The invention belongs to the technical field of vacuum coating, and provides a kind of diamond / cubic boron nitride multilayer composite coating and its preparation method. The diamond / cubic boron nitride multilayer composite coating on the substrate, including a metal transition layer deposited on the substrate, the metal transition layer alternately cubic boron nitride coating and diamond coating deposition, the diamond / cubic boron nitride and the outer layer of composite coating is more diamond coating. The diamond / cubic boron nitride multilayer composite coating provided by the invention not only has small coating stress, but also has good toughness, long service life and good wear resistance.
【技术实现步骤摘要】
一种类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层及其制备方法
本专利技术属于真空镀膜
,尤其涉及一种类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层及其制备方法。
技术介绍
类金刚石(DLC)是一种含有sp2和sp3键合特征的非晶碳材料,具有高硬度、低摩擦、良好的导热及生物相容性能,在刀具、模具、零部件以及生物医疗器件等领域有着广泛的应用前景。但是由于残余应力高,导致使用类金刚石制备的涂层易剥落,膜基结合强度低,且韧性较差,极大限制了类金刚石涂层的工业应用。为了解决类金刚石涂层的残余应力问题,研究人员采取了多种技术手段,如:热退火、掺杂、加脉冲偏压、多层复合结构设计等,其中多层复合结构是通过两种具有不同弹性模量的材料交替沉积形成,由于层界面的增加使得涂层单层厚度降低,可以减小涂层的弯曲应力;此外,层界面对裂纹具有偏转和钝化作用,可以提高涂层的整体韧性。目前,有关类金刚石复合涂层的工作报道多是含金属掺杂的类金刚石,类金刚石的多层结构涂层少有报道,现有专利公开了一种类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜及其制备方法,具体公开了采用双靶磁控溅射技术在不锈钢基底上交替沉积类金刚石层和二硫化钼层,最终获得类金刚石复合二硫化钼纳米多层薄膜,制备方法如下:对不锈钢基底进行超声清洗预处理,然后置于MFD800型双靶磁控溅射气相沉积系统的真空腔中,依次进行以下步骤:(a)预抽真空至5x10-4Pa,偏压为-500~-1000V,对不锈钢基底进行20~30min的氩等离子体溅射活化处理;(b)单层类金刚石碳薄膜沉积,采用直流电源控制石墨靶,靶电流为1.0~1.4A,沉积压强0.8Pa,基底偏压-200~ ...
【技术保护点】
一种类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层,其特征在于,所述类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层涂覆在基底上,包括在所述基底上沉积的金属过渡层,在所述金属过渡层上依次交替沉积的立方氮化硼涂层和类金刚石涂层,所述类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层的最外层为类金刚石涂层。
【技术特征摘要】
1.一种类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层,其特征在于,所述类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层涂覆在基底上,包括在所述基底上沉积的金属过渡层,在所述金属过渡层上依次交替沉积的立方氮化硼涂层和类金刚石涂层,所述类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层的最外层为类金刚石涂层。2.如权利要求1所述的类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层,其特征在于,所述金属过渡层由过渡金属制备而成,其中,所述过渡金属为Cr、Ti、Ni、Zr、W中的至少一种。3.如权利要求1所述的类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层,其特征在于,所述类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层的厚度为1.5-30μm。4.如权利要求1-3任一所述的类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层,其特征在于,所述过渡金属层的厚度为100~500nm;和/或所述立方氮化硼涂层的厚度为0.5~2μm;和/或所述的类金刚石涂层的厚度为0.5~2μm。5.如权利要求1-3任一所述的类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层,其特征在于,所述基底为碳素钢、不锈钢、高速钢、硬质合金、陶瓷中的一种。6.一种类金刚石/立方氮化硼多层复合涂层的制备方法,包括以下步骤:提供一基底,对所述基底进行表面清洁处理;在离子源/电弧离子镀复合镀膜设备中通入氩气,流量为50~400sccm,调节真空室压强为0.2~1.3Pa,开启过渡金属电弧靶,调节靶电流为80~200A,基底偏压100~300V,在所述基底表面沉积过渡金属层;继续通入氩气,调节真空室内的压强为0.4~1.0Pa,调节立方氮化硼或六方氮化硼电弧靶的靶电压为15~25V,靶电流降为10~30A,基底偏压30~200V,沉积立方氮化硼涂层;向真空室中通入乙炔,调节质量流量计使真空室内的压强为0.5~1.0Pa,离子源电压为50~100V,基底偏压50~200V,在所述立方氮化硼涂层上沉积类金刚石涂层;按照上述方法依次交替沉积立方氮化硼涂层与类金刚石涂层...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐永炳,朱海莉,蒋春磊,
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院,
类型:发明
国别省市:广东,44
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