q4均为P沟道MOSFET；所述三极管Q7和所述三极管Q8均为NPN型三极管。进一步的，所述电源切换死区延时电路包括电容C1和二极管D1；所述电容C1的负极与GND电连接，所述电容C1的正极并联所述二极管D1和电阻R9后与所述电源输出正极Vout电连接；所述二极管D1的正极与所述电容C1的正极电连接，所述二极管D1的负极与所述电源输出正极Vout电连接。进一步的，所述电源切换触发电路包括取样电路和比较电路；所述取样电路输入端与所述主电源输入正极V1+电连接，所述取样电路输出端与所述比较电路电连接；所述比较电路设有两个输出端，所述两个输出端分别与所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路的输入端电连接。进一步的，所述取样电路包括电阻R13和电路网络；主电源输入正极V1+串联电阻R13和电路网络后与GND电连接。电阻R13和电路网络之间的节点作为取样电路输出端与比较电路的输入端电连接；电路网络具体为电阻R14、电容C3、电容C4和二极管D2的并联网络。进一步的，所述比较电路包括单片机IC1；所述取样电路的输出端与所述单片机IC1的一个IO口电连接；所述单片机IC1的另外两个IO口作为输出端，分别输出所述主电源开关控制信号SW_DC和所述备用电源开关控制信号SW_BAT。与现有技术相比，本申请可以获得包括以下技术效果：死区延时功能不仅能够实现无缝隙的主备电源切换，还能够对负载进行保护，延长使用寿命；采用MOSFET作为开关元件，其体积小、导通电阻小、功率损耗低，利于电路的集成和节能；可广泛应用于需要不间断供电的医疗器械、工业设备中。当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1是本申请切换电路的整体原理框图。图2是本申请主电源的电源开关电路原理图。图3是本申请备用电源的电源开关电路原理图。图4是本申请电源切换死区延时电路原理图。图5是本申请电源切换触发电路原理图。其中，图中：V1+：主电源输入正极；V2+：备用电源输入正极；SW_DC：主电源开关控制信号；SW_BAT：备用电源开关控制信号；Vout：电源输出正极。具体实施方式以下将配合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，藉此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。如图1所示，一种直流主备电源切换电路，包括主电源开关电路、备用电源开关电路、电源切换触发电路和电源切换死区延时电路。主电源开关电路和备用电源开关电路分别与主电源和备用电源电连接，且主电源开关电路和备用电源开关电路分别与电源切换死区延时电路电连接。电源切换触发电路的输入端与主电源电连接，输出端分别与主电源开关电路和备用电源开关电路电连接。如图2所示，主电源开关电路包括两个MOS管Q1和Q2，Q1和Q2均采用P沟道MOSFET。主电源输入正极V1+与MOS管Q1的S极电连接，V1+串联电阻R1后与MOS管Q1的G极电连接。MOS管Q1的G极串联电阻R5后与三极管Q5的集电极电连接。MOS管Q1的D极与MOS管Q2的D极电连接。MOS管Q2的G极串联电阻R6后与三极管Q6的集电极电连接。三极管Q5和三极管Q6的基极均与主电源开关控制信号SW_DC电连接，发射极均与GND电连接。主电源开关控制信号SW_DC连接上拉电阻R11后与DC5V电源电连接。MOS管Q2的S极和G极之间连接电阻R2。MOS管Q2的S极输出电源输出正极Vout。当主电源开关控制信号SW_DC为高电平时，三极管Q5和Q6均导通，MOS管Q1和Q2的G极电压置高，Q1、Q2导通，实现V1+与Vout的导通，主电源供电。反之，V1+与Vout之间断开，主电源停止供电。如图3所示，备用电源开关电路包括两个MOS管Q3和Q4，Q3和Q4均采用P沟道MOSFET。备用电源输入正极V2+与MOS管Q3的S极电连接，V2+串联电阻R3后与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流主备电源切换电路，其特征在于：包括主电源开关电路、备用电源开关电路、电源切换触发电路和电源切换死区延时电路；所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与主电源输入正极V1+和备用电源输入正极V2+电连接，且所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与所述电源切换死区延时电路电连接；所述电源切换触发电路的输入端与所述主电源输入正极电连接，输出端分别与所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路电连接。

【技术特征摘要】
1.一种直流主备电源切换电路，其特征在于：包括主电源开关电路、备用电源开关电路、电源切换触发电路和电源切换死区延时电路；所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与主电源输入正极V1+和备用电源输入正极V2+电连接，且所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与所述电源切换死区延时电路电连接；所述电源切换触发电路的输入端与所述主电源输入正极电连接，输出端分别与所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路电连接。2.根据权利要求1所述直流主备电源切换电路，其特征在于：所述主电源开关电路包括MOS管Q1和MOS管Q2；所述主电源输入正极V1+与所述MOS管Q1的S极电连接，所述主电源输入正极V1+串联电阻R1后与所述MOS管Q1的G极电连接；所述MOS管Q1的G极串联电阻R5后与三极管Q5的集电极电连接；所述MOS管Q1的D极与所述MOS管Q2的D极电连接；所述MOS管Q2的G极串联电阻R6后与三极管Q6的集电极电连接；所述三极管Q5和所述三极管Q6的基极均与主电源开关控制信号SW_DC电连接，所述三极管Q5和所述三极管Q6的发射极均与GND电连接；所述主电源开关控制信号SW_DC连接上拉电阻R11后与DC电源电连接；所述MOS管Q2的S极和G极之间连接电阻R2；所述MOS管Q2的S极输出电源输出正极Vout。3.根据权利要求2所述直流主备电源切换电路，其特征在于：所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均为P沟道MOSFET；所述三极管Q5和所述三极管Q6均为NPN型三极管。4.根据权利要求1所述直流主备电源切换电路，其特征在于：所述备用电源开关电路包括MOS管Q3和MOS管Q4；所述备用电源输入正极V2+与所述MOS管Q3的S极电连接，所述备用电源输入正极V2+串联电阻R3后与所述MOS管Q3的G极电连接；所述MOS管Q3的G极串联电阻R7后与三极管Q7的集电极电连接；所述MOS管Q3的D极与所述MOS管Q4的D极电连接；所述MOS管Q4的G极串联电阻R8后与三...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟纲，
申请(专利权)人：天津汇康医用设备有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12